推挽驱动芯片总烧是怎么回事？

刚才把snubber电路完全去掉，空载可以不烧驱动，稍微带点载立刻又烧

建议换成IR4427或将Vcc降到12V试试。

买了IR4427，没用，照样烧

VDD与GND之间有去耦电容CVDD吗？

接了个47UF的电解，没用，照样烧

再并联一只104高频电容。电解对高频干扰不起作用的。

我之前就是并联的一个10UF的电解和一个100NF的贴片电容

是不是买到假货了，这类片子很耐搞的

申请的样片

你在供电和驱动上并稳压管试试，看烧不烧

供电采用的是直流稳压电源，好几万块钱，这个不会出问题。
12V的供电，MOS管的Vgs和推挽驱动的供电都是20V以上，我觉得这也不是问题所在

到现在为止，总结一下我调试和修改过的项：1、将驱动芯片由2EDN7524F换成了IR4427S；
2、以前电源和地之间并联的一个10UF电解和一个100NF贴片，换成了47UF电解，100NF不变；
3、RCD吸收电路全部去除；
4、死区时间分别试过了500ns,1us和2us，死区时间够大了，因为我的推挽频率是60kHz(周期16.67us)；
5、在10欧的驱动电阻上反向并联了1N4148；
6、在MOS管的gs之间并联了10k电阻；
7、MOSFET由IRFB7430换成了IRF3710.
至今烧了快10个驱动了，MOSFET一个也没烧过。
驱动前面接的高速光耦，光耦一点事没有。驱动烧掉的表现是：Vgs波形不正常，大概25ms就有一个窄脉冲！并且恒压电源的输出电流异常的高，1.5A以上，MOS管发热（不算烫）。推挽变压器嘎吱嘎吱响声。
晚上上Vgs的波形图。

现在上Vgs的波形
宏观：



微观：

两个驱动波形怎么是同相的？

是的，我也纳闷儿，驱动波形是互补百分之五十带死区

这可是个大问题

波形确实奇怪，没遇到过类似问题

下面这个是完整的前级的电路图：

其中U1就是一个双路高速光耦；
U2是推挽驱动。
蓄电池输出分别是VIN和FGND，VIN为12V，试验阶段用直流恒压源产生。
光耦前级用DSP控制，EPWM2A和EPWM2B为互补60kHz带死区50%占空比方波。
可能不是推挽驱动的问题，刚才测试的实验现象是这样的：
1、推挽驱动拆掉，测光耦输出正常；
2、焊上推挽驱动，光耦前级、光耦后级、推挽波形全部拉变形。变形成了刚才我发的Vgs那种波形。

我分析了一下，有可能是推挽变压器偏磁了，初级线圈成为一根导线，导致VIN电压跌落。
而U1和U2都是VIN供电的，VIN一跌落，导致U1和U2工作不正常。
从而导致应该工作在导通区的MOS管，工作在线性区甚至关断区。
而工作在关断区的MOS管，切断了短路的回路，跌落的VIN恢复正常，从而U1、U2又恢复正常。
偏磁->短路->VIN跌落->芯片工作失常->MOS关断->不短路->VIN恢复正常->芯片工作正常->偏磁
周而复始，Vgs的波形就开始了不规则的震荡。
那么解决这个问题的方法就是解决偏磁。
那么问题来了，如何解决偏磁？

常规方法，加防磁偏电容，网上搜得到。

嗯，防磁偏我知道有三种方法。分别是串联电容、加气隙和用电流的控制方法。前两种方法对电路的改动较少且易实现。那么请问您对于加电容方案，加什么材质、多大容量的电容？加在什么位置？
对于磨气隙方案，应该磨多大的气隙？气隙大了漏感大，气隙小了不能防止偏磁。

