 |  | | | | 这句话有什么依据吗？还是只是单纯的说单管反激EMI大？
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|  |  | | | | | 为什么呢？ 单考虑Vds，起码关断时d/dt(Vds) 低些，而且两个Vds是相反的，有点抵消的作用，共模好些。
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| | | | | | | | | | | 没记错的话，有说全桥比半桥的EMI低（共模），就是因为两个动点的电压升降沿是相反的，EMI一正一负，抵消了。有待证实。
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| | | | | | | | | | | | | 如果做成三明治，同时考虑怎么把次级正好靠近初级中点的话，那可能是会低。
但那样变压器就会设计得比较怪异。
我是不太喜欢那种一下正绕，一下又反绕。
甚至能不用三明治的，我都不用。
能不用屏蔽的，也都不用，包括外屏蔽。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 去找找EMI相当的文档来看看吧。
然后自己多试试，就是实际用不同的绕法，去比较。
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| | | | | | | | | | | 没什么依据，很多就是以一两次的经验就得到这样的结论。
就好比我做的电源，经常在传导10~30M之间，会长一个包。
然后，我就得到一个结论，不管什么拓扑，在10~30M之间都会长一个包。
但我看别人的传导结果，明显不是呢。
所以，经验归经验，但不能以经验做结论，因为咱们的经验太局限。
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| | | | | | | | | | | 这样说吧，关断时，变压器初级两端，一端由Vin骤降到地（假设二极管MOS管是理想的），另一端由地上升到Vin，由这两个方向相反的升降沿产生的EMI，一正一负，互相抵消，当然实际上两个开关管的关断时间可能有点偏差，抵消作用会打折扣。
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| | | | | 这是论文摘要的统一句式，腐朽窠臼之一……
单管反激效率低？不是经常听见有人说不小心做到95%+吗？ 
个人认为，好的工科科技论文，应当是就事论事，客观的描述，不要加入过多主观感受与评价。当然，就现在的学术氛围，恐怕这类文章寥寥无几。
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| | | | | | | | | | | 双管反激如果上管或者下管短路了，是不是可以看成单管反激呢？ 对于系统整体而言，有什么影响呢?除了应力增加外
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| | | | | 这个说法是对的，判断对不对先要知道这两个电路的区别，单管正激需要复位线圈，而复位线圈在MOS管关断时会产生很高的 dv/dt，需要用RCD等措施吸收，这与反激情况一样，这是产生EMI的源头。
而双管正激，则没有复位线圈，两MOS管同时关断时，两个二极管便导通，没有这个单管的dv/dt，于是EMI便很小。
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| | | | | | | 可是我说的是双管反激啊。 这个与双管正激是一样的吗？
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| | | | | | | | | 不好意思，没有看清问题就乱说一通。
不过原理基本相似，双管反激将漏感的能量通过二极管返回电源，不存在漏感引起的高dv/dt，这是共模EMI的根源。
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| | | | | | | | | 不好意思问题没有看清乱说了一通。
不过原理基本相同，双管反激由于二极管将漏感能量返回了电源因此没有了高dv/dt，也就消除了漏感引起的谐振造成的共模干扰。
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| | | | | | | | | | | 单管反激加了RCD吸收呢？EMI也不会比双管差吧？
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| | | | | | | | | | | | | | | 我的意思是，单管反激加RCD后也能有效吸收漏感尖峰，使得dv/dt变小啊。。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 会有所改善，但与双管是不能比的，找两个波形对比一下便清楚了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 双管反激，如果下管关断，上管开通，那会不会一直有电流经过变压器原边和二极管D1呢？
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方向不是一样的吗
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