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|  |  | | | | | 1）根据Bm=秒伏数/截面积*匝数来看，饱和磁通密度和秒伏数正比关系，所以是小于
2）上面的表格已经明确了原边的匝数，和原边的秒伏数，所以计算依据肯定是原边，但实际上用二次侧也是没问题，因为秒伏数/匝数是一样的，然后从PDF上看，截面积ae=1.5mm²，原边44圈，可以计算出Bm=18.3/(1.5*44)≈0.27mT，（在安全范围内）；考虑到高频（fs high）时损耗相对较大，为了温升在安全范围，所以应用秒伏数需要将额（比如降到11）
3）匝数的计算和拓扑有关（基于正激或者反激）
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| | | | | | | | | 若是按您说的是小于的话 那就有一个问题啦
为什么匝数要弄这么多呢
44匝保证了不饱和
那10匝更不饱和呀，为什么匝数不选少一些呢
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| | | | | | | | | | | | | 你好
按照公式Bm=VT*n/Ae
磁通密度正比于匝数
我是这样理解的
那么datasheet上跟据伏秒数，把降额后的饱和磁通密度带进去，算出来的匝数是44
我的意思是，为什么要选这么多的匝数呢，这个44更接受极限值呀，为什么不选20或者10呢
最极端的情况匝数是0，永远不可能饱和
谢谢你哈
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| | | | |  |  | | | | | | | | | 好吧，看来是我的错，忘了在分母加上括号：根据Bm=秒伏数/（截面积*匝数）
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| | | | | | | | | | | | | | | 你的公式错啦：是Bm=U*Ton/(N*Ae)...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 伏秒积等于磁芯饱和磁通密度、匝数和磁芯截面积的乘积和你的公式一样的呀
没错呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | Bm与N（初级圈数）是反比关系！设计时，要保证磁芯不饱和（即Bm适当取小些0.2-0.25左右），在别的参数一定时，当然是初级圈数越多，磁芯越不容易饱和呀。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您说的和开关电源设计（第三版）上的公式是一致的
dB和N是成反比的，那么意思就是N越多dB越小，这从思想上怎么来认识呢，假设取一个极端的值，N=0，那么相当于说磁芯直接饱和？
这个公式中没有电流，磁通密度应该是和电流有关的呀
另外还有一个公式
B=μH=μNI/l
按这个公式B是和N成正比的，和I也是成正比的，但是和上面的公式结论却相反
请问如何理解这两个公式呢？
非常感谢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的假设不成立，N=0，说明导线根本没有通过磁芯，还何谈磁芯饱和的问题？
关于Bm和电流的关系，L*Imax=U*Ton=N*Bm*Ae 这样是否可以看到它们之间的联系？？
你说的这个公式：B=μH=μNI/l
你最好先搞清楚这个是用在什么地方的...以及那个N代表的意思...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我查了一下赵修科老师的《开关电源中的磁性元件》
和您的观点对照了一下
反而更混乱了
能麻烦您解释一下吗？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 磁通密度：单位面积上的磁通量 磁场强度：在磁场中每一点都具有大小和方向，因此可以用向量H表示该点磁场的大小，方向与磁力线方向一致。 两个B的定义是不一样的，你非要揉到一块去，不是找罪受嘛...
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 两个B的定义怎么不一样呢
都是磁通密度
另外
L*Imax=U*Ton=N*Bm*Ae
L=AL*N^2
这样得到Bm = (AL * N * Imax)/Ae
B和NI成正比呀
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Bm=U*Ton/(N*Ae)
Bm = (AL * N * Imax)/Ae
在你将这两个式子中的Bm与N的关系进行对比时，请你考虑一下别的参数的感受好不？？？
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