做个标记，看看楼主有没有解决

仍然没有解决，各位大神们提出的解决方案我都试了，什么用都没有

波形上看；还是地线搅扰了；导致输入信号自激。建议理下地线单点连接。

地线我还特别注意了，就是星型单点接地。
我觉得不是接地问题，这个波形不是正确的，我的驱动波形是50%占空比的方波，但是到Vgs成了窄脉冲了而且不互补

今天上午又试了试，我直接把变压器拆了，只留下了光耦、推挽驱动芯片和两个MOS管。上电以后连光耦带推挽芯片都冒烟了。也就是说推挽电路不加变压器，推挽芯片会烧，这种现象正常吗？

你试一下  带电阻 看看  看驱动MOS管的波形正常不

我什么都不带都烧，就甭提带电阻了...我觉得不是带什么的问题。
按理来说后面甭管多乱的波形只会影响ds之间，跟驱动波形Vgs有什么关系呢

没说清楚   我的意思是说  你把那变压器的两节 替换为电阻  大一点的   不可能烧的。
就是像我下图红色圈住的那样 测试一下  驱动正常不， 红色圈住的地方  改电阻  先测试一下 。
保证驱动电路没有问题先

你不会是把2个使能端悬空了吧MOS不死芯片死，如果是带载死那有可能是布线不好被电压尖峰干掉的（除了vcc，其他端口窜入也是会死的），但是把变压器拿掉也是照样死那就很诡异了。

对于2EDN752x这个推挽芯片来讲，使能端是可以悬空的，因为芯片内部有上拉电阻，如图所示：

况且我还怕是这个芯片问题，重新换了个芯片：IR4427，跟那个芯片类似，无使能端，如图所示：


关键问题是这俩芯片都烧啊！

驱动芯片输出被短路了,可以把芯片拆了,万用表测量一下MOS的GS之间的电阻.

建议你先测试一下芯片的失效模式。

先讨论一个问题：假设真是推挽变压器偏磁造成的磁饱和。
那么在现在的电路上上我只能做到：
1、加入串联电容；
2、变压器加入气隙。

第一种情况，串联电容我认为应该加两个，分别串在两个MOS管的漏极和变压器磁芯之间。
假设VIN=12V。
那么我的问题来了，不串电容时，上管把变压器线圈驱动至：0V至12V方波；下管把变压器线圈驱动至0V至负12V方波，组合起来就是±12V。
如果加上电容，隔直通交，那么把直流分量去掉了，上管驱动波形不就成了±6V，下管同理也成了±6V。那不就不对了？

第二种情况，加气隙，我认为并不能减小偏磁，因为变压器的安秒积又不会改变。
只是靠增加磁阻减小磁滞回线的斜率，从而使变压器流过更大电流时不饱和。
但是偏磁终究是累加的，经过一段时间以后，终究会达到饱和，只是需要的时间比不加气隙更长而已，从根本上能解决偏磁问题吗？

关于磁饱和，我分享一些资料，虽然短小，但是精悍。（1）正、负电压对称、无直流分量的变压器，其磁路不需要气隙。

（2）转换器中，初级与隔离电容串联的变压器磁路中不需要气隙。
（3）反激式转换器的变压器初级绕组电流是储能电流，全部是励磁电流。为了不使磁通饱和，磁路中应加入适当气隙。如果忽略磁心材料所需的励磁安匝数，则可以用式（6－51）计算沿磁力线长度上气隙的总长度lb(mm)，即气隙中垫纸的总厚度为：

式中
Ipm——次级绕组电流幅值；
Bm——最大磁通密度（T）：初、次级绕组磁动势连续时，Bm＞Bw（磁通波形与初级绕组电流相似）；初、次级绕组磁动势不连续（或临界）时，Bm＝Bw（有气隙时，剩磁可以忽略）。
当磁力线穿过两处气隙时，可以取每处气隙垫纸（非磁性材料）厚度为0.5*lb。
（4）正激式转换器通常无反向磁动势（初级有有源钳位例外），为了减少剩磁，可以加小的气隙。
（5）对于推挽式转换器，为了防止两个开关管的电流不平衡时产生过大的直流偏磁，应加适当的气隙。当采用电流型控制时，电流的不平衡可以得到限制。
以上两种情况，在设置气隙后，如果允许将励磁电流的值增大为初级绕组电流幅值Ipm的20%~30%，则可以用式（6－52）计算气隙的总长度lb（mm）

