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| | | | | | | | | | | 看之前的帖子,陆版对EMI的理解很深,别吝啬指点哈。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哈,我的观点与你们不一样。
对于以牺牲效率来解EMI的,那是下策,还有很多方法是不会牺牲效率的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 在变压器上搞EMI,多数方法是牺牲效率的。
如:加内屏蔽,减小分布电容(一般会增加漏感)
巧妙一点的,就是用 绕组 和 绕法 去降低,这个基本不牺牲效率,但这个效果也很有限。
降个10多dB打顶了。当然,这种不牺牲效率的办法,我会适当考虑。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没有差模,Y电容值被客户固定为pF级,可改小或不要,但不能改大。
X电容由于空间所限无法加大,只有一个共模了,怎么破? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以说,我们的重点都放在磁性元件共模电感和变压器上了。
客户可不会管你怎么解决,要的是pass的结果。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对于EMI来说,漏感其实是好东西,它可以降低电流的变化速率。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩,能否再细化一下?对EMI的影响有多少dB,在什么频段?
一般是不会通过调漏感来解EMI,主要是通过调原副边寄生电容来改善,由此导致的漏感增加或减小是额外所得。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 2.这里具体是指调节什么?外围的参数还是变压器的绕制?
疏 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 做EMC,前提是不影响性能,其次是不要影响成本。要在EMC、性能、成本做一个综合的平衡 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 20多dB已经是10倍了,如果从0.1mV,压到0.01mV,那是没什么,如果是从1mV,压到0.1mV那就很可观了~ |
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| | | | | | | | | | | | | 从上面的分析可以看出,其实散热片、屏蔽、Y电容,对EMI的作用机理是一样的,即都是为干扰信号提供一条低阻抗回路,让干扰信号返回源端,让其不从LISN经过
——电磁骚扰抑制的核心思想!! |
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| | | | | | | | | | | | | | | 有时候地线加环对传导高频对有很好的抑制,这是怎么回事,不加的不是趁好一个很好的低抗回路吗?请问大师这怎么理解啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 有时候大地线加环对传导高频对有很好的抑制,使共模噪音减小再流回大地。减小高频EMI(多数高频EMI噪音为共模噪音)。
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| | | | | | | | | | | | | 意思是故意加大次级地对大地的电容了? 对于EMI角度来看从来不会这么用,这么用是基于什么考虑?
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| | | | | | | | | | | | | | | 很多三线输入的电源,会这样用的啊。
也是基于EMI考虑,不过是为了辐射。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就是将输出端和外壳用Y电容“短路”,这样就防止高频电场传到负载,最终防止负载成为辐射天线。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 原来是外壳接大地的情况啊。
对于没有外壳的,或者像适配器内部是屏蔽铝壳的,但其接原边地或者副边地的,就无法使用了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 就算是2线输入,没有地,也会造一个“假地”出来的。
本本电源上就常有看到这样的设计。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 整理一下,看是不是这样
如果外壳接大地,三线输入,输出和外壳用Y1电容接初级地,有利传导
如果是两线输入,没有大地 ,输出和外壳用Y1电容接到一个'假地“ 有利辐射。
没拆过适配器,卢工可否图示一个。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 输出和外壳,用Y电容接初级地,对 传导 是不利的,是对辐射有利。
以上说法对笔记本适配器来说是不对的。适配器是绝缘外壳,输出与外壳没有电气连接。
现在的适配器的趋势是小功率化,用一个Y电容,即连接原副边地的或者原边高压到副边地,或者不用Y电容。
对于构造虚地的,大都还是属于副边地。如果是从L或者N拉Y电容到虚地,对于2pin输入的就很麻烦,制程要求增加,也要闪很多安规距离。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果次级有Y电容接地,不就相当于8楼第一个图的右下角的电容么。
这个电容,对传导会有好处么。
如果实测的结果这个电容对传导有好处的话,那这个电源其它地方一定设计不合理。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我做过的几个产品,次级对大地,都要接Y电容。
不接的话,辐射很难搞。
因为,负载成天线了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 负载对辐射的影响,我们也是经常碰到,主要是负载本身存在自谐振频率,不同负载高频阻抗不一样。
用不起你们这样的配置,这种情况一般是从源端解决。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 做产品就是要各方面平衡,找出尽量优的组合。
有个疑问就是:你们测试传导和辐射的时候输出地没有用一根导线接到大地吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没用多余的线。
就电源线,负载线,负载。
可能是产品类型不一样,测法不一样吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的,早期的适配器输出地不需要接到大地,现在都需要输出地接到大地,相当于接了个无穷大的电容。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是的。
输出要接大地的话,那个传导相对就麻烦点。
我上一个项目就是,还好最终还是解决了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电脑电源的输出地接大地,但是一般的适配器,输出地与大地是隔离的啊! |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯 ,这个一般板子有包铜箔的或是散热片的会这样做. |
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| | | | | | | | | | | | | | | 对付CE就有招,第一是让干扰低阻抗的返回到源,避免流向LISN;第二是增加干扰传输路径的阻抗,在骚扰电压强度一定的情况下,流向LISN的骚扰电流会更小。
——电磁骚扰,主要是谈电流,而非电压! |
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| | | | | | | | | | | | | 次级对地不能用小容量的(Y)电容。
因为我们一般定义 次级--- 大地 耐压500VDC(或者AC)
如果次级对地的电容过小,可能会造成新的问题。
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| | | | | | | | | | | 写得好,EMC的化二为一,赞!!
