| | | | | 电压越低是越难做,总体趋势是成本不能增加甚至降低,效率满足DOE和COC的最新要求。
像你这功率不大,原边感量可以尽量大,吸收电容减小,需要使用轻载降频的IC,MOS的RDSon对这小功率的影响不大,你可以用RDSon稍微大点的,这样便宜些,从而可以使用贵点的输出二极管,这样可以保持总成本不变。 |
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| | | | | | | | | 我 现在是不相信那些IC供应商说这个可以IC可以做6级,那个IC可以做6级,一看demo板,全部都是好材料,不能做6级才怪。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | NXP、Fairchild、ON、ST。。。针对不同应用可以找他们的FAE了解。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 有没有兼容OB2263这颗IC的可以做能效6的啊?老板说不想重新申请安规 增加点成本可以 但是OB2263空载损耗杠杠的
OB2273就算了 低压12V的效率就高出能效6标准一点点 实在是不适合量产呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不知道你是做多少W,可以去问一下通嘉代理商,当时有找我们推, |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | NE1102E 可以的,但你不想调试 完全不动别的料估计难.
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 环球的G1513完全可以,性能在OB2273之上,PIN2PIN 的不需改外置元件 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 小功率的,12W的,我做过一个能效六的案子,效率可以轻松过,绿达的IC。 |
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| | | | | | | | | | | 你可以试试绿达的GR1230,EE16做到了12W做了能效6, |
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| | | | | | | | | | | | | 是的,这款IC我也用过。做能效六确实没有问题啊。可以找下绿达的FAE啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 听了好几个RD说绿达的做6级还不错,我们就用了一颗GR8830后面用SF1531替换了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这款IC如果做六能,难。GR1230这款IC可以试下,我用过了,六能还行 |
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| | | | | | | | | | | 我这边做的是六级的,主芯片能过六级,而不是靠外围元件堆上去的,奥强,帝文,天音,雅士,小米的代工厂(我们家芯片是小米充电器指定的),都在用。有兴趣可以聊聊:15217067670 李工 |
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| | | | | | | 这样看来像这样的小功率用普通的材料还是可以做到的,我现在用的是赛威的IC是SF6771,效率只能做到80%,6级要求81.34%,现在也只有看用低VF的肖特基试试看,电路在调调,看效率能提升多少。 |
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| | | | | | | | | 嗯,到时候分享下结果哈。
如果方便把大概原理图看看,看参数是否还能有机会调整。 |
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| | | | | | | | | | | | | 变压器规格:EE16 E1线绕屏蔽-NP初级88T-E2铜箔-NS次级15T反绕-NF反馈28T反绕-NP初级44T 电感量:1.4MH 漏感:36U
上传个IC资料,看看变压器还要怎么改进。
SF6771_DS_final_v1.0.pdf |
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| | | | | | | | | | | 22AWG,1.8米测的,能用24AWG做到就好了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 24AWG,1.8M有点难,输出用LOW VF 肖特基试试吧 |
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| | | | | | | | | 可以考虑一下用COOLMOS,效率至少可以提高两个百分点,需要样品请联系韦生15814410367 |
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| | | | | | | 帅总,还要帮忙啊,现在老大说不能用 LOW VF的肖特基,郁闷呀!现在用强茂普通的SB360测试效率如下: 22# 1.8米
115V:81.727(1A) 81.983(0.75A) 82.363(0.5A) 82.363(0.25A)=82.109
230V: 81.909 81.76 81.395 80.193=81.314
效率还得提高2个点,为什么我的高压效率还低了呢?磁芯损耗大,频率太高了?现在高压的频率是93K.