原来你是来秀肌肉的？

不是的，李工，是设计真出问题了，卡住了

卡住了之后就上网找了很多资料，觉得有用的就贴过来

建议你先测试一下芯片的失效模式。哪个PIN烧了？

问题基本上是找到了，但不知如何解决，如下：
逆变器的控制器采用DSP，TMS320F28027，控制器需要隔离供电，所以我就搭建了12V转5V再转3.3V的隔离辅助电源。
辅助电源的原理图如下：


那么实验现象如下：
1、采用上图的辅助电源给DSP供电，驱动波形不正常，时而烧推挽芯片；
2、采用外接适配器给DSP供电，一切正常，没有任何毛病。

那么我猜想，是不是由于辅助电源和推挽供电用的都是VIN，即12V的蓄电池输出，导致互相干扰？

我后来在输入端并了一个470uF的电解电容，在空载的时候没问题，前级电流稍微升高之后还是出现工作不正常、烧驱动芯片的现象。
然后我又并联了一个470uF的电容，总共940uF，这回可好，空载就不工作烧芯片。
所以问题的所在应该不是加不加输入电容。

大家做逆变器的时候，控制器的隔离供电是用什么实现的呢？

3.3V的地和驱动的地的分布情况？

整个系统有3组电源和地，分别是：
1、控制电源3V3 和 控制地GND；（用于DSP、运放）
2、前级电源VIN 和 前级地FGND；（来自蓄电池，用于前级光耦输出级供电、推挽驱动芯片、推挽变压器的输入）
3、后级电源R12V 和 后级地RGND；（用于后级全桥驱动芯片供电）

其中
控制组 与 前级组光耦隔离；
控制组 与 后级组光耦隔离；
前级组 和 后级组通过推挽变压器隔离。

如果您说的是在板子上的分布情况，如下：FGND：




GND：


RGND：

1. U1的EPWM2A和EPWM2B信号来自于哪个元件？U1的地和这个元件的地之间的距离远吗？远的话，不妨直接拉一根线过去。
2. U1和U2之间的PWM信号线，由于U2高阻，易受干扰，不妨在两个连接线之间各串联一只不大于100欧姆的小电阻，且在U2端对地各接一只不小于10k的电阻。

从波形看；烧的原因是输入端有高频信号。过高的驱动频率导致大的驱动电流，最后因电流发热而坏IC。
建议查一下波形前端的高频信号来源；频率多高；幅值多大。

高频信号来源只能是我的推挽驱动信号，之前是60kHz，现在改成40kHz，降低频率后无效

不过仔细一想，您说的在理，给DSP供电采用TOP224搭建的隔离反激电路，从12V降到5V，而TOP224的工作频率就是100kHz左右。
即使是100kHz也不算高呀

建议测下波形。一切以波形为依据。

还没等测波形，就烧了

？用正常或单次触发就可以抓到波形。

你好，MOS管没有拆掉试下吗

问题怎样啊？   每次都是这种，看到后面也不知怎么解决的。。

烧了以后，是VDD和地短路了，还是OUT引脚和地短路了

如果是OUT引脚和地短路了，是什么原因造成的？

版主的驱动半桥上下管是用一组电源？

这个问题最后解决了吗，是什么原因导致的，我也是同样的问题，目前没解决

这个问题最后解决了吗，是什么原因导致的，我也是驱动烧坏，没找到原因

好几年没做这个了，我回忆了一下，当时应该是没加软启动，导致上电瞬间直接把DSP的电压拉低了，从而DSP没有正常工作，产生的波形不正确。后来加了软启动程序，就解决了