(1)次级整流二极管产生的干扰(反向恢复电感),也会传导的LISN,因此变压器次级也要加屏蔽层;
(2)变压器初/次级之间的Y电容,控制了电磁骚扰的回流路径,避免其流向LISN。 |
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| | | | | | | | | | | 我想请教您两个问题。从您贴出来的图片来理解,干扰信号(电流)都是从开关器件的一极流出流过外面元件之后从另一极流入,比如mos的干扰从漏极流出之后流入源极。
我想问的是,1)干扰信号从开关器件的一极流出另一极流入是只能从安静端流向变化端吗?比如只能从mos的源极流向漏极;2)分析干扰信号路径的时候是不是优先考虑没有电感的回路?因为电感对电流有阻碍作用
谢谢 |
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| | | | | | | | | | | 你这纯属中国人的说法。
科学技术是西方人的东西。
西方人不会在科技面前撒谎。
即使为了挣钱也不会瞎说。
本大师80年前就研究了各种国外的抗干扰方面的资料。
可以说图书馆里有的本大师全都看过。
即使如此本大师都不认为即使西方人能把这个东西说明白。
但他们的确是事实求实地说。
日本人写的书本大师也看过。
虽然收获不大但本大师认为他们至少没有撒谎。
也没有因为奉行天下图书一大炒的中国人所奉行的3光政策。
不懂装懂在国外的书籍里很难见到。
知道多少说多少。
不知道的也实事求是。
而这恰好是中国人的书所无法作到的。
你的这些图都是中国人的书里面抄袭的。
你的第一张图就是不懂装懂的。
因为次级虽然通过分布电容对于大地PE肯定是高频连接的。
但初级也是一样的。
初级没有必要通过变压器的分布电容。
再折腾到次级去高频接PE。
而是初级也有分布电容或Y电容接到了PE。
如此一来。
初级和次级是通过PE而连接在了一起
也就是说所有的用电设备都是对于地球大地PE有电压的。
你无法做到一个即使变压器隔离的次级完全对于大地PE没有电压。
除非你的次级绝缘作的非常好。
那么次级就可以看作是一个电池了。
谢谢大家!
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| | | | | | | | | | | 变压器的中间的屏蔽层应该接PE。
虽然很多电源不使用PE。
但这个PE如果悬浮也肯定没有意义。
一旦屏蔽层接到PE,那么初级和次级就没有可能再互相干扰了。
谢谢大家阿1
而Y电容根据本大师提出的电路定理。
如果2个独立电源的供电电路有2个分布电容连接在一起,那么高频短路其中一个,至少可以减小一半的干扰,或者也可以减小更多的干扰。
因为这2个分布电容可以看作一个干扰电压,一个被高频短路,那么要么这个干扰电压不存在了,要么大幅减小了。
无论变压器的屏蔽层接PE,还是Y电容,其目的就是为了减小初级和次级之间的干扰。
你们国产的书籍资料的说法都不能认识到这最基本的原理。
谢谢大家!
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| | | | | | | | | | | | | 能给推荐一下你看过的觉得不错的国外抗干扰的书吗,谢谢 |
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| | | | | | | | | 那如果MOS是直接趴着锁在金属底壳上的呢?怎么处理?
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| | | | | | | | | | | | | 真的,你的东西超出我的范围,特别你的组织能力分析能力我佩服,所以只能赞了! |
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| | | | | | | | | 这张图看来,就是说共模的话,是只经过变压器的寄生电容来形成回路的,对吗? |
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| | | | | | | | | | | 58楼吗?是的,就是通过变压器的寄生电容Cp形成回路的。 |
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| | | | | | | | | 你这个图(58楼)里面,N端是已经默认连接地了的,对嘛?
然后最左边的电感以及电容和电阻指的是LISN的电感和电阻电容,对么?
如果都是的话,那么N和Ground(59楼的)其实已经短路,N端的共模应该就没有信号了吧,反正接收机也不测试N端的50ohm的电压...
谢谢啦 |
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| | | | | | | | | | | 不是默认接地啊,是对高频信号短路,像副边地我也是画的直接到大地,实际上是通过寄生电容连接的。上面是为了说明信号的流向而简化的。
测试EMI的话,L/N都要测哦。 |
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| | | | | | | | | 帖子看到了59楼这里有些疑问,还请帮忙解答一下:
1.请问噪声源是怎么形成的?
2.这个噪声PWM波的参考地是大地还是pcb的地?
3.简化模型里面noise在cp的右边那么是否说明噪声源在输出侧?正常噪声点不应该是MOS的D极吗?
谢谢!
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| | | | | | | 呵呵,这不是你的问题!
这也不是LISN的发明者的问题。
二是后人对EMC理解错误问题!
本大师不是说你是错误的,而是说EMC规范的诠释者就没说对!