变压器匝比:140:17:27 LP=1.3mH 结构:E1线绕-NP-NF-NS-E2线绕-NP, 这样还不知道辐射能不能过呀! |
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| | | | | | | | | | | 因为成本原因吗?就目前的IC方案,不用好的器件,再提高2%很难的,可能要牺牲传导和辐射。可以先试试把解EMC的招都去掉看能否满足。 |
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| | | | | | | | | | | | | 变压器没什么可以在改善的了吗?主要是把高压提高1个点,都可以 了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 他的意思应该是变压器副边的线径能否加粗点。原边圈数太多,粗了可能就绕不下。
你可以调下感量和匝比试试。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开关频率提升了,这是肯定的,VDS看起来好看多了
还有个问题,如果感量太大,按照公式P=0.5*L*I*I*F,这样的话那么输出功率不变的情况下,那么输入功率就会变大,这样会不会就是导致炸机的原因呢?
今天炸机的时候还拉弧,直接拉到桥堆那边去了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、你的公式是在DCM下的,如果L变大还是DCM的话且F不变,那I就会减小的。输出需要多少输入就给多少啊,(不考虑效率因数)不会导致炸机。
2、你说到拉弧,我想起另一种可能了:距离不够,尤其是高压走线部分,好好确认一下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我设计是在TM模式,现在是L变小,F变大。现在的情况是输入功率变小了。。。
拉弧会导致炸机吗?都是馒头波,想拉弧的话会非常困难啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 原边匝数是多了些,肖特基电压控制在60V以内,但是如果把匝比增大,高压时的频率会上升到100多K,F太高,损耗也大吧,而且辐射也不怎么好过。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 帅总,6W 5V1.2A用普通肖特基SB340可以做到6级吗? |
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| | | | | | | | | 之前的初级匝数太多了,变压器匝比:128:15:22 LP=1.3mH 结构:E1线绕-NP-NF-NS-E2铜箔-NP 效率:普通肖特基 230V:82.25% 115V:81.85% |
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| | | | | 人家原厂DEMO的,给你测试的,都是不带线材的。
实际要过6级,材料都需要比较好的,变压器要设计的很好。 |
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| | | | | | | 不好意思,你是做IC的,还是做电源的呢?什么品牌的IC?去Y可否上个原理图,谢谢。 |
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| | | | | | | | | | | | | 他这个不是原边的,次级稳压,适合做65W以下的小功率适配器。 |
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| | | | | | | EFD20比EPC19还要好点点,
我只能用到EPC17, |
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| | | | | | | | | 老兄 我的Y电容都省了哦,一个Y电容怎么着也要1毛多以上吧 |
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| | | | | | | | | | | 此案子基本已经结束,主要整改方案如下:
1.变压器匝比还是和之前一样,但是去掉了最下面的线绕屏蔽,132/15/27 L=1.4mH
结构 : NP-E1铜箔-NS-NF-NP 去掉了绕组的损耗,另VCC供电电压算低了些,之前都是按20V左右算的.
2.调整RCD吸收,提高轻载效率,小电容大电阻搭配.
3.驱动线路调整.
4.输入电感感量改小.
5.MOS管对几个品牌进行了对比,分别对:IPS 华晶 华微 三个品牌做了对比,IPS最差(一开始用这个),华晶稍差,华微的最好.所以此处效率也稍有提升.
6.肖特基由普通的的管子改用低VF的。
经过以上调整,现在的效率在83%左右 ,1.8M 22# 测试.
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| | | | | | | 现在都要求欧洲的CoC V5.0 Tier2了;
待机要求75mW,效率要求比美国的6级还高0.6%左右; |
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| | | | | 无锡新洁能(NCE)原厂,国内第一家量产COOLMOS的公司,有2A,4A,5A,8A,11A,15A,21A的600V---900V的COOLMOS,效率能提高几个百分点,有需要样品的联系我韦生手机(QQ)15814410367. |
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| | | | | | | | | | | 大哥 待机80nW以内,您说呢。肯定是没问题。我们还有更低待机的30mW以内的。数字IC 这块做的还是很到位的。跟您说实话吧 我们是跟IWT一个方向走的。 |
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