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【龙腾原创】传导超标整改—分析、建模、验证(已完结)

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拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-18 22:41:33
关于传导和辐射整改,实际中看到比较多的是出现超标后,直接尝试不同的方法后找出对策,运气好的第一招就有效几分钟搞定,运气不好的最后一招才搞定可能一周、一个月就过去了。
对于公司有设备的还好,没有的需要外测,费用不菲。


对于传导和辐射整改的整改方法,我自己把它划为两大类:
1、无需费神,体力活(预先列出几十条整改方法,对照着一条条试);
2、结合理论分析和经验,有针对性地下对策。


本帖将结合一个传导超标的案例,进行分析、建模,最后对策验证。
主要目的是演示这个过程,举一反三,在整改的过程中达到事半功倍的效果。




附:
有网友和我讲,他们公司没有EMI设备,无法测试,不知道如何验证分析的正确与否。
其实,没有设备,通过仿真也可以分析,提出对策,为实际的整改提供帮助。
这里专门针对EMI仿真:

EMI传导的仿真分析—基于saber软件
https://bbs.21dianyuan.com/176898.html
forxue
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  • 2014-3-19 13:03:11
 
关注怎么建模分析。
拒绝变帅
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  • 2014-3-19 22:02:20
 
只有在晚上和周末才有时间更新,此帖计划在一个月内更完。
一花一天堂
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  • 2014-3-20 08:20:13
 
gaohq
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  • 2014-3-20 16:29:57
 
关注
huhushuai
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  • 2014-3-20 21:46:28
 
坐等楼主更新啊。
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-21 11:15:31
 
坐等。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-22 20:05:03
 
最近一直在想,如何才能有条理,让人更容易理解和接受。


目前已整理个大纲如下:
1、基础知识回顾
1.1 散热片、屏蔽层、Y电容的作用机理;
1.2 差模噪音路径和模型;
1.3 共模噪音路径和模型。
2、结合一个实际案例,对其分析和建模
2.1 骚扰路径分析;
2.2 建模和模型参数确认;
3、根据分析,提出建议对策
4、进行试验验证
5、结论


本帖会根据以上大纲内容慢慢更新完成,算是自己对所学知识的总结,也欢迎大家提建议和意见一起交流。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-22 22:03:48
 
电脑没有画图软件,只能用PowerPoint来画了!
以反激拓扑为例,下面先看看散热片的作用,见下图:






其中C1为MOS与散热片的寄生电容,C2为散热片与大地PE之间的寄生电容。
散热片悬空时,共模电流icm会通过C2流到大地,从而被LISN拾到,导致共模干扰增加。
散热片接地时,共模电流icm被短路到原边干扰源的地,不经过LISN,即降低了共模干扰。
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-22 23:05:15
 
原来是这样,以前就看到有人说要把散热片接地,但是不知道原理。
拒绝变帅
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  • 2014-3-22 23:10:24
 
希望此帖在EMI理论和实践上对大家都能有些帮助。
not2much
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副总工程师
  • 2014-3-22 23:13:12
 
嘿嘿,我是在催更。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-22 23:29:16
 
涉及到信号流向的需要画图才更直观,没有画图软件,所以更的慢,会加快速度的。

huhushuai
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  • 2014-3-24 22:26:49
 
说的很好,很具体。
Coming.Lu
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  • 2014-3-23 09:22:15
 
嗯,是这样。
悬空时,散热器的大块头,正好当成传导路径了。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-23 18:22:36
 
看之前的帖子,陆版对EMI的理解很深,别吝啬指点哈。
Coming.Lu
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  • 2014-3-23 19:37:01
 
变压器的EMI,我现在懒得搞了,牺牲效率,而且感觉见效不明显。
之前在群里,蒋工点醒了我:变压器的Y电容(Y1电容),所起的作用也就是 20多dB而以。
所以,我现在主要就是以“堵”为主,懒得去费心搞变压器了,还牺牲效率。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-23 20:01:54
 
哈,我的观点与你们不一样。
对于以牺牲效率来解EMI的,那是下策,还有很多方法是不会牺牲效率的。
Coming.Lu
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  • 2014-3-23 20:05:59
 
在变压器上搞EMI,多数方法是牺牲效率的。
如:加内屏蔽,减小分布电容(一般会增加漏感)


巧妙一点的,就是用 绕组 和 绕法 去降低,这个基本不牺牲效率,但这个效果也很有限。
降个10多dB打顶了。当然,这种不牺牲效率的办法,我会适当考虑。
拒绝变帅
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  • 2014-3-23 21:03:59
 
