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| | | | | | | 不能取消共模,有雷击要求,换差模电感确实会好很多。
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| | | | | | | | | 我只是叫你看看(在不打雷的时候)。现在也不需要看了,既然换差模好很多,那就算解决了。
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| | | | | | | | | | | 李工,你好,请问下辐射测试时,30-100M位置,输入电压230V测试时余量20多db,120V时余量不足,垂直比水平差很多。怎样来整改好一点?谢谢李工。
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| | | | | | | | | | | | | 电压的差别可以看成电流的差别,如果其他条件相同,也就是饱和的差别,而共模的饱和是差模成分所致,而其差模成分导致方向差别的可能较大,大致可以这样分析。
30~100M这个频率也可能找到对应的波形,可以看看波形有多大差别,反激的话看看钳位波形细节的差别,以及这个细节对应到副边的电流情况,但也不能排除副边电压波形。
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| | | | | | | 现在成本压力那么大,这么小瓦数那敢用铜箔哦,现在变压器都是要求全自动化的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 已经看到电路了,是集成MOS。
D极加个电容到地,应该就会下去,当然可能还有别的方法,如修改变压器参数等。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | D极要加到33PF电容才有用,不过这损失效率太大了,而且会造成温度过不了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对比一下效率差多少? 结合变压器参数优化可能会更好点。
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| | | | | | | | | 这个频率段多由开关管开关时引起的,若不能在干扰源上下功夫,测在滤波上下功夫。从干扰源上处理有利于降低成本。
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| | | | | | | 修改吸收电路是个好方法,由于不清楚楼主用什么方案,要是集成MOS那就改不了驱动电路了。
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| | | | | Y电压是多少?调屏蔽层的圈数,把Y电压调到1V以内VDD反绕,
VDD绕组并220pF的电容,
VDD的二极管换成快管
初级吸收二极管改为M7
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| | | | | | | Y电压1.04V,VDD已经并了102+22R,VDD是快管。
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| | | | | | | | | 那屏蔽层能否半圈半圈的调整?
VDD有没有反绕?次级有没有反绕
这种无Y的,只能试了,
变压器的线径也可以调,VDD,屏蔽最好是用双线,
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| | | | | | | 您好!内置MOS,无法改驱动电阻呀!如何降低开关速度?
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| | | | | | | | | 之前碰到过类似频点案例,跟输出整理二极管有关,你换一个结电容小的或者速度快的试一下
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| | | | | 这样要求一般成本压力不大,变压器上下点成本,可以包铜箔。
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| | | | | | | 现在这种瓦数成本压力非常大的。变压器试过加铜箔确实有效果,但是变压器成本立马上来了。
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| | | | | | | | | | | | | | | 输出肖特基二极管换成电流大的 —> 输出二极管并联寄生电容增加 —> MOS开关的时候,上升沿下降沿变缓。 从而改善辐射效果,是这样吗?
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