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| | | | | 你总是做那么些高档玩意。效率那么高?
漏感,你用1KHZ0.25测试一下看看是多少? |
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| | | | | 下次你测试的时候用220V测试一下,看看与230V差多少。 |
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| | | | | | | 到了130V以下,效率就慢慢低了,170V时效率最高,220-230没有变化。
你看VCS波形,IPK差不多大,证明效率平衡了,就是低压输入整流前面损耗大了,所以效率低一点。 |
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| | | | | | | | | 上次你说的,低压效率比高压还高些,也可以像你上次那样做,把高低压效率做成一样。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | 170V的时候是DCM还是CCM?如果是CCM的话,随着输入电压降低占空比增大,效率是降低的吗?我怎么做的是110V效率最高啊 |
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| | | | | | | | | | | 王哥说笑了,
定频IC ,不管是高压还是低压,开通次数一样多,
在高压的时候,开通的时间比较短,加在线初级线圈的电压时间也短。母线的电压较高电流相对 小,(桥与NTC的电流小,估功率较小)
在低压的时候,开通时间比较长,(开关的内阻通电时间长,),加在初级线圈电压时间也长,(暂不提IC内部补偿)。母线电压低电流大。在NTC与桥上的功耗较大。
也就是说低压不可能比高压的效率高,若是低压的效率比高压高,只能说没调 好,调 好的话,你的高压效率一定会超过低压效率。
先不说别的,一个电源在低压发热大还是高压发热大。发热大的损耗就多,要输出相同的功率,损耗多的自然就效率低了。其它都一样了可由IC控制等高低压效率均衡,但IC不可能控制桥发热的损耗吧。
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| | | | | | | | | | | | | CCM模式下,其实会出现低压时效率高的情况,而且是输入电压越低越明显。
因为磁芯损耗BAC=V*TON,另外,开关损耗也会大幅度降低。
之所以绝大多数产品的是高压时效率较高,可能主要还是成本的原因,大家碰到的机会不多。
如果想要低压效率超过高压端的效率,可以用下面的几个方法实现:
1、漏感不能大,LS中存储的能量与电流的大小有关;
换句话说,低压输入时,LS存储的能量要大于高压输入;
2、MOS的导通阻抗必须足够小,这个很容易理解,也容易实现;
例如,FQP8N60,阻抗1.2R,我们用到了60W的产品上;
但是有些30-40W应用的集成控制器,DIP8封装,阻抗只有不到0.5R;
3、次级的有效电流必须足够“合理”,或者输出二极管的余量足够大(包括采用超低VF二极管);
4、磁芯不能极限应用; |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我解剖过好多大公司的适配器(台达、光宝、高效、群光、伟创力等等),大部分65W以内小功率的都是CCM,19V的机45W、65W,效率都是89-91%的样子,高低压效率差不多。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | DCM CCM 在同等功率的情况下,很有可能DCM的峰值电流大呢。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 现在我这有个200W的电源,高你压都是CCM,高压88的样子,低压只有85点几了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 全电压都ccm 那肯定是低压的峰值电流大,再加上低压的输入损耗过大,肯定效率低一点。 |
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为什么有的又讲DCM的峰值电流大,给搞糊涂了。
你都肯定效率低了,为什么还有人回帖说低压的效率比高压高?通道回帖子之前都不看贴的吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 高压DCM 低压CCM 你说一定就是低压的CCM峰值电流大吗?不一定,有可能是高压的DCM峰值电流大的。 |
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| | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | 如果是同一个模块,不考虑效率什么的变化,一定是DCM电流峰值小于CCM电流峰值。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 讲清条件,不然没比法.
同一功率,不同输入,同一输出以维持同一功率,同一变压器,
DCM峰值显然比CCM峰值低.
如果你这里变,那里变,比个啥? |
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| | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 先列举条件,然后我们再来说谁反了。
1、同一个电源模块,也就是变压器是唯一的了。
2、同样的工作频率,也就是定频的了。
3、同样的输出负载也就是输出功率是唯一的了。
4、高端输入跟低端输入同样的效率。
5、高端工作在DCM,降低输入电压,模块工作进入CCM
那么,我可以证明高端工作在DCM的原边电流峰值低于低端CCM的原边电流峰值。你再确认一下,是我反了吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | 我当然确定我没反 ,我的让程工承认我没反。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个应该理解错误了。
他的意思是DCM、CCM模式计算,你的意思是产品本身工作在DCM、CCM模式;
刚看到时,我捉急啊!王工,怎么能犯这么低级的错误啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以我先列举条件啊,既然讨论问题,那就需要确定先决条件,如果他的意思不是50楼我描述的那样,那是我理解错了,呵呵。
但是,你看他26楼的回复,是针对我的问题来回答的,而我的问题就是一个测试的一个模块的效率啊,因此从26楼开始看下来,我认为他的意思就是说我50楼的意思是反了的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 王总,我26楼没有说错呀,因为效率问题,所以DCM的IPK大于CCM
有可能这个时候的变压器、开关管的温升比低压高呢! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样肯定是对的,因为效率不变。
可是,实际是效率在变,DCM 的IPK会大于CCM。
因为前面我们没有说出固定条件,我说的是实际测试。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 同等功率输出。同等电压输入,DCM比CCM大。因为占空没有大于0.5,还有死区。开通的时间短了,输出入不变,时间变短,那吸入的电流就要大一些。 |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | 我做的这个电源,测试到的都是低压效率高,各种情况测量了不下10次了 |
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| | | | | 请问楼主,MOSFET的开通和关断的电流尖峰是恩么产生的呢?怎么消除呢?
我看你的尖峰就很小,请问是怎么实现的呢? |
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| | | | | | | 主要是注意变压器设计合理,劲量每层排好,把漏感减小,还要靠超低结MOS的超低结电容,这样VDS峰值就可以做到很小。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这颗料确实是牛,要2块多一颗,可以PK同步整流的效率,所以,如果是考虑同步整流,输出电流不大的情况下,可以用这颗料来提升效率,减低温升问题。 |
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| | | | | 我刚才核算了一次,除非是“遵循行业中的某些游戏规则”,不然是不能那样子的。 |
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| | | | | | | 不太明白你的意思,还请指明,谢谢!
这个是我们要主推的新产品概念,高效率,低热量。 |
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| | | | | | | | | 90VAC输入,90W输出,HVDCMIN低于70VDC,与105V差距颇大。 |
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| | | | | | | | | | | | | 不管怎样算,还是挺支持的,毕竟不可能真的搞个200UF以上的大电容上去。 |
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| | | | | | | 骨架2毛多钱,PC44磁芯1.6元,铜线线1.2元,加工费6毛钱,工厂损耗4毛钱,成本价:4块钱的样子,出厂价5块多钱,当然是认证级别产品,普通的就4块多钱。 |
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| | | | | 做的确实不错,但有个疑问,为什么阁下换主控芯片那么频繁?是为了迎合市场需求?
我只能说我所见到的工程师(或者是我孤陋寡闻),基本上没有那么频繁换使用芯片的,或者说现在的IC真的那么通俗易懂? |
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| | | | | | | 肯定要了解市场,随着市场的发展而改进,性能,性价比综合考虑。 |
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| | | | | 经计算,TC=3.38ms!
楼主BCM怎么引入作为计算参数的,思路是怎么样的?方程改怎么写,方便透漏吗? |
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