1、大家都知道会增加漏感,但很少人会去进一步想到底增加了多少漏感?比如从原来的10uH变到了12uH,还是20uH?其实微小变动想增加到20uH都很难。
再说说对效率的影响,这里的效率指的是平均效率(25%、50%、75%、100%这4个载的效率和取平均),漏感影响最大的是100%,随着载的降低,漏感的影响越来越小直至可忽略,最后对平均效率的影响很多都是在0.1%以下(具体看漏感增加了多少),基本可忽略。
2、调整绕组对EMI的影响有多少dB,下面这个帖里的74楼我有给出(只是其一):
https://bbs.21dianyuan.com/175391.html

其实说多少dB可能都是基于自己所碰到的情况,主观色彩较浓。
3、以上是基于小功率开关电源来说的,对于你们大功率的,情况可能不一样,而且成本和空间比较宽裕,不需要抠那么细。
Coming.Lu
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  • 2014-3-23 21:34:00
 
一般来说,搞变压器所起的作用,没办法超过Y1电容所起的作用。
是的,小功率,可能不舍得用共模,又或是2线没办法用Y电容,所以比较在意变压器那10多dB的改善。(这是说的10多dB是指本身没有大的设计失误的情况下,再去改善)


我目前的项目,虽不是很重视效率,但热了不爽,所以我还是效率优先。
EMI源头大就让它大,后边我在堵死它就了。
gaohq
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  • 2014-3-24 06:40:29
 
怎么堵 ?
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 07:39:44
 
共模,差模,Y电容,X电容。
拒绝变帅
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  • 2014-3-24 12:50:38
 
没有差模,Y电容值被客户固定为pF级,可改小或不要,但不能改大。
X电容由于空间所限无法加大,只有一个共模了,怎么破?
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 13:03:43
 
没空间,没招。
拒绝变帅
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  • 2014-3-24 19:11:42
 
所以说,我们的重点都放在磁性元件共模电感和变压器上了。
客户可不会管你怎么解决,要的是pass的结果。

huhushuai
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  • 2014-3-24 22:27:25
 
了解了。
小凡凡
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  • 2014-3-24 22:06:59
 
对于EMI来说,漏感其实是好东西,它可以降低电流的变化速率。
拒绝变帅
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  • 2014-3-25 12:30:26
 
恩,能否再细化一下?对EMI的影响有多少dB,在什么频段?
一般是不会通过调漏感来解EMI,主要是通过调原副边寄生电容来改善,由此导致的漏感增加或减小是额外所得。
black_cheung
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  • 2015-3-10 08:48:36
 
2.这里具体是指调节什么?外围的参数还是变压器的绕制?
化二为一
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  • 2014-6-5 09:59:40
 
做EMC,前提是不影响性能,其次是不要影响成本。要在EMC、性能、成本做一个综合的平衡
yanpm
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  • 2014-3-29 13:39:45
 
20多dB已经是10倍了,如果从0.1mV,压到0.01mV,那是没什么,如果是从1mV,压到0.1mV那就很可观了~
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-24 09:21:03
 
了解了。
拒绝变帅
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  • 2014-3-23 19:02:34
 
下面接着8楼的内容:
看看变压器屏蔽层的作用,见下图。



有无Y电容的区别:



从上面的分析可以看出,其实散热片、屏蔽Y电容,对EMI的作用机理是一样的,即都是为干扰信号提供一条低阻抗回路,让干扰信号返回源端,让其不从LISN经过。
lzlrobert
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  • 2014-3-24 13:29:43
 
说的是呢 ....
化二为一
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副总工程师
  • 2014-6-5 10:04:27
 
从上面的分析可以看出,其实散热片、屏蔽Y电容,对EMI的作用机理是一样的,即都是为干扰信号提供一条低阻抗回路,让干扰信号返回源端,让其不从LISN经过
——电磁骚扰抑制的核心思想!!
wenwens
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  • 2014-9-21 23:00:19
 
有时候地线加环对传导高频对有很好的抑制,这是怎么回事,不加的不是趁好一个很好的低抗回路吗?请问大师这怎么理解啊
djsf-22
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  • 2015-8-9 13:42:27
 
有时候大地线加环对传导高频对有很好的抑制,使共模噪音减小再流回大地。减小高频EMI(多数高频EMI噪音为共模噪音)。
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 13:47:51
 
如果是 次级对地的 Y电容,那就不是这作用了。
拒绝变帅
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  • 2014-3-24 19:12:16
 
意思是故意加大次级地对大地的电容了? 对于EMI角度来看从来不会这么用,这么用是基于什么考虑?
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 19:16:00
 
很多三线输入的电源,会这样用的啊。
也是基于EMI考虑,不过是为了辐射。
gaohq
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  • 2014-3-24 21:31:52
 
