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| | | | | | | 请问变压器饱和是什么原因造成的,是副边闭合时间过长? |
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| | | | | | | | | 峰值电流过大或者是伏秒不等慢慢积累导致饱和,图中黄色为流过MOS的电流波形吗?两个波形分别是在什么情况下测试的? |
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| | | | | | | | | | | 对,第一个图黄色的为流过原边的电流,第二个图黄色为流过副边的电流。青色的线都是原边mos管漏极电平,因为我的示波器采不了电流,用一个差不多250毫欧的电阻才的电压当做电流的。这些曲线都是在DCM模式下采的 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | |
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| | | | | 1.反向充电,我怀疑过是副边同步整流的问题;
2.充电电流过小延迟,我有点怀疑原边RCD过猛;
3.充电能量不足,有些怀疑变压器的设计和绕制;
但从电路上看,我没有看出问题所在...
所以请各位兄台帮这位兄弟分析分析 谢了!! |
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| | | | | | | 呵呵,先对兄弟的热心表示感谢
RCD这块儿我试着换了换电阻和电容,将电容换小,电阻换大,但是从曲线上看没什么变化,倒是mos管闭合后的那个电压尖峰大了点。 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 提两点建议,你考虑考虑吧
1、副边采用这么多绕组,你无法做到各路输出电压一致,输出电压的交叉调整率会搞死你。可能电池均衡完了还不如没均衡的时候。
2、同步整流,如果是DCM模式,能量就反灌了,必须设计工作在CCM模式,但轻载的时候呢还是DCM,所以,你必须控制同步整流MOS管的工作时间。 |
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| | | | | | | 谢谢你的回复。
这个电路其实还有一部分电压采集的电路,我做在另一块板子上了,那个是进行均衡的依据和判断的指标,并且工作的时候任意时刻只有一个副边在工作,采用的是DCM模式,的确mos管闭合时间我是通过单片机精确控制的,只是现在还不确定副边闭合长时间合适,按照计算的时间闭合的话,副边就会出现能量反灌,只有缩短这个时间很多才行。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | 我明白你的意思了,英飞凌的这个方案我也看过,我记得好象是副边8路,当时考虑到变压器加工工艺问题,放弃了。
你目前是哪路电池电压低通过单片机(或其它电路)控制该路副边工作,让他输出电流补充电池能量?但存在一个问题,在不同的电池电压下,甚至不同的绕组,都可能副边二极管导通的时间不一致的,因此需要的MOS管导通时间也不一致,你如何精确控制这个导通时间呢? |
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| | | | | | | | | | | 变压器我用的是英飞凌代理提供的,VOGT设计、SUMIDA代工的。
这个副边二极管对mos管导通时间的影响我确实没有考虑过,还有mos管导通需要的时间,我以为这个不会很长,相对于闭合时间来说。
我拿这个问题问了问英飞凌的技术人员,他直接告诉我,这个只是技术演示,明年就会有集成好的芯片了。。。
Sumida EA 070 810 11 17.pdf |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | 恩,也许吧。如果你在不同电压下均衡,副边同步整流时间就很难控制,我估计集成的IC,会自动根据充电电流,在小电流时候关闭同步整流,就不存在你说的问题了。 |
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