| | | | | 这个并联的电阻如果太小,对前级索取的电流就大了,这不造成前级负担?造成电平拉低。如果这个电阻太大,对栅电容电荷泄放也不利。简单的理解就这些,还请高手支招。 |
|
|
| | | | | | | 比较赞同一楼的看法
可能已经加了,就没感到静电了
但对泄放结电荷快速关闭又为重要
在高速电路中被泄放电路代替 |
|
|
| | | | | 在考虑驱动足够的条件下,这个电阻可以适当的小,因为这个电阻的主要作用是防止静电损坏mos。 |
|
|
| | | | | 主要是为了防静电,有些MOS比较高档,对这个电阻要求不太高.我们通常是10K--30K之间! |
|
|
| | | | | | | 静电损伤是因为GS之间结电容太小导致(U=Q/C)也就是即使有很小的静电电荷就有可能产生很大的电压,导致超出MOSFET GS之间电压最大值,使的MOSFET损坏? |
|
|
| | | | | | | | | 所以,要并联这个电阻, 提供寄生电容电荷泻放通道. |
|
|
| | | | | | | | | 特别是在使用无静电消除措施的焊接过程中,此电阻的作用不容忽视。 |
|
|
| | | | | | | 赞同上楼说法;为了效率要求,有的在MOS S,G极放到100K的电阻。 |
|
|
| | | | | 一般电路G脚上接了不少东西,多半不需要再专门并个电阻。 |
|
|
| | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | |
|
|
| | | | | | | 应该还有一个作用:它能够给让MOSFET处于一个确定状态。
我想这个也是在GS之间并联电阻的主要原因。 |
|
|
| | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | 这要看驱动器是啥逻辑输出了。对于标准驱动电路;这个问题已经考虑;是没必要用的。 |
|
|
|
| | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | 对于FET,最容易受ESD损坏的工位是打开包装到插装到PCB为止。这时间;栅上装的电阻无法保护FET。而对于这类窄脉冲;TVS和电容会比电阻更有效。
而位于CO结构输出的IC,为保持输出逻辑的确定性;一般是要加的。但;和ESD等无关。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 原来是这样,那焊接操作时(如果没有采取防静电措施)及维修时的静电也不可小视啊 |
|
|
| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | 是的;而且是隐形故障,有的要过三个月才会暴露出来。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 不是吧。
我的经验正好能证明这个电阻是很有效的,而且就是对焊接过程中的ESD很有效。
以前单位有几种板子经常上电就发现mos损坏,经检查图纸我发现设计时mos没有这个电阻,后来我加上这个电阻以后上电MOS损坏的现象就消失啦 |
|
|
| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | 这说明;贵公司的后段防静电措施不太够! |
|
|
| | | | | | | 具体要看前面的驱动电路,一般而论在不太确定时最好装上 |
|
|
| | | | | | | | | 对,这个电阻是驱动电路的一部分,作为整体考虑。
XW:这样就好。但有的人往往忘了这一点,
东方:用3525可以,但如果用3524,一般而论在不太确定时最好装上。 |
|
|
|
| | | | | 这个电阻是需要的,并且很重要。当电源上电时,IC在电压上升到工作电压以前,其驱动输出不一定是低电平,这时MOS的Cdg会给GS充电,如果这个电压达到MOS开启电压,如2.7V,则MOS有可能开通而烧毁。这是有电阻存在就不会有这个问题。
所以电源设计是个细功夫,稍微考虑不周就有可能有问题。其值理论上可以根据dV/dt, Cgd等计算,但一般没必要,取个10k或5.1K已能适应大部分情况。 |
|
|
| | | | | | | 的确是 , 联想:双向可控硅带感性负载, 为什么D-G 要加RC 缓冲. -----------快速变化的Vd-s, 这时MOS的Cdg会给GS充电! |
|
|
| | | | | | | 如果一个IC在电压上升到工作电压以前,其驱动输出不一定是低电平,这个IC就是个失败的IC。 |
|
|
| | | | | | | | | 问一下“驱动输出不一定是低电平,这时MOS的Cdg会给GS充电,如果这个电压达到MOS开启电压,如2.7V,则MOS有可能开通而烧毁。这是有电阻存在就不会有这个问题”为什么加上电阻后MOS就不会开通了?我用3844做了一个辅助电源,生产线确实存在一上电就有损坏MOS的现象,比列不高,实验室很难复现出来(实验室已经做了很长时间的实验,各种条件下都无法复现)我MOS的GS之间加了个2K电阻. |
|
|
|
|
