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 |  | | | | 假设：初次级匝数不变，绕线方式不变，仅改变气息长度。。。
A问：变压器漏感与气隙大小有什么关系？
B答：。。。（错的比较明显）
C答：。。。（前半句错了，后半句对了）
D答：随着气息的增大，漏感的大小变化比较让人纠结，既不是正相关关系，也不是负相关关系；但是，漏感占原边感量的比重增大是肯定的。
设：
初级电感量L1 （随air gap增大而减小，减函数）
励磁电感：Lm （随air gap增大而减小，减函数）
则初级漏感：Llk=L1 - Lm （随air gap增大，Llk不确定）
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|  | | | | 个人经验认为：
气隙越大，漏感电感量越大。
但是相对漏感量（漏感占原边感量的比重），这个没有具体测试过。不过感觉应该是变小。
还请大师指点迷津！ |
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| | | | | | | | | 草兄，这个数据有以下几点不清：
1、实验变压器的结构以及绕组结构？
2、他们测这漏感时用的频率？
3、原边回路电阻和副边回路电阻？
4、L11不是gap在10mm的时候最小，8mm时最小，有解释？ |
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| | | | | |  | | | | | | | | | | | 应该是没有严格数学解析式了。
可以从磁通和漏感储能的角度去理解。 |
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| | | | | | | | | 做实验很费时间，这点值得肯定。
我想LZ提问的初衷应该是，在一个很小的gap范围内（比如0.3mm到0.4mm），我选择任何一个感量（比如500uH到800uH），都可以做成一个单端反激电源。但是呢？我希望在这样的一个范围内，取得一个漏感最小的gap. |
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| | | | | | | | | | | LLC也是很常见的拓扑，air gap开个几毫米，也是件正常的事 |
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| | | | | | | | | | | | | 有外置谐振电感的，气隙不会特别设计，满足感量为主。
对于利用漏感作为谐振电感的，一般会加挡墙或者分槽结构，故意拉大原副边的距离来增大漏感。 |
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| | | | | | | | | 我们讲的通常是原副两线组的相对位置不变的（无论是不是分槽），你这个例子嘛，随着气隙改变，两线组的相对位置是变的，所以并不 Typical 。 |
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| | | | | | | | | | | | | Contactless Transformer，应该是每个E上绕一个线圈，当两个E距离分开时，线圈也跟着的，
但细看实验图片，好像两个线圈是固定的，只有EE是movable的。
我原先的Comment就 。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 不管在中心柱还是两边加气隙，增加气隙就是增加磁路长度。
而且改变气隙的位置、大小也会引起截面积AE的改变，这会导致分析复杂化。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 更确切的说，应该是增加气隙，但不要使core的窗口高度增加，使磁路L和AE的变化尽量小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 再看他的实验数据，估计是两组线圈不动，一个E不动，另一个E动，
这样才可能有不同的Lk11和Lk22。(也就是说，如果线圈和磁芯是对称地移动，两个漏感数值应该是一样或很接近的)。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有道理，这样的话，并不是单纯增加气隙了，还增加了窗口高度。这从漏感能量计算公式可以看出会使漏感能量减小，一样的I，即漏感减小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感觉挖了个坑哈，从图片看，EE core 既不属于原边也不属于副边，它与原副边都有进行绝缘处理，应该是属于floating 结构。
不知道greendot 老师看法如何？
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看似文章里的变压器是如图所示，线圈P和S是固定不动的，EE磁芯一半不动，另一半可动，来调节气隙，
改个问法：根据实验数据，移动的是E1，还是E2 ？
其实这问题没什么意义，不要理会了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个问题对理解磁路应该很有帮助，greendot老师讲解一下哈~ |
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| | | | | | | | | 怎么 的出的结论和我想象中是反的呢?以为气隙越大,漏感占总电感的比例越大呢 |
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| | | | | | | | | | | 这个不一定，也有情况是气隙加大，漏感减小，漏感占总电感的比例减小。 |
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| | | | | 最好是用实例，在相同的输入输出条件下，去综合研究气隙与漏感的影响。
如分别用EER、EE、EF、EFD、PQ、RM磁芯来设计相同的一个产品（假设30W），最后得出哪一个效果最好。
一直想做这样的对比试验，可惜没有条件。 |
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| | | | | LZ的前提是不是其他条件不变化。
即绕制好的线包组到一铁芯上，然后再改变气隙的大小，测量感量和漏感。
如果是这样的话，应该做30pcs，统计以上数据，得出结果。
拓展一下，换用不同类型的铁芯实验再得出数据，才比较符合工程经验。 |
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| | | | | | | 是的，前提条件就是绕制好的线包组到一铁芯上，然后再改变气隙的大小，看漏感的变化。 |
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| | | | | | | | | [size=14.399999618530273px]是相同的感量不同的气隙大小下漏感的变化吗? |
