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| |  |  | | | | | | 开关电源与品质因数的，，LLC了？，谐振电容C上的电压峰值到底有多少，对于下管开通时对能量的传输还是很重要的吧，
但单说LCR网络，频率就不用说了吧，都到Q值了，那频率就是以谐振频率为中心咯，其它的用上面那个很水的理解已经可以解释了，
同样的信号注到这个网络，电容容量越小，电容上电压就越高，
至于选择特性，越高越好对比，高也是用低对比出来。 |
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 | | | | | Q值的基本定义, 就是"稳定条件"下, 储能元件的最大储能与一周期内消耗的能量之比, 基于此分析便是了. |
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| | | | | | | 错了，是2*pi*(储能元件的最大储能与一周期内消耗的能量之比)。 |
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| | | | | | | 版主，这样的Q值定义还是有些让人束手无措，没有什么太大的参考意义 |
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| | | |  | | | | | | | 正想请教如何用您上述的定义公式计算呢？呵呵
大师可能误会我的意思了，我并不是说Q值本身无意义，只是不太明白怎样让Q值和设计中的R，C，L相关，更接地气儿。所以如果用能量的话，理解起来还是不够直接，您觉得呢？ |
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| | | | | | | | | | | 不同的谐振网络,它的第一特征频率,第二特征频率怎么计算?
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| | | | | | | | | | | | | 恕我寡闻，第一特征频率和第二特征频率我还是第一次听说，能解释一下吗？ |
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| | | | | | | | | | | 我刚才试了一下，您给出的2个线路并非2端网络，不能写出传递函数，只能写出其复频域阻抗表达式，谈不上Q值的计算和讨论，要计算Q值至少要是一个网络，或者滤波网络，或者储能网络。
必定是有其激励的接入和输出。
有一个特殊情况，那就是而对于磁性材料讨论其材料的品质因数Q，也是要有绕组，在一定的交变电场中去测定讨论。所谓电磁一家，也是有网络的概念在里边。
以上浅见，您怎么看呢？
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| | | | | | | | | | | | | 什么叫做Resonant Circuit？为什么要有传递函数等等，才能谈Q值？
我看兄弟的理解有偏差。
13楼的问题，就暂不解答了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 讨论嘛，自然是就自己的认识了，认识到哪里就是说到哪里，您拿出说服大家的理由那大家无不拍手称快，感恩戴德 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 写出输入阻抗 Zin(s) 的表达式，其分子是个二次方程式，与标准的二阶特征方程式比较一下，便找到Q。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 12楼图的Q计算方法（之一），例如图一：
1/Q = 1/QL + 1/Qc
Q=网络的Q，
QL=L和它串联电阻的Q = ωo*L/Rs
Qc=C和它并联的R的Q = ωo*C*Rp
ωo=网络的零相位谐振频率， |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Q = 2*pi*(储能元件的最大储能与一周期内消耗的能量之比) = ω*(最大储能)/(平均功耗）= ω* E/P
或1/Q= P/ωoE = (P1+P2)/ωoE (P1=Rs 的功耗，P2=Rp的功耗)
= P1/ωoE +P2/ωoE
= P1/ωoEL +P2/ωoEc （谐振时，电感和电容的储能是相同的，E = EL = Ec）
=1/QL +1/Qc |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 由我来回答蓝天大侠，答对了给分儿O(∩_∩)O哈！
Q = 2*pi*(储能元件的最大储能与一周期内消耗的能量之比) = ω*(最大储能)/(平均功耗）= ω* E/P
且看上式，第一个=号与第二个=号之间都是能量之比，
第二个与第三个编程能量与功率的比了，这就是关键了，
张工再看分子分母同乘以t则， ω* E/P=(ω*t* E)/(P*t)=（2*pi*f*t*E)/(P*t)=(2*pi*1*E)/(P*t)= 2*pi*(储能元件的最大储能与一周期内消耗的能量之比)
其中f*t=1,因为是1个周期。
greendot大师真是太严谨了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 请问对于一个谐振网络中有3个及以上电感、电容元件的谐振电路，它的Q值怎么定义呢？又怎么算呢？
