| | | | | 刚才把snubber电路完全去掉,空载可以不烧驱动,稍微带点载立刻又烧
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| | xkw1cn- 积分:131377
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积分:131377 版主 | | | |
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| | | | | | | | | 再并联一只104高频电容。电解对高频干扰不起作用的。
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| | | | | | | | | | | 我之前就是并联的一个10UF的电解和一个100NF的贴片电容 |
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| | | | | | | | | | | 供电采用的是直流稳压电源,好几万块钱,这个不会出问题。
12V的供电,MOS管的Vgs和推挽驱动的供电都是20V以上,我觉得这也不是问题所在
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| | | | | 到现在为止,总结一下我调试和修改过的项:1、将驱动芯片由2EDN7524F换成了IR4427S;
2、以前电源和地之间并联的一个10UF电解和一个100NF贴片,换成了47UF电解,100NF不变;
3、RCD吸收电路全部去除;
4、死区时间分别试过了500ns,1us和2us,死区时间够大了,因为我的推挽频率是60kHz(周期16.67us);
5、在10欧的驱动电阻上反向并联了1N4148;
6、在MOS管的gs之间并联了10k电阻;
7、MOSFET由IRFB7430换成了IRF3710.
至今烧了快10个驱动了,MOSFET一个也没烧过。
驱动前面接的高速光耦,光耦一点事没有。驱动烧掉的表现是:Vgs波形不正常,大概25ms就有一个窄脉冲!并且恒压电源的输出电流异常的高,1.5A以上,MOS管发热(不算烫)。推挽变压器嘎吱嘎吱响声。
晚上上Vgs的波形图。
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| | | | | 下面这个是完整的前级的电路图:
其中U1就是一个双路高速光耦;
U2是推挽驱动。
蓄电池输出分别是VIN和FGND,VIN为12V,试验阶段用直流恒压源产生。
光耦前级用DSP控制,EPWM2A和EPWM2B为互补60kHz带死区50%占空比方波。
可能不是推挽驱动的问题,刚才测试的实验现象是这样的:
1、推挽驱动拆掉,测光耦输出正常;
2、焊上推挽驱动,光耦前级、光耦后级、推挽波形全部拉变形。变形成了刚才我发的Vgs那种波形。
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| | | | | | | 我分析了一下,有可能是推挽变压器偏磁了,初级线圈成为一根导线,导致VIN电压跌落。
而U1和U2都是VIN供电的,VIN一跌落,导致U1和U2工作不正常。
从而导致应该工作在导通区的MOS管,工作在线性区甚至关断区。
而工作在关断区的MOS管,切断了短路的回路,跌落的VIN恢复正常,从而U1、U2又恢复正常。
偏磁->短路->VIN跌落->芯片工作失常->MOS关断->不短路->VIN恢复正常->芯片工作正常->偏磁
周而复始,Vgs的波形就开始了不规则的震荡。
那么解决这个问题的方法就是解决偏磁。
那么问题来了,如何解决偏磁?
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| | | | | | | | | | | 嗯,防磁偏我知道有三种方法。分别是串联电容、加气隙和用电流的控制方法。前两种方法对电路的改动较少且易实现。那么请问您对于加电容方案,加什么材质、多大容量的电容?加在什么位置?
对于磨气隙方案,应该磨多大的气隙?气隙大了漏感大,气隙小了不能防止偏磁。
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| | | | | | | 仍然没有解决,各位大神们提出的解决方案我都试了,什么用都没有
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| | xkw1cn- 积分:131377
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积分:131377 版主 | | | 波形上看;还是地线搅扰了;导致输入信号自激。建议理下地线单点连接。
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| | | | | | | 地线我还特别注意了,就是星型单点接地。
我觉得不是接地问题,这个波形不是正确的,我的驱动波形是50%占空比的方波,但是到Vgs成了窄脉冲了而且不互补
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| | | | | 今天上午又试了试,我直接把变压器拆了,只留下了光耦、推挽驱动芯片和两个MOS管。上电以后连光耦带推挽芯片都冒烟了。也就是说推挽电路不加变压器,推挽芯片会烧,这种现象正常吗?
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| | | | | | | 你试一下 带电阻 看看 看驱动MOS管的波形正常不 |
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| | | | | | | | | 我什么都不带都烧,就甭提带电阻了...我觉得不是带什么的问题。
按理来说后面甭管多乱的波形只会影响ds之间,跟驱动波形Vgs有什么关系呢
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| | | | | | | | | | | 没说清楚 我的意思是说 你把那变压器的两节 替换为电阻 大一点的 不可能烧的。
就是像我下图红色圈住的那样 测试一下 驱动正常不, 红色圈住的地方 改电阻 先测试一下 。
保证驱动电路没有问题先
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| | | | | | | 你不会是把2个使能端悬空了吧 MOS不死芯片死,如果是带载死那有可能是布线不好被电压尖峰干掉的(除了vcc,其他端口窜入也是会死的),但是把变压器拿掉也是照样死那就很诡异了。
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| | | | | | | | | 对于2EDN752x这个推挽芯片来讲,使能端是可以悬空的,因为芯片内部有上拉电阻,如图所示:
况且我还怕是这个芯片问题,重新换了个芯片:IR4427,跟那个芯片类似,无使能端,如图所示:
关键问题是这俩芯片都烧啊!