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| | | | | | | | | | | 不是相同的感量，绕组线包已经固定了，所以增大气隙，感量会降低。 |
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| | | | | | | | | 从测试方案上，我觉得可行，但测出来的结论不具有普遍性。
只是变压器的结构和绕组结构非常多，不可能所有的都测一遍，最终还是要学会分析的方法。 |
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| | | | | | | 继续22楼的内容：
说到测试漏感，不得不提到另一个重要参数---测试频率。
一般LCR表有100Hz、120Hz、1K、10K、100K这几档频率，差一点可能最高就到10K，也有高级的可以自由设置频率。
大家一个共识应该是尽量在开关频率测试，但一些可能设备所限或者存在谐振也会测不准，无法在开关频率测试。
看到一些规格书，变压器的感量和漏感测试频率为1K或者10K，在我看来都不是很合理。 |
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| | | | | | | | | 下面为一组在不同频率下的漏感实测数据。
100Hz 120Hz 1K 10K 100K
3.081m 2.861m 1.167m 29.85u 7.799u
可见不同频率对漏感的测试值影响有多大！
为什么会有这么大的差异？原因以及解决办法是什么？我们要清楚漏感到底测的是什么。
测试漏感时,不能忽略原边和副边的回路阻抗。副边阻抗折算到原边的总阻抗和漏感是串联关系,阻抗是实部,漏感是虚部（Z=R+jwLk）。在低频时由于虚部太小,Z值主要反映的是阻抗；随着频率增加虚部在线性增加，最终达到感抗远大于阻抗的时候,才算是漏感值，此时测出的才比较准确。
也就是说当频率高到线路阻抗可以忽略的时候再测试漏感才是合理的。
这里大家可以去做个小实验：测漏感的时候故意在原边或者副边串入电阻，比如200mhom，然后从低频到高频测一遍，看看会有什么发现。 |
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| | | | | | | | | | | 我来给一组数据：可以看出确实不能忽略回路阻抗。
ETD29, N87, 0.7mm gap, measured as Ls, Rs
| | 1k | 5k | 10k | 50k | 100k | 200k | Unit | | Lp | 5.6255 | 5.6015 | 5.6013 | 5.6141 | 5.713 | 6.0182 | mH | | 9.074 | 9.1843 | 9.5579 | 17.925 | 41.303 | 88.87 | Ω | | |
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| | | Laux | 21.676 | 24.411 | 24.574 | 24.677 | 24.799 | 25.498 | uH | | 733.32 | 718.88 | 719.86 | 766.36 | 869.65 | 1198.3 | mΩ | | |
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| | | Ls | 10.504 | 22.26 | 13.528 | 13.614 | 13.699 | 14.126 | uH | | -0.974 | -17.097 | -17.159 | 0.607 | 37.602 | 136.24 | mΩ | | |
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| | | Lleak (short wire) | 653.96 | 109.94 | 100.23 | 91.744 | 86.636 | 81.449 | uH | | 21.323 | 17.338 | 17.468 | 19.975 | 23.751 | 29.214 | Ω | | |
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| | | Lleak (50cm wire) | 1222.1 | 367.22 | 332.81 | 264.16 | 216.92 | 189.59 | uH | | 21.55 | 24.308 | 25.626 | 47.251 | 65.986 | 81.666 | Ω | | |
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| | | Kshort | 88.4% | 98.0% | 98.2% | 98.4% | 98.5% | 98.6% | % | | |
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| | | Klong | 78.3% | 93.4% | 94.1% | 95.3% | 96.2% | 96.8% | % |
另外一组数据，为同变压器，除了g=0.5mm, 测量频率100k
Lp 7.104mH
Laux 29.0uH
Ls 16.0uH
Lleak 97.2uH
K=98.65% |
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| | | | | | | | | | | | | 还有我的一个变压器漏感数据
测试频率 电压 Lk（直接短二次侧量一次侧）
10k 1V 9.33u
20k 1V 8.735u
30k 1V 8.61u
40k 1V 8.5u
50k 1V 8.49u
60k 1V 8.46u
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| | | | | | | | | | | | | 测到的值没这么简单的，测到的L与复阻抗、θ角、频率均有关，仪器内部计算出来的。 |
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| | | | | | | | | | | 嗯
但我想问的是测试仪LCR，在测L时有两种模式，一种是串联，一种是并联？
二者有何区别？
谢谢！ |
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| | | | | | | | | 为什么不同的频率，测到的电感不一样？
按照L=nn/Rm，没有频率的因子。
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| | | | | | | | | | | | | 用阻抗矢量三角形可形象说明这个问题吧，