| | | | | | | | | 任何东西都不要绝对。我们知道现在的IC驱动为了低功耗和速度快,输出的推拉管子都是MOSFET,MOSFET有个开启电压,我们假设是2V的话,你说供电电压上升到2V以前输出是低电压还是高阻态?而为了降低待机功耗,启动电流都非常小,供电上升到2V是需要一定时间的,这时功率MOSFET是高速上电的,问题就来了。现在很多做适配器的都遇到高压启动时有一定比例损坏的情形(控制器+MOS),这就是一个可能的原因。
为了解决这个问题,有的IC厂家在IC里面加一个驱动电阻(但不是每个都有加),这在很大程度上可以改变这一情况,但如果布板不好(有时候受结构的限制,IC会离MOS比较远)引线电感大,还是有可能出现。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 如果都是这样,那放电阻的不是太傻了,或者根本就不会设计IC,公司我就不说了。还有那些放电阻的设计,别的不熟悉,适配器还是知道一些,如台达。这个电阻还有焊接的费用都是成本。另外不知对引线电感怎么看? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 非常赞同"引线电感" 的概念, , 这个电阻和Cgs是并联的, 对于高速IC输出驱动, L-C-R ,并联的R 能起到阻尼作用. 防止上下边沿的震铃. 这是我的理解, 不知cmg 如何理解? |
|
|
| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | 用10K电阻解决振铃?太大了点吧!用数十欧还差不多。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 串联大电阻相当与并联小电阻, 反之, 并联大电阻相当于串联小电阻. 本帖子里谈的这个电阻是和G-S 并联的, 许工, 是不是看错了. 换算成串联的,也就变成十多欧了. 但这个电阻的任务不只是防止震铃一面, 还有静电泻放, 防止快速变化的Vd-s, 通过Cdg会给GS充电让MOSFET 紊乱(就是CMG所说),等等 ,更多的功能希望大家踊跃讨论,一一将它挖掘出来. 哈哈 |
|
|
| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | 没有!并联消振电阻是这个数量级。大了没用。你可以用RC串的方式接入。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你确定并联消震电阻只能用数十欧这个数量级吗? 这样用的话, 这个电阻对前级驱动IC 将是个非常,非常大的负担. |
|
|
| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | 并不严重;即便是10欧电阻;也只瞬间消耗1.5A的驱动电流。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当然, 还有一种理解: 就是没有这个并联的电阻, 单个Mosfet输入阻抗接近无穷大, 在高速数字信号里,要注意正确的"端接", 否则出现信号反射! 造成严重的逻辑错误. 并联电阻是最简单的"端接"方式. 一直搞不清楚 : 信号反射和震铃, 物理和数学上的区别? 希望大家一起来探讨! |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 一般FET的CGS都有数千皮法的电容,对于射频信号;如同一个黑洞 |
|
|
| | | | | | | 这个说话好像更有说服力
ESD的好像MOS管内部自己就有,外置电阻效果值得怀疑! |
|
|
| | | | | | | | | 但我自从接触电源,MOS管GS 之间很少几乎没有不并一个电阻的,大概10K最多,20K也有.以前就一直以为是静电防护用的。现在很想搞个明白为什么要加个电阻? |
|
|
| | | | | 有足够的下拉这个电阻可免,在东方的电路以体现。
目的是在关闭时快速泄放栅容电荷,加速关闭
在不提供下降沿的电路会常见 |
|
|
|
| | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | 要用做加速关断;还要再配个三极管 |
|
|
|
| | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 这是我的一个工频切换驱动,有个30K的电阻,不是防静电,只是维持一种正确状态,因为PC817初始状态无暗电流。大家帮看看行不?
|
|
|
| | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | 不知能否欣赏到完整电路。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 完整电路是有问题的,看看也无防
其中,Vcc=+2。5V,Vss=-2。5V |
|
|
| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | 谢谢你的大公无私 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | 这不是你设计的吗?