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| | | | | | | 差模路径是这个样子的:
胆敢这样做的原因,是认为共模电压为固定的直流。即共模电压为0。
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| | | | | | | | | | | 可否把LISN的图也摆上来,再画出DM,CM的电流路径,再标出初级加Y1电容,次级加Y1电容,初次级间加Y2电容后的DM,CM电流是哪些,这样就一目了然了。Y电容的作用也就清楚了。 |
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| | | | | | | | | 回复63楼:
你所画的是没有LISN的路径,但上面L/N线上的电感就是LISN电感,有了这电感,路径就不是你所画的这样了。 对LISN的特性,你需要有更深入的了解。
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| | | | | | | | | 从以上模型图可以得知:
要降低共模干扰Vlisn,有多种方法,比如降低Vnoise、增大Z2、减小Z3、增大Z4.
降低Vnoise就是从源端解决了,一般会影响效率,改动太大。
增大Z2,就是减小变压器一二次侧寄生电容,这个目前已是比较优化的结构,改动效果不明显。
减小Z3,可以通过增大Y电容实现。
增加Z4,就是提升输出共模的阻抗。
最后采用什么方法最好呢? |
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| | | | | | | | | | | | | Z4(共模阻抗)如何得到?或者说由哪些因素组成它?谢谢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 用阻抗分析仪测试,它的阻抗与磁环的μ值、圈数、寄生电容有关。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 按照58楼的路径,有两条共模通道,69楼的模型指的是哪条路径的?两条路径的共模输出阻抗不一样吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 58楼的路径是指副边地与大地的寄生电容之间的路径,69楼里的Z3是指Y电容的路径。
一般Y电容远大于副边地与大地的寄生电容,它们阻抗如你所说,是不一样的。 |
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| | | | | | | | | Z1是输入侧Y电容,Z3是输出侧Y电容,对吗?
我看到有的电源在输出侧的正负极都接有Y1到地,有的只有输出负极到地接Y,有什么差别? |
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| | | | | | | | | | | Z1可以看成MOS漏极到原边地的阻抗(一般MOS的散热片接原边地)
Z3是原边地与副边地之间的Y电容
这个模型里的地是靠近MOS的地(信号要有回路,从哪里产生回哪里去)
地是指大地吧?对于输出负极要接到大地的测试,其实接Y电容是没有用的。
你所说的情况对EMI是不利的,更多的是出于辐射考虑,正接还是负接,这个要根据实测结果来看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢啊,现在看到了,我用Pad上网的,浏览起来不怎么方便。 |
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| | | | | | | | | | | | | 加磁珠是为了解辐射的100多MHz的地方,当时输出共模的圈数少,得加磁珠抑制。
后面为了解传导高频的地方,将这个共模增加了两圈,就出现了本例的状况,但没想到对辐射的100多MHz也有好处,可以省了磁珠。 |
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| | | | | | | | | | | 差模更简单了,一般在低频,但如果超了也没有很多招可以解,不像共模,可发挥的地方很多。
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| | | | | | | | | | | MOS啊
其实共模干扰源还有副边二极管的dV/dt,这里没有展开。 |
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| | | | | | | 您好,能麻烦问下这个图是saber仿出来的吗,请问有应该怎样用saber仿噪声分析
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| | | | | 都是去试的多,没有找源头。我用示波器可以找源头。针对性解决。 |
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| | | | | | | 谈谈你用示波器找源头的经验?
平常也会用示波器找哪个器件发出的干扰,但也是找出几个可能的原因,有选择的去下对策。 |
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| | | | | | | | | 这招真的是秘籍啊,艾默生的估计都会。不过也不一定,有的艾默生也看到有没用过。细节很难说清楚,在这里就不公布了,以后我会针对EMC发帖,可以提醒下你,将示波器探头构造接收天线,结合MOS管及二极管的开通关断瞬间波形对照就能发现是从哪里出来的。观看波形的时候还有技巧,哪些是会辐射出来的,哪些有振荡也不一定辐射出来。 |
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| | | | | | | | | | | 你说的这些已经是公开的秘密了,技术人员的流动,把这些技术也传开了。
一些细节的体会可能每个人都不一样。
其实很多时候并不是不知道干扰是从哪里发出来的,而是在纠结采用何种解决方法来解决,找出一种性价比最高的方法。
同时也期待你开个EMC帖啊,理论结合实际的,这样的帖子太少了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 小功率一般EMC简单源头单一,一些大功率,尤其结构复杂,我去年做了个像叠楼房子式的三层楼的结构,功率密度大,找源头是很难的,有反激,PFC, LLC的电源。去年就搞这个EMC花了快半年,因为是过GL 的EMC,比EN55022难度高出不是一点点,最后还是靠技术总监帮忙和我一起才搞出来的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个很厉害啊!佩服!
对于复杂系统,EMC源头比较难定位;功率密度大,下对策也难。 |
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| | | | | | | | | | | | | 请教一下,用频谱分析仪怎么测量,是用一个专门的探头直接与被测总分电气连接吗 |
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| | | | | 大师,有没有Saber的学习资料,刚开始学,不知道怎么开始 |
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