就是不考虑串联电阻（可忽略的程度），电感也和频率有关系，记得greendot大师和cmg以前为这个事情讨论过，cmg说磁导率和频率有关系。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那娃分析的到位，工厂里我都让用100k测的。回到气隙漏感的话题，我测了几个，ep,etd,fed,rm,材料从n87,n97,3c96, 3c92, 基本上气隙稍微大的那个漏感会大一点点，比例也会大一点点，能否成为参考？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 气隙加大，有些情况漏感是会加大。
不知道你的绕组结构是？以及如何增大气隙的？ |
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| | | | | 对于一般结构的变压器，漏感的能量储存在绕组之间的空隙中，所以漏感跟气隙关系不大。
不信可以试验一下，短路次级绕组，测初级漏感，频率30K以上，加磁芯和不加磁芯看漏感的差距，这个已经是气隙的极限了。 |
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| | | | | | | 觉得只能说：漏感的能量部分储存在绕组之间的空隙中，这个部分的比重很多时是较大的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 嗯，不过实验的时候注意以下几点：
1、要保证磁阻R1=R3，如何保证？（最好做个治具固定，两core的相对位置）
2、增大某个气隙，需要磨气隙，而要避免错误做法：垫气隙或者两个core远离；
3、上面说的漏感是指原边对副边的漏感，而不是LCR表上显示的那个值，要通过计算得出。
其实要验证我上面的说法，最好的方式是采用ansoft电磁场仿真，可以很容易看出磁场分布。 |
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| | | | | | | | | | | “2、增加气隙2，R1=R3还是成立，Φ1=Φ2，即耦合到Ns的磁通不变，漏感不变”
这个好像不太对，气隙2增大后，从主绕组上面到下面横条的漏磁通增加，虽然两边的分量没变，但主磁通减小，所以漏感增加。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个前面有说明的，前提是忽略漏到窗口的那小部分磁通，因为大部分磁通是从磁芯内部走。比如气隙从1mm增加到2mm，可以忽略。
极端情况是中柱都被你磨平了，此时漏到窗口的磁通就不能忽略，漏的就多了。
但也不能叫主磁通减少，主磁通与伏秒积相关。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 气隙小时可以忽略漏到窗口的磁通，大了忽略就不可以了。另外主磁通的意思是指在磁芯的磁通，不是总磁通，这个当然你明白。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 漏感应该是基本不变的，跟每个磁柱的磁通（你好像特意强调这一点）没有关系。泄露到窗口的磁通本身就是漏感的一部分，你加大/减小气隙还是泄露。你可以实测一下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个牵扯到漏感的定义，你说的是没错，但那不叫漏感，因为是磁集成变压器，也就是不是普通变压器，在磁集成里叫短路一个绕组时另一个绕组的电感，跟漏感是两个概念。漏感是指绕组通过空气闭合的磁通。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、开路、短路与图形对应不上呢。（笔误）
2、 资料里L1s和L2s，看等式右边也是Lk1与Lk2的折算（包括Lm），这与22楼里给出的测试漏感的等式没有本质区别。其实70楼里说的漏感，是指Lk1或者LK2，这是真正的漏感。增大气隙对Lk1或Lk2的大小存在影响。
不管是L1s、L2s、Lk1还是Lk2，在复杂磁路里，变气隙都会使它们发生变化啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1. 这个是完全对应的，没有错误，也没有笔误，那个图是磁阻电路，在磁阻电路里，绕组短路即对应磁势开路，反之亦然。磁阻电路要通过对偶原理才变成电路：回路变节点，磁阻变电感，磁势变电势等
2. 同样Lk1, Lk2是指绕组通过空气的磁通，基本不变的，与通过短路另外绕组测试的不是一回事。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样说会比较好理解，我们把磁路类比电路，磁势类比电动势，磁阻类比电阻，磁通量类比电流。要把磁势开路，那么就是要让磁通量变为零（类比电路中电流变为零），磁通量变为零那么就是要流过线圈的电流为零，那么只能把线圈两端短路掉了！亦即磁势开路就要把线圈短路，反之亦然！（自己有疑问所以找了这个帖子看，估计以后也会有人翻看这个帖子，所以发表自己的愚见以便让这个帖子有更多注释） 本帖最后由 SEA_RONG 于 2016-6-28 23:59 编辑
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | “在磁阻电路里，绕组短路即对应磁势开路，反之亦然”
请问这话怎么理解他的 物理意义？ 绕组短路了，磁势开路F= He*le=N*I=Φ*R直接“不存在”，所以磁阻图上 断开？ 或者说 绕组短路了 则包围这个绕组的 He*le 对应的Φ直接为0？ 那又如何理解这个绕组上的 漏磁，或者说 漏感呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 至于你的图，这也是个复杂磁路，你可以把绕组放到气隙那里再测了一下。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ok ，下周去测试一下。
如何界定是复杂磁路还是简单磁路？那种原副边都在中柱的EE或者RM core算简单磁路？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1. UU例子，把气隙加大，Lk1和Lk2是基本不变的，因为空气里的Φ没变，变的只是磁芯里的励磁磁通。
2. EI例子，R1和R3没有气隙，也不会等于0，只是数值很小而已，
假设有或者没有气隙，R1都等于R3，那么有 Lk1= Np2/(R1+2*R2)，
如果没有气隙时，R1变小，根据上式，可见Lk1反而是增大了的。
P.S. 102楼的Lk1式子，经复检，应该是没问题的。 |
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| | | | | 楼主 你好
不带二次稳压的多路输出电源 原边反馈（PSR） 某一路比如说满载纹波1V 会因为另外几路带载 增加这一路的纹波值吗？
我感觉不会啊 但是今天碰到了……
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的确 这是磁集成机构的变压器，用这个例子只是因为它很典型，可以说明漏感与气隙的3种关系。
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