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超低结-龙腾MOS-LSD07N65-60W-32V1.1A+16V1.6A测试波形

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程英明
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  • 2013-12-12 01:06:55
超低结-龙腾MOS-LSD07N65-60W-32V1.1A+16V1.6A测试波形

60W-32V1.1A+16V1.6A.pdf












AC255V输入,测试波形,满载32V1.1A+16V1.6A效率 (15.91×1.6A+32.41×1.1A)÷68.43=89.3% (注意:结合原理图假负载32V+16V 16mA=0.768W,效率应该为90.3%)









32V1.1A单独负载16V输出为16.58V(上飘0.5V),VDS波形。

16V1.6A单独负载(电压跌落为14.63V)32V输出为32.42不变,32V加载到0.1A,16V输出调整正常。









AC110V输入,测试波形,

满载32V1.1A+16V1.6A效率 (15.91×1.6A+32.41×1.1A)÷67.70=90.26%

(注意:结合原理图假负载32V+16V 16mA=0.768W,效率应该为91.3%)

这里要说明一下,确实是低压比高压效率高。











以上测试的效率以及如此好的波形,归功于超低结龙腾的MOS,这是我做的反激最好的VDS波形,当然还要我的变压器漏感小。













hemin179291148
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本网技师
  • 2013-12-12 09:00:13
 
PCB也布的不错。综合因素利好才有好波形。
XIAOTU80
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  • 2013-12-12 09:14:43
 
收藏一下
admin
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管理员
  • 2013-12-12 09:35:57
 
肯定是好资料 顶一下
程英明
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  • 2013-12-12 17:02:10
 
gsygsy194615
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初级工程师
  • 2013-12-13 21:42:24
 
陈工,你用别的mos装上去测试一下,上个波形看看,这样方便对比
程英明
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  • 2013-12-14 00:14:22
 
我正有此意,等我测试一下上传。

dongshitong
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高级工程师
  • 2013-12-12 13:12:36
 
很关注EMI和264vac短路时VDS的峰值 最近做了款65W的 感量650 漏感 16 264vac短路VDS峰值较高 用的是600V的MOS 不得已 加了个TVS....很想把他拿掉!!
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-12 13:17:00
 
建议用800V的管子吧,7N80比7N60贵不了多少,
程英明
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  • 2013-12-12 13:28:08
 
EMI效果还不错,我有他们的LSD11N65,90W的辐射测试,效果比英飞凌的11N60C3好很多。LSD11N65媲美我们的JCS20N60,LSD11N65效率更高一点。
程英明
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  • 2013-12-12 13:32:34
 
漏感太大了,可能你的变压器没有绕好,或者线径没有取好,65W全电压的,650uH的感量有点高,肯定是全程CCM了,把感量调到550-600uH会好一点,这样高压DCM/BCM,低压CCM。
请告诉我你的变压器完整参数,我帮你看看。
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-12 13:16:00
 
程工,后面单级滤波纹波咋样
程英明
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  • 2013-12-12 13:24:58
 
这么小的电流,肯定没有问题啊,等我测试一下。
32V1.1A-35V680uF
16V1.6A-25V1000uF
应该没有问题的,只是昨天太晚了,没有上波形,等我上传。
lipan2yy
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  • 2013-12-12 13:37:14
 
不错,整的,7N65你干65W。我干25W!
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-12 17:22:35
 
好的,单级滤波高频干扰应该很大,你测完20M,顺便测下300M看下,干扰小不了....
程英明
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  • 2013-12-12 21:27:13
 
你没有见过台达、光宝的机吧,一个电容搞定的大把,对于输出不到2A的电流,一个电容足以,这个要结合实际和成本价格去权衡,对于设计者来说,肯定希望做的很好,但是对于制造者来说,肯定希望简单便宜。
钜微电源-小罗
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  • 2013-12-12 21:53:20
 
还真没见过,至少我以前做适配器的时候没这么玩过,受教
bei_jxing
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高级工程师
  • 2013-12-12 17:14:17
 
波形干净,效率高,PCB 不错,支持原创,支持程工。
qq80644864
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  • 2013-12-12 23:13:51
 
看来龙腾的这个超结不错啊,这个7N65的多少RMB?
admin
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管理员
  • 2013-12-13 15:03:25
 
实验的验证
小小电工
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高级工程师
  • 2013-12-13 15:06:00
 
