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| | | | | | | | | 332光耦检测的IGBT退饱和后,vout将自动拉低该驱动电压,关断该IGBT,并pin3 fault信号由高变低,但约滞后vout拉低2us;由于短路(直通)会产生较大的短路电流,光耦关断较快时,会产生较大的di/dt,很有可能导致直流母线电压振荡,及VCE电压振荡,由于IGBT C极和G极间的米勒电容,I=Cdu/dt,门极会有电流I流过,很有可能导致门极驱动电压振荡,导致IGBT保护失效。 |
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| | | | | | | 你的IGBT允许10us短路吗,即便允许电流应力过大时也不一定能承受。
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| | | | | 说到底还是你的关断时间太长了,250ms管子早炸了。光耦检测出错误信号也就2-3us时间,加上后级运放、MCU运算时间、IGBT门级关断时间这些总得时间要保证5-7us之内最好。当然了,电感在大电流时的感量不能设计的太低了,要不然这个时候电流在5-7us内上冲太厉害,IGBT受不了,高电压时更恶劣,没等IGBT门级关断,电流可能已经远远超过了你设置的封锁阈值。这个关系我们在实际设计和测试时必须要确定好的。
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