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我想知道你们是怎么做到能效6级的

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oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-15 21:16:27
能效要求越来越高,我想知道你们做的能效6级到底是怎么做出来的 ,到底是不是都是用好的IC,低RDS的MOS管,低VF的肖特基,低内阻的电容?
如果是这样,成本老高呀,如果就用常规的元器件可否做到呢?反正我的技术是还没到家,最近搞的一款输出9V1A的适配器,始终还差那么一两个点,就是上不去。
希望大家讲讲,发表意见。
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拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-15 22:11:40
 
电压越低是越难做,总体趋势是成本不能增加甚至降低,效率满足DOE和COC的最新要求。
像你这功率不大,原边感量可以尽量大,吸收电容减小,需要使用轻载降频的IC,MOS的RDSon对这小功率的影响不大,你可以用RDSon稍微大点的,这样便宜些,从而可以使用贵点的输出二极管,这样可以保持总成本不变。
zhojianjin
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-15 22:39:23
 
6级,确实有难度
oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-15 22:46:31
 
我 现在是不相信那些IC供应商说这个可以IC可以做6级,那个IC可以做6级,一看demo板,全部都是好材料,不能做6级才怪。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-15 23:10:55
 
我们目前开发的都是满足6级能效的,成本不增加。
demo板就算了,材料用好的不说,测的还可能是板端哦,坑你没商量
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-16 17:22:20
 
膜拜你,分享个给我看看嘛,学习啊!
oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-17 19:51:15
 
你们一般是用什么品牌的IC,可否推荐几个。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-18 12:54:19
 
NXP、Fairchild、ON、ST。。。针对不同应用可以找他们的FAE了解。
dongshitong
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高级工程师
  • 2014-6-17 23:45:30
 
有没有兼容OB2263这颗IC的可以做能效6的啊?老板说不想重新申请安规 增加点成本可以 但是OB2263空载损耗杠杠的
OB2273就算了 低压12V的效率就高出能效6标准一点点 实在是不适合量产呀

oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-6-18 10:33:21
 
通嘉的有
dongshitong
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高级工程师
  • 2014-6-18 19:58:28
 
兄弟能不能给介绍下呢 ?

oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-6-19 09:38:15
 
不知道你是做多少W,可以去问一下通嘉代理商,当时有找我们推,
QQ:403920015
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LV6
高级工程师
  • 2014-8-22 14:13:34
 
NE1102E 可以的,但你不想调试 完全不动别的料估计难.
botaiwei熊
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LV3
助理工程师
  • 2014-8-26 16:37:59
 
环球的G1513完全可以,性能在OB2273之上,PIN2PIN 的不需改外置元件
a286470749
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-1 09:33:14
  • 倒数5
 
目前市面上没有,如果你要从新做安规还不如从新换过一个原边的方案,G5198(40W)六级能效的 G5198 Specification 1.0.pdf
风雨风情
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高级工程师
  • 2014-5-23 18:15:43
 
小功率的,12W的,我做过一个能效六的案子,效率可以轻松过,绿达的IC。
huwangx
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初级工程师
  • 2014-3-18 12:52:15
 
你可以试试绿达的GR1230,EE16做到了12W做了能效6,
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-20 21:34:13
 
EE16做12W还6级,分享个资料
风雨风情
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高级工程师
  • 2014-5-23 18:17:31
 
是的,这款IC我也用过。做能效六确实没有问题啊。可以找下绿达的FAE啊
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-23 19:29:29
 
听了好几个RD说绿达的做6级还不错,我们就用了一颗GR8830后面用SF1531替换了
风雨风情
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LV6
高级工程师
  • 2014-5-24 20:21:14
 
这款IC如果做六能,难。GR1230这款IC可以试下,我用过了,六能还行
a286470749
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高级工程师
  • 2014-11-1 09:28:53
  • 倒数6
 
我这边做的是六级的,主芯片能过六级,而不是靠外围元件堆上去的,奥强,帝文,天音,雅士,小米的代工厂(我们家芯片是小米充电器指定的),都在用。有兴趣可以聊聊:15217067670 李工
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-15 22:44:17
 
这样看来像这样的小功率用普通的材料还是可以做到的,我现在用的是赛威的IC是SF6771,效率只能做到80%,6级要求81.34%,现在也只有看用低VF的肖特基试试看,电路在调调,看效率能提升多少。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-15 23:12:51
 
嗯,到时候分享下结果哈。
如果方便把大概原理图看看,看参数是否还能有机会调整。
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-16 17:13:26
 
原理图还没有画,PCB板看看,
oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-3-16 17:20:26
 