哈东西.赞一个
andah
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  • 2013-12-13 15:09:51
 
好东西!支持。私聊价格!
colinh
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本网技师
  • 2014-9-3 14:55:27
 
你好!我想咨询下LSD07N65的价格,直接回复或者小窗我都可以,谢谢!
tangchaobao
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高级工程师
  • 2013-12-13 15:20:24
 
kyo
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副总工程师
  • 2013-12-13 15:23:25
 
楼主给讲解讲解,这个LSD07N65从波形上看好在哪里?详细说说,OK?
程英明
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  • 2013-12-13 20:57:15
 
LSD07N65 VDS 波形的尖峰只有20V左右,普通的MOS这里至少60-80V的尖峰(我个人设计的产品)
kyo
  • kyo
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  • 2013-12-13 21:21:51
 
就这样???
程英明
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  • 2013-12-13 22:13:32
 
要讲肯定不止这些,难道还要我全面分析啊?
低损耗,快速开关和低开关噪声,在应用中达到了高效率和低EMI。
kyo
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  • 2013-12-13 22:42:10
 
全面分析下吧,不太懂MOS。
冒牌匪军
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  • 2013-12-14 14:40:26
 
你想要怎么分析?参数都在规格书上有,实际的自己测试就可以了,真怀疑你做过电源没有
kyo
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  • 2013-12-15 09:20:36
 
没做过电源,
既然楼主发图了就给讲解讲解这颗MOS如何从波形上分析下Miller effect和这颗MOS的 VDS间延迟时间。
“冒牌匪军”不要这么唧唧歪歪啰嗦。
程英明
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  • 2013-12-15 12:09:16
 
和谐?
你可以自己去申请龙腾的样品测试啊,只有自己测试了才清楚。
超低结的MOS相对于一般COOL MOS来说,低损耗,快速开关和低开关噪声,在应用中达到了高效率和低EMI,上面的测试波形就可以看出来的啊,波形数据清清楚楚,你自己没有仔细看。
kyo
  • kyo
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  • 2013-12-15 12:45:10
 
展宽看,这么小谁看得见
程英明
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  • 2013-12-17 00:47:07
 
我有时间用普通MOS测试对比一下,再上传波形图。
THTTH1982
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  • 2013-12-16 09:43:32
 
我现在也在试龙腾的MOS,我也在试11N.20N 7N,有一次我做180W会电压,装错11N的管子了,居然在93V左右老化了一个上午.我自已感觉还不错,在试样阶段.好不好后面就会见分晓. 当然我一个人说了一算.你们也要测试了才知道.
冒牌匪军
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  • 2013-12-16 10:15:03
 
近期准备弄个DIY电源,程总是不是支援下MOS啊
程英明
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  • 2013-12-16 12:39:29
 
OK
huanggzhou
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高级工程师
  • 2013-12-13 15:41:23
 
顶一下楼主,这才是正宗的精华话题
灰狼行天下
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初级工程师
  • 2013-12-13 15:53:30
 
好东西,支持支持
真武阁
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  • 2013-12-13 16:00:51
 
波形干不干净跟MOS很有关吗?
led公子
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高级工程师
  • 2013-12-16 23:03:12
 
有点关系的, 凡是会引起电压电流变化的地方都会有变化
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-13 17:03:38
 
程工,你这款产品低压比高压效率高的关键点是在哪啊?从频率来看,低压频率反而高?低压输入电流大,不解,为何低压效率高呢。、?跪求啊
程英明
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  • 2013-12-13 22:18:20
 


而且低压的VDS小,那么漏感和结电容的损耗也小。
当然,能做成这样,你的输入整流前的损耗要减小,否则损耗大了,你的效率就会比高压时的效率低了。
低压时CCM,高压时DCM,谁的IPK大还没有细算呢!“我觉得高压DCM的IPK大”
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-14 13:38:25
 
谢谢!对了,好像Qg会随着输入电压变化,但是MOS的Rds不是一个固定的值吗?怎么低压的Rds会小呢?
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-16 10:01:19
 
低压Rds也小,是指电压工作在低压时候Rds变小?还是本身管子属性,刚上龙腾网上查了他们的MOS管进行了比对,没有发现所谓的低压Rds小的情况!
程英明
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  • 2013-12-17 00:44:56
 