我遇到的谐振网络是一个LCL谐振网络，La和Rac串联后，和C并联，再整个和L串联。其中Rac其实是一个整流全桥（后面有个滤波电容）带负载RL的等效电阻,他们满足Rac=（8/(pi)^2*RL。我看的文章给出的Q=wL/RL,完全不知道是怎么得到的？看到楼主对这方面挺有研究的，故想问下楼主的看法 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | greendot大师可否将计算方法(之二)发出来？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 图一为例，把并联的C和Rp的阻抗，变换成串联形式的 Rps(ω) - j*Xcs(ω)，
这样可以求得零相位谐振频率ωo，
然后 Q=ωo*L/[(Rs+Rps(ωo)] |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大师，这个思路我以前也有过（好象在哪个帖子里也类似地用这个思路回答过您，后来又将自己否认了）
按照您这个思路：
任何串并混联的最后都能整理成：串联形式，并有
L _equal = L(ω,R,C, L)
C_equal = C(ω,R,C,L)
R_equal =R(ω,R,C,L)
也可以求得零相位谐振频率ωo，
然后 Q=ωo*L_equal / R_equal
这样对吗？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对的。不过不一定要整理成串联形式（Z)，看情况，有时并联形式（Y）可能更方便，这时Q=Re(ωo)/ωo*Le(ωo)。 |
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| | | | | | | 关于Q值之定义，百度一下有很多，但是那个更适合您所从事的行业，那个更适合您呢？
就我所知，Q值的定义有以下几种:
1) 从电路能量角度给出品质因数的定义
Q=2*pi*( 电路一个周期内储存的最大能量)/电路一个周期内消耗的能量
上述定义描述了电路的储能效率。显然, 电路的储能效率越高, Q 值越大。
2) 从电路的频率选择性给出品质因数的定义
Q = w0 / BW
其中, w0 为滤波电路的中心频率, BW 为3dB 带宽。上述定义描述电路的频率选择性。显然, 品质因数
Q 值越大, 电路的频率选择性越好, 这是因为对给定的w0 , Q 值越大, 带宽BW 越窄。
式( 2) 主要适合于滤波电路。 3) 对RLC 串联电路给出品质因数的定义
Q =w0 L/R=1/w0CR
( 3)其中, R、L 、C 分别为RLC 串联电路的电阻、电感和电容; w0= 1/ sqrt(LC) 为电路的谐振频率。
上述品质因数定义三种的表达式尽管不同, 但它们之间具有一定的联系，可以相互推导。
4）还有不同应用领域的定义，如果您看过磁芯材料参数定义的话，您肯定不会陌生，
Q值还跟损耗正切角存在某种联系，这样的话就是磁路的能量角度给出定义了。
水平有限，并且此处不再赘述。
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| | | | | | | | | Q值的感性认识，我觉得从阻尼这方面来说的话，就是对谐振电路的阻尼作用 ，为什么呢，因为Q=1/(2阻尼系数)，故有過阻尼，欠阻尼，临界阻尼。那么为什人么电源要谐振呢？我的认识是----电源是能量的转换传递，那么，由于必须使用电感和电容类损耗很小的器件，同时使用了高频开关，所以要用滤波器滤除传递中不必要的谐波，所以，LC的谐振也是滤波器，从BUCK电路/boost电路可以看出（很多其它电路都可以看成是BUCK电路的衍生结构）。那么，R是什么呢？很大部分是我们的负载。所以，回到阻尼系数对系统的影响（同时可以看成Q值），阻尼系数越大（Q值越小）那么，谐振时，电感/电容的存储能量越小，其峰值电流和峰值电压越小，对我们的应力越小，相反。。。。。。
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| | | | | 今天刚好翻了些关于这方面的资料觉得犹如醍醐灌顶，不敢独自享用，分享出来加深大家对谐振概念和Q值本质的理解。如果大家觉得有用，就给我这个新人有钱的捧个钱场，没钱的捧个人场O(∩_∩)O哈！
为此专门整理 RLC Resonance2.pdf
的附件请各位参阅并指点 |
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| | | | | | | 这个资料对于Q的理论分析挺详细，如果能结合实例说明Q在实际设计中起什么作用那就更棒了，还望指点 |
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| | | | | | | | | | | | | 算了吧，咱俩都这么点，匀来匀去的不合适，一看就是在演戏，必须的一上万分大牛支持才肯呐 |
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| | | | | 我刚才试了一下，您给出的2个线路并非2端网络，不能写出传递函数，只能写出其复频域阻抗表达式，谈不上Q值的计算和讨论，要计算Q值至少要是一个网络，或者滤波网络，或者储能网络。
必定是有其激励的接入和输出。
有一个特殊情况，那就是而对于磁性材料讨论其材料的品质因数Q，也是要有绕组，在一定的交变电场中去测定讨论。所谓电磁一家，也是有网络的概念在里边。
顺道学习.
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这是很水的一个理解。。
小弟先谢过了
greendot大师果然不负盛名，学生拜服
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我要是女的，我就亲你一口，可惜我是男的，敬个礼给你
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