1,从图上看,您没有加隔直电容,我默认您是想通过C1,C2去实现偏磁校正,那么C1,C2容量可以按照带满载情况下,C1,C2中点电压峰峰值变化为5%-10%VIN去选取。如果您想的不是上诉所想,那么需要加隔直电容,隔直电容容量选取仍然是电压峰峰值变化为5%-10%VIN,
2,采用MOS管就不需要加吸收,漏感震荡过大会通过体二极管去钳位,当然会引起体二极管恢复等问题。归根结底,还是因为漏感引起,您只需要尽可能的把漏感做小即可。R3,C3我没有看出具体作用,您是想对绕组吸收吗?我认为没有必要加,次级整流管加吸收就可以了。
3,和全桥一样
半桥比较忌讳的就是瞬态下,初级绕组电压偏离1/2VIN,只要把这个解决好了,就没有大问题
如果采用同步整流,需要处理好能量双向流动的问题。