你搞混了,没有说高压、低压MOS RDS on 会变化,图上是说高低压MOS的RDS on 的大小。
低压的VDS小,那么漏感和结电容的损耗也小。
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-17 12:36:41
 
对于全电压范围就不存在用高低压MOS的其别吧?还是很好奇,低压效率高的关键点,除了低压的开关损耗和漏感以及结电容的损耗相对低之外,低压效率高,站不住脚!求程工拍醒指点!
程英明
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  • 2013-12-18 03:16:47
 
推导一下DCM、CCM
AC255V输入BCM:D=(Vo+Vf)*N ÷ [(Vo+Vf)*N+VIN]=33*3.2÷(33*3.2+350)=0.2318
IPK=VIN*D÷(Lp*f)=350V*0.2318÷(600uH*70KHZ)=1.93A
这里能量守恒定律已经不合理了,看前面的波形已经是CCM了,就按照CCM计算一下:

AC255V输入CCM: Vin×Ton÷Lp÷2+Po÷Vin÷Dmin=IPK2
Dmin= Vo+Vf)*N ÷ [(Vo+Vf)*N+VIN]=33*3.2÷(33*3.2+350)=0.2318
Ton= Dmin*1÷70KHZ=3.31uS
350V×3.31uS÷600uH÷2+60W÷140V÷0.2318=1.705A
AC110V输入CCM: Vin×Ton÷Lp÷2+Po÷Vin÷Dmax=IPK2

Dmax= Vo+Vf)*N ÷ [(Vo+Vf)*N+VIN]=33*3.2÷(33*3.2+140)=0.43
Ton= Dmax*1÷70KHZ=6.14uS
140V×6.14uS÷600uH÷2+60W÷140V÷0.43=1.713A


我简直都不敢相信,这是真的吗???
因为一直没有时间细算,今晚我好好算了一下,这就是我说的,为什么低压的效率高一点。因为IPK差不多,而且低压开关损耗小一点。
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-18 13:30:23
 
感谢程工那么晚的回复,设计一款全范围CCM的电源跟低压CCM 高压DCM更有优势吗?
hemin179291148
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本网技师
  • 2013-12-18 14:37:20
 
程英明
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  • 2013-12-18 20:03:06
 
不明白你的意思,CCM,高压输入,满载情况下,肯定是比低压的占空比小啊,也肯定是高压的占空比最小,低压的占空比最大啊,满载情况下。
THTTH1982
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  • 2013-12-18 14:56:47
 
桥硅1.4V按热态1.2V计算,输出功率100W,/高压的时候平均电流.100/255=0.39A
桥功耗.1.2*0.39=0.47W
低压的时候 100/110=0.9 桥功耗 1.2*0.9=1.09W
当然.共模与NTC线路等,流过的电流大的功耗一定比流过电流小的功耗大,这个就忽略吧!
从桥上来看,低压的时候比高压功率增加了0.62W左右.
你想想,若真是像你说的这样,为什么大家都说高压的效率高.低压的效率低.

当然也不排除你的X电容吸收一部分功率.因为X电容在高压的时候比在低压的时候电流大.所以你要看看是不是你的X电容在中间掺和了.你可以去掉前面的一些东西,从桥前直接接电进去.
程英明
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  • 2013-12-18 19:57:24
 
何总,我这个是60W哦,哪来那么大损耗,我们的桥堆VF为1.0V,功耗很小。
60÷0.9÷110×1.0=0.606W
60÷0.9÷255×1.0=0.261W

相差不多吧,如果功率做大,那么肯定是低压的效率低,只是在一定功率范围内是可以平衡这个损耗的。
THTTH1982
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  • 2013-12-18 15:00:48
 
定频IC,在连续模式时,开关周期一样多.开通的次数也是一样,并不是开关损耗减小了.
分析一下,是不是一个母线电压低了,MOS上升的行程短了,看看是不是这个位置有损耗,其它的说不过去.
程英明
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  • 2013-12-18 19:59:17
 
低压的VDS小,那么漏感和结电容的损耗也小,开关损耗也会减小
THTTH1982
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  • 2013-12-18 15:03:20
 
还有就是也不能排除磁芯在什么样工作情况环境的情况下,损耗最低.
程英明
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  • 2013-12-18 20:00:02
 