变压器规格:EE16 E1线绕屏蔽-NP初级88T-E2铜箔-NS次级15T反绕-NF反馈28T反绕-NP初级44T 电感量:1.4MH 漏感:36U
上传个IC资料,看看变压器还要怎么改进。
SF6771_DS_final_v1.0.pdf
qq80644864
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  • 2014-3-16 22:31:56
 
看程工的5V2A的六级能效啊
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-20 21:45:21
 
原理图
smartin
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高级工程师
  • 2014-3-16 00:52:50
 
板端还是线端,什么规格的线?
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-16 17:11:48
 
22AWG,1.8米测的,能用24AWG做到就好了。
smartin
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高级工程师
  • 2014-3-17 11:27:56
 
24AWG,1.8M有点难,输出用LOW VF 肖特基试试吧
weideqin2
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LV2
本网技师
  • 2014-11-1 09:17:25
  • 倒数7
 
可以考虑一下用COOLMOS,效率至少可以提高两个百分点,需要样品请联系韦生15814410367
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-20 21:22:58
 
帅总,还要帮忙啊,现在老大说不能用 LOW VF的肖特基,郁闷呀!现在用强茂普通的SB360测试效率如下: 22# 1.8米
115V:81.727(1A) 81.983(0.75A) 82.363(0.5A) 82.363(0.25A)=82.109
230V: 81.909 81.76 81.395 80.193=81.314
效率还得提高2个点,为什么我的高压效率还低了呢?磁芯损耗大,频率太高了?现在高压的频率是93K.
变压器匝比:140:17:27 LP=1.3mH 结构:E1线绕-NP-NF-NS-E2线绕-NP, 这样还不知道辐射能不能过呀!
oyang314
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LV6
高级工程师
  • 2014-5-20 21:27:36
 
测试波形:频率是抖动的,测试不是很准确,这个是CV模式测的。
264V 肖特基波形



90V 肖特基波形







90V VDS



264V VDS

拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-20 22:03:32
 
因为成本原因吗?就目前的IC方案,不用好的器件,再提高2%很难的,可能要牺牲传导和辐射。可以先试试把解EMC的招都去掉看能否满足。
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-21 11:22:00
 
变压器没什么可以在改善的了吗?主要是把高压提高1个点,都可以 了。
qq80644864
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  • 2014-5-22 00:13:08
 
加粗线径,还可以改善一点点
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-22 10:12:46
 
都已经22#了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-22 20:52:55
 
他的意思应该是变压器副边的线径能否加粗点。原边圈数太多,粗了可能就绕不下。
你可以调下感量和匝比试试。
qq80644864
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  • 2014-5-22 21:49:12
 
帅兄,刚才我碰到鬼了,感量减小之后,效率大幅度提升!!!4个点!!!
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-22 21:58:48
 
这个有点夸张,是原来的设计太不合理了。。。
看看工作状态,开关频率和Vds波形,可能会有所发现。
还有也要看你减小感量是如何实现的。
qq80644864
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  • 2014-5-22 22:06:15
 
开关频率提升了,这是肯定的,VDS看起来好看多了


还有个问题,如果感量太大,按照公式P=0.5*L*I*I*F,这样的话那么输出功率不变的情况下,那么输入功率就会变大,这样会不会就是导致炸机的原因呢?
今天炸机的时候还拉弧,直接拉到桥堆那边去了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-5-22 22:36:47
 
1、你的公式是在DCM下的,如果L变大还是DCM的话且F不变,那I就会减小的。输出需要多少输入就给多少啊,(不考虑效率因数)不会导致炸机。
2、你说到拉弧,我想起另一种可能了:距离不够,尤其是高压走线部分,好好确认一下。
qq80644864
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  • 2014-5-22 22:57:18
 
我设计是在TM模式,现在是L变小,F变大。现在的情况是输入功率变小了。。。


拉弧会导致炸机吗?都是馒头波,想拉弧的话会非常困难啊
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-23 15:25:01
 
原边匝数是多了些,肖特基电压控制在60V以内,但是如果把匝比增大,高压时的频率会上升到100多K,F太高,损耗也大吧,而且辐射也不怎么好过。
oyang314
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高级工程师
  • 2014-5-23 17:11:01
 
帅总,6W 5V1.2A用普通肖特基SB340可以做到6级吗?
oyang314
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高级工程师
  • 2014-6-17 14:56:06
 
之前的初级匝数太多了,变压器匝比:128:15:22 LP=1.3mH 结构:E1线绕-NP-NF-NS-E2铜箔-NP 效率:普通肖特基 230V:82.25% 115V:81.85%
frankhu
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mmc_21
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xiaodeng1992
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高级工程师
  • 2014-3-17 14:39:13
 
人家原厂DEMO的,给你测试的,都是不带线材的。
实际要过6级,材料都需要比较好的,变压器要设计的很好。
QQ:403920015
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高级工程师
  • 2014-3-17 15:58:42
 