用个CD40106就可以搞定了。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 惭愧,正是本人设计,郁闷中。
问题是J4是个三态口,开机是高阻态,Vcc、Vss电压也不能确定谁先上到额定值,用CD40106恐怕不能保证逻辑的正确吧? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | 要保证逻辑;最简单的方法就是用现成的IC。看看这个,现在已经便宜多了,对你兴许有用。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | IC内已经有上/下拉电阻了,如何不保逻辑?这可以专对三态口的设计啊!
这东西的速度是比较快;可用在工频也没问题啊!直流开关都可以的。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 它有两个互补输入端,不知道其端口内部是如何上拉下拉的,能否靠第三态同时关断两路PWM输出。
这个地方需要以秒计的上电时间,其间两路PWM均不得有高电平。运行中也可能需要两路同时关闭的操作。不知道这个IC行不?感觉817也不贵,虽然不合理,感觉也没啥其他问题。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 看框图:
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩,逻辑果然是正确的。
但是上电似乎还有问题,印象中这种电路是靠PWM自举产生的上管驱动电压吧,静态能否直接驱动上管? |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | 反正你也不隔离;VB短接VCC;VS短接COM直接加电就好了。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有一路是高压隔离的啊,J4驱动4个817哈,每两个组成一个图腾柱。而且那个IC的工作电流上100mA了,也是不能接受的,我这个电路1、2mA就行。 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 老专家了还那么粗心!
15V时的最大静态电流只270微安! |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 增加的电流就是QG*频率了。这个增量,你我电路都是一样的。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢大家一直对这些知识不是很了解看到这个帖子清楚多了再次感谢大家 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我的使用中静态无法驱动上桥臂,即无法上桥臂常通,上桥臂需要有下桥臂互补导通,使自举电容充电。如果有误请见谅
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 好像大部分管子的规格书里面的测试电路也没有加这个电阻。而在推挽里面这种用法也很多。
|
|
|
| | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | 电源正常工作时;不需要这电阻。实际上;工艺良好的话;电路里也同样不需要。所以;测试电路里没有它。 |
|
|
|
| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
- |
- 主题:37517
- |
- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | | | | | |
|
|
|
|
|
|
| | | | | 分析下MOS的等效模型,必须要加的,空载的时候你去掉这个电阻会炸MOS,可以做实验看下,主要是给结电容放电的。 |
|
|
| | | | | | | 我认为这个电阻即使泄放GS两端的电,加速MOS关断 |
|
|
| | | | | | | | | 如果说是泄放电阻的话,它与驱动电阻阻值都是几百几千倍的关系能起多大作用??? |
|
|
| | | | | | | | | | | GS两端是高阻并一个电阻可使阻值降低和两端的寄生电容成RC放电回路 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | 栅极电容都皮级的
高速时就要命
我理解只在没下降沿驱动电路用叉加速关断
和搂上所说高阻电路中泄放栅极电容聚积电荷 |
|
|
| | | | | 请问一下各位大虾 mos管GS之间加上的10K的电阻是普通电阻吗? MOS管驱动电路产生的电流是很大的 那这个电阻的功率岂不是要很大很大的?普通电阻岂不瞬间就烧了吗? |
|
|
|
| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | MOS管的驱动电流时很大的,但moS管的驱动电流并不流过GS的电阻。加在GS电阻上的是MOS管的驱动电压,根据这个驱动电压可以计算损耗,不大的。 |
|
|
|
| | | | | | | MOG管的G和S之间并联多大的电阻,,,,也曾纠结过,看看大侠们怎么说,继续围观 |
|
|
|
|
|
| | | | | 欧士科技 贺旭 我们公司专注于机顶盒、TV板卡、网通产品电源IC类产品,提供LNB电源方案、高低压MOSFET、DC/DC、LDO、Class-D音频功放、高压栅驱动、电容等14个品牌25种产品,并提供快速技术支持。可以参考公司网站:www.osyntech.com 贺旭 18200981074 QQ36138286 |
|
|
| | | | | | 主要是为了防静电,有些MOS比较高档,对这个电阻要求不太高.我们通常是10K--30K之间!
| 我司专业MOS管,LDO DC-DC电源管理IC,QQ:2236046529 |
|
|
|