程英明
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  • 2013-12-18 20:14:36
 

看到这个没有,在50%负载时,低压的效率高。
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-18 22:39:40
 
可以看到,低压效率高是有前提条件的,就是针对小功率,还有,应该很少有人把一款电源做成这样的深度CCM吧,除非是大功率反激
THTTH1982
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  • 2013-12-24 00:34:14
 
还好你先回复了,不然我真的要叫你们帮把CCM PFC350W 半载的效率给我提高!
钜微电源-小罗
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副总工程师
  • 2013-12-24 08:59:16
 
哈哈,
程英明
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  • 2013-12-24 12:58:49
 
你想捉弄我啊,我才不上你的当。
牛角
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高级工程师
  • 2013-12-13 21:31:14
 
程工的帖子顶一下啊!学习学习!
fooxleddriver
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  • 2013-12-14 14:50:08
 
不错,龙腾的我也正在做实验,不过用的是4N60做50W
程英明
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  • 2013-12-14 16:44:38
 
LSD04N65 吧,应该没有问题。我们用普通的MOS 4N60做40W的,一直很好。
black_cheung
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副总工程师
  • 2013-12-15 13:29:41
 
要是两路输出都不加假负载的话,输出电压的交充调整率会是怎样?

程英明
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  • 2013-12-15 14:58:45
 
两路输出都不加假负载
32V单独带载,16V的电压上飘0.5V左右,
16V单独带载,32V的电压不变,16V调整差一点,电压跌落到14V左右,32V加载到100aA以上就调整OK了。
qq80644864
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  • 2013-12-16 21:58:17
 
楼主英明啊
mengmeng668866
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助理工程师
  • 2013-12-23 08:49:53
 
学习了,看看了
电源小新
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  • 2013-12-24 11:21:34
 
期待更多的作品学习哈
zhang136719371
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助理工程师
  • 2013-12-24 10:26:14
 
楼主辛苦了~赞!
jia1400334199
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本网技师
  • 2013-12-24 10:27:32
 
果断收藏~~
wtcjsj
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高级工程师
  • 2013-12-24 10:35:13
 
这有点看不太懂,不过很了不起的样子,收藏好好研究一下!
小小工程师
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初级工程师
  • 2013-12-24 11:03:10
 
学习了
weideqin1
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助理工程师
  • 2014-3-30 15:35:41
 
#广告已删除#
colinh
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本网技师
  • 2014-9-3 14:56:00
 
楼主,我想咨询下LSD07N65的价格,谢谢!
程英明
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  • 2014-9-3 15:33:57
 
找龙腾询价哦
qq80644864
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  • 2014-9-3 21:09:23
 
请教下程工:如果带PFC方案,想让PFC先启动,这样有什么缺点???需要注意什么地方?
程英明
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  • 2014-9-4 08:13:56
 
那样你的空载功耗就做不下来了。
qq80644864
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  • 2014-9-4 10:06:34
  • 倒数10
 
如果不管这个空耗,那就没问题了?
程英明
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  • 2014-9-4 20:19:54
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空载可能会有异音,因为PFC一直在跳频。
THTTH1982
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  • 2014-9-5 12:26:45
  • 倒数8
 
可以解决,变压器做死(中柱加胶),这样就听不见了。
THTTH1982
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  • 2014-9-5 12:27:45
  • 倒数7
 
若是用环做PFC电感,在跳的期间是听不到的。有的IC只是在启动的时候会响一下。工作了就不响了、
qq80644864
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  • 2014-9-6 00:10:36
  • 倒数6
 
那如果单单是声音,我就不怕了,灌胶的产品。。。
yimulei
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本网技师
  • 2014-9-17 13:48:02
  • 倒数5
 
PCB好
APECandPANJIT
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本网技师
  • 2015-6-12 14:41:26
  • 倒数4
 
有兴趣可以试一下我们富鼎的mos,高压的coolmos性能也不错,性价比还比较高QQ:3100719808
程英明
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  • 2015-6-30 16:13:56
  • 倒数3
 
规格书先发过来,还有,晶元大小告诉我:?mil
APECandPANJIT
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本网技师
  • 2015-6-30 16:37:14
  • 倒数2
 
luogang565453
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本网技师
最新回复
  • 2015-11-5 19:42:35
  • 倒数1
 
看起来不错,不知道LSD07N65具体怎样。

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