9V1A 过6级是没问题的,
我们做的5V2A 12V1A 12V1.5A 都可以做无Y电容过6级,普通EF20变压器或 EE19(Add wide Ae 44) ,普通MOS管 低VF DO-201AD的肖特基. 有兴趣来找我,,
6级能效小功率还好比较好过些,特珠电压除外.如 6V 3A等,不过做成5.9V3A 则完全没问题
oyang314
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不好意思,你是做IC的,还是做电源的呢?什么品牌的IC?去Y可否上个原理图,谢谢。
QQ:403920015
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高级工程师
  • 2014-3-19 17:01:24
 
我是做芯片的,图已上传..谢谢关注
oyang314
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  • 2014-3-19 21:32:28
 
不是原边的么?
拒绝变帅
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  • 2014-3-19 22:24:59
 
他这个不是原边的,次级稳压,适合做65W以下的小功率适配器。
smartin
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高级工程师
  • 2014-3-17 21:57:46
 
EFD20比EPC19还要好点点,
我只能用到EPC17,
QQ:403920015
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高级工程师
  • 2014-3-28 17:43:27
 
老兄 我的Y电容都省了哦,一个Y电容怎么着也要1毛多以上吧
jnsdesr
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本网技师
  • 2014-3-19 18:14:38
 
ht是哪个品牌,HT203的性能怎么样
lansunhsu
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有没有高人讲课?
拒绝变帅
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  • 2014-3-21 23:29:30
 
非高人,发了个帖,和大家分享下我所理解的六级能效:
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归来
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  • 2014-3-28 19:32:43
 
六级能效,可以参考一下这个帖子
https://bbs.21dianyuan.com/162913.html
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 19:41:57
 
不知道价格如何?贵了就没有竞争力了。
归来
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初级工程师
  • 2014-3-28 19:55:31
 
价格很有竞争力的。需要可以详谈。
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-31 15:47:25
 
此案子基本已经结束,主要整改方案如下:
1.变压器匝比还是和之前一样,但是去掉了最下面的线绕屏蔽,132/15/27 L=1.4mH
结构 : NP-E1铜箔-NS-NF-NP 去掉了绕组的损耗,另VCC供电电压算低了些,之前都是按20V左右算的.
2.调整RCD吸收,提高轻载效率,小电容大电阻搭配.
3.驱动线路调整.

4.输入电感感量改小.
5.MOS管对几个品牌进行了对比,分别对:IPS 华晶 华微 三个品牌做了对比,IPS最差(一开始用这个),华晶稍差,华微的最好.所以此处效率也稍有提升.
6.肖特基由普通的的管子改用低VF的。
经过以上调整,现在的效率在83%左右 ,1.8M 22# 测试.





hsw113
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副总工程师
  • 2014-3-31 16:31:08
 
thanks for your share
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高级工程师
  • 2014-4-1 14:34:46
 
老兄 低VF的肖特基是否有机会配合?
dxsmail
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副总工程师
  • 2014-4-21 16:51:51
 
做得很不错了。。。
bing833558
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高级工程师
  • 2014-8-20 16:36:03
 
这个匝比会不会太小了,你的肖特基耐压多少V?
风雨风情
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高级工程师
  • 2014-5-24 20:24:04
 
哪家芯片
hwx-555
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  • 2014-8-20 18:09:39
 
IC方面也就待机和轻载调频,其它还是靠设计
powergd
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高级工程师
  • 2014-8-26 17:10:59
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现在都要求欧洲的CoC V5.0 Tier2了;
待机要求75mW,效率要求比美国的6级还高0.6%左右;
weideqin2
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本网技师
  • 2014-10-30 21:29:50
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无锡新洁能(NCE)原厂,国内第一家量产COOLMOS的公司,有2A,4A,5A,8A,11A,15A,21A的600V---900V的COOLMOS,效率能提高几个百分点,有需要样品的联系我韦生手机(QQ)15814410367.
a286470749
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高级工程师
  • 2014-10-31 10:50:07
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给你看一个现在弄的10W的,六级的 能到82 我测试过了 有兴趣可以聊聊:电话15217067670 李工 G5175 5V2A demo.zip
botaiwei熊
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助理工程师
  • 2014-11-17 14:40:22
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G5175我测过,确实不错,效率板端有84%
ruohan
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副总工程师
  • 2015-6-30 15:02:49
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待机能做到吗
a286470749
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高级工程师
  • 2015-7-2 08:57:14
  • 倒数2
 
大哥 待机80nW以内,您说呢。肯定是没问题。我们还有更低待机的30mW以内的。数字IC 这块做的还是很到位的。跟您说实话吧 我们是跟IWT一个方向走的。
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