| | | | | 高压下,同等功率的情况下,驱动的占空比小了,峰值电流更大了,而不是更小,效率更低了,但是你的温升差别有点大,请问上下管的一致吗?
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| | | | | | | | | | | 定频DCM,每开关周期初级能量E=0.5*Lp*Ip.pk2完全传递给次级。由于功率不变,即E不能变(不管输入电压高低),所以峰值电流Ip.pk 不变,不会变大。Vin 高时,D变小,初级有效值电流Ip.rms=Ip.pk*√(D/3) 反而小了。另外次级有效值电流是不变的。
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| | | | | | | | | | | | | 你上两个不同电压,同等功率下,mos管的电流波波看看! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我说的是理想情况,这个您不反对吧,当然实际上有所偏差。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这样吧,你让楼主上两个不同电压下开关管的峰值电流波波吧!这么一个小问题,讨论这么多,都没有一个结果!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 两位大神,我这是普通PWM式控制,断续模式峰值电流不同电压下是相等的,高压下有效值是变小的,这些都实测过,原边采样电阻的电流波形也正常,高压下没有饱和的迹象,就是这样才纳闷,副边有效值电流也相等,为啥温升反而高,难道跟变压器本身有关?这两天得做点别的工作,晚上再调调。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这样控制啊,小心进入浅饱和,因为反激的开关峰值电流 Ipk 会随着 di/dt 的提高而提高,也就是随着输入电压的提高占空比的减少而提高,
三个机制:
1、不适当的 CS 滤波延时,
2、关断弥勒延时,
3、被前缘消隐延时(如果频率很高的话)
参考此贴11楼波形:OB3398负载调整率问题
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| | | | | DCM模式,MOS开通前,DS两端电压更高,开通损耗更大。损耗是看电流有效值还是峰值? |
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| | | | | 这种情况也可能发生,原边感量不足,高压时频率高了磁损增加了。此外气隙涡流、集肤也是可能因素。不过你这个电压变化不大,应该没这么显著,建议考察与绝缘和耐压有关的因素。
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| | | | | | | 楼主没有说是QR哟!从楼主的表达来看,很有可能是PWM方式的!
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| | | | | | | | | QR与临界模式、断续模式,这几个事经常被混为一谈,况且这只是一种可能性。
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| | | | | | | | | | | 普通PWM断续模式,高压下频率没变化。原边电流波形正常,高压测得的电流有效值也比低压和额定的小,纳闷
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| | | | | 是不是mos管的结电容太大,电压高,损耗更高,在这个电容的损耗是和电压的平方成正比的
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| | | | | | | 我是变压器烫,这位仁兄说的应该是MOS管的温度的。
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| | | | | 看波形,比较高低压输入时的差别,看看工作模式是否变异常了。
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| | | | | | | | | 高压时,效率变差了吗?
其他元件温度如何?
高压时,变压器最大磁通密度多少?计算一下。
磁芯温度多高?线圈温度多高?哪个更高?
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| | | | | 楼主,你的问题还没解决?只是变压器发热?MOS不热?
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| | | | | 上波形。
测二极管和MOSFET的温度。
炒菜的锅本身不发热,但架不住火烤啊
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