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| | | | | | | | | | | 驱动芯片输出被短路了,可以把芯片拆了,万用表测量一下MOS的GS之间的电阻.
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| | | | | 先讨论一个问题:假设真是推挽变压器偏磁造成的磁饱和。
那么在现在的电路上上我只能做到:
1、加入串联电容;
2、变压器加入气隙。
第一种情况,串联电容我认为应该加两个,分别串在两个MOS管的漏极和变压器磁芯之间。
假设VIN=12V。
那么我的问题来了,不串电容时,上管把变压器线圈驱动至:0V至12V方波;下管把变压器线圈驱动至0V至负12V方波,组合起来就是±12V。
如果加上电容,隔直通交,那么把直流分量去掉了,上管驱动波形不就成了±6V,下管同理也成了±6V。那不就不对了?
第二种情况,加气隙,我认为并不能减小偏磁,因为变压器的安秒积又不会改变。
只是靠增加磁阻减小磁滞回线的斜率,从而使变压器流过更大电流时不饱和。
但是偏磁终究是累加的,经过一段时间以后,终究会达到饱和,只是需要的时间比不加气隙更长而已,从根本上能解决偏磁问题吗?
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| | | | | 问题基本上是找到了,但不知如何解决,如下:
逆变器的控制器采用DSP,TMS320F28027,控制器需要隔离供电,所以我就搭建了12V转5V再转3.3V的隔离辅助电源。
辅助电源的原理图如下:
那么实验现象如下:
1、采用上图的辅助电源给DSP供电,驱动波形不正常,时而烧推挽芯片;
2、采用外接适配器给DSP供电,一切正常,没有任何毛病。
那么我猜想,是不是由于辅助电源和推挽供电用的都是VIN,即12V的蓄电池输出,导致互相干扰?
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| | | | | | | 我后来在输入端并了一个470uF的电解电容,在空载的时候没问题,前级电流稍微升高之后还是出现工作不正常、烧驱动芯片的现象。
然后我又并联了一个470uF的电容,总共940uF,这回可好,空载就不工作烧芯片。
所以问题的所在应该不是加不加输入电容。
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| | | | | | | 大家做逆变器的时候,控制器的隔离供电是用什么实现的呢?
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| | | | | | | | | 整个系统有3组电源和地,分别是:
1、控制电源3V3 和 控制地GND;(用于DSP、运放)
2、前级电源VIN 和 前级地FGND;(来自蓄电池,用于前级光耦输出级供电、推挽驱动芯片、推挽变压器的输入)
3、后级电源R12V 和 后级地RGND;(用于后级全桥驱动芯片供电)
其中
控制组 与 前级组光耦隔离;
控制组 与 后级组光耦隔离;
前级组 和 后级组通过推挽变压器隔离。
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| | | | | | | | | 如果您说的是在板子上的分布情况,如下:FGND:
GND:
RGND:
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| | | | | | | | | | | 1. U1的EPWM2A和EPWM2B信号来自于哪个元件?U1的地和这个元件的地之间的距离远吗?远的话,不妨直接拉一根线过去。
2. U1和U2之间的PWM信号线,由于U2高阻,易受干扰,不妨在两个连接线之间各串联一只不大于100欧姆的小电阻,且在U2端对地各接一只不小于10k的电阻。
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| | xkw1cn- 积分:131377
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积分:131377 版主 | | | 从波形看;烧的原因是输入端有高频信号。过高的驱动频率导致大的驱动电流,最后因电流发热而坏IC。
建议查一下波形前端的高频信号来源;频率多高;幅值多大。
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| | | | | | | 高频信号来源只能是我的推挽驱动信号,之前是60kHz,现在改成40kHz,降低频率后无效
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| | | | | | | 不过仔细一想,您说的在理,给DSP供电采用TOP224搭建的隔离反激电路,从12V降到5V,而TOP224的工作频率就是100kHz左右。
即使是100kHz也不算高呀
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| | | | xkw1cn- 积分:131377
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| | | | | 问题怎样啊? 每次都是这种,看到后面也不知怎么解决的。。 |
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| | | | | 烧了以后,是VDD和地短路了,还是OUT引脚和地短路了
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| | | | | | | 这个问题最后解决了吗,是什么原因导致的,我也是同样的问题,目前没解决
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| | | | | 这个问题最后解决了吗,是什么原因导致的,我也是驱动烧坏,没找到原因 |
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| | | | | | | 好几年没做这个了,我回忆了一下,当时应该是没加软启动,导致上电瞬间直接把DSP的电压拉低了,从而DSP没有正常工作,产生的波形不正确。后来加了软启动程序,就解决了
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