不明白,可否详细说明下。
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 21:37:43
 
就是将输出端和外壳用Y电容“短路”,这样就防止高频电场传到负载,最终防止负载成为辐射天线。
拒绝变帅
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  • 2014-3-24 22:08:03
 
原来是外壳接大地的情况啊。
对于没有外壳的,或者像适配器内部是屏蔽铝壳的,但其接原边地或者副边地的,就无法使用了。
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 22:12:28
 
就算是2线输入,没有地,也会造一个“假地”出来的。
本本电源上就常有看到这样的设计。
gaohq
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  • 2014-3-24 22:23:01
 
整理一下,看是不是这样
如果外壳接大地,三线输入,输出和外壳用Y1电容接初级地,有利传导
如果是两线输入,没有大地 ,输出和外壳用Y1电容接到一个'假地“ 有利辐射。
没拆过适配器,卢工可否图示一个。
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 22:29:55
 
输出和外壳,用Y电容接初级地,对 传导 是不利的,是对辐射有利。
上边几楼,应该有讨论到为什么不利。


没有图啊,我手上也没有实物。只是好久以前拆过一些,看到很多是那样设计的。
当时也不明白是什么意思,就是很大一块铜皮,或是很大一块薄的全敷铜的PCB,两头都焊到某处。


另外,我姓:陆

gaohq
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  • 2014-3-24 22:39:51
 
Sorry !陆工
Coming.Lu
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  • 2014-3-24 22:40:38
 
没关系,下次不叫错就好了。
拒绝变帅
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  • 2014-3-25 10:26:16
 
输出和外壳,用Y电容接初级地,对 传导 是不利的,是对辐射有利。

以上说法对笔记本适配器来说是不对的。适配器是绝缘外壳,输出与外壳没有电气连接。
现在的适配器的趋势是小功率化,用一个Y电容,即连接原副边地的或者原边高压到副边地,或者不用Y电容。
对于构造虚地的,大都还是属于副边地。如果是从L或者NY电容到虚地,对于2pin输入的就很麻烦,制程要求增加,也要闪很多安规距离。
Coming.Lu
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  • 2014-3-25 10:36:46
 
如果次级有Y电容接地,不就相当于8楼第一个图的右下角的电容么。
这个电容,对传导会有好处么。
如果实测的结果这个电容对传导有好处的话,那这个电源其它地方一定设计不合理。
拒绝变帅
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  • 2014-3-25 11:07:13
 
还以为你说的Y电容接初级地(GND)对传导不利啊,次级地对大地(PE)基本不会接Y电容的,在适配器应用中。
看来最好有图,要不容易误解,尤其是各种地。
Coming.Lu
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  • 2014-3-25 11:35:56
 
我做过的几个产品,次级对大地,都要接Y电容。
不接的话,辐射很难搞。
因为,负载成天线了。
拒绝变帅
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  • 2014-3-25 12:40:18
 
负载对辐射的影响,我们也是经常碰到,主要是负载本身存在自谐振频率,不同负载高频阻抗不一样。
用不起你们这样的配置,这种情况一般是从源端解决。
Coming.Lu
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  • 2014-3-25 13:06:33
 
源端,难啊,降点速度,降点效率,温度就来了。
拒绝变帅
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  • 2014-3-25 18:47:47
 
做产品就是要各方面平衡,找出尽量优的组合。
有个疑问就是:你们测试传导和辐射的时候输出地没有用一根导线接到大地吗?
Coming.Lu
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  • 2014-3-25 18:51:30
 
没用多余的线。
就电源线,负载线,负载。
可能是产品类型不一样,测法不一样吧。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 19:02:46
 
是的,早期的适配器输出地不需要接到大地,现在都需要输出地接到大地,相当于接了个无穷大的电容。
Coming.Lu
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  • 2014-3-25 19:05:09
 
是的。
输出要接大地的话,那个传导相对就麻烦点。
我上一个项目就是,还好最终还是解决了。
huhushuai
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高级工程师
  • 2014-3-26 20:13:22
 
这个帖子,信息量好大,得慢慢学啊。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-26 20:26:11
 
有用就好,后面部分会抓紧更完。
Yelian
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本网技师
  • 2014-3-31 23:31:48
 
我也跟着慢慢学
化二为一
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副总工程师
  • 2014-6-5 10:10:10
 
电脑电源的输出地接大地,但是一般的适配器,输出地与大地是隔离的啊!
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-31 16:08:06
 
嗯 ,这个一般板子有包铜箔的或是散热片的会这样做.
化二为一
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-5 10:08:33
 
对付CE就有招,第一是让干扰低阻抗的返回到源,避免流向LISN;第二是增加干扰传输路径的阻抗,在骚扰电压强度一定的情况下,流向LISN的骚扰电流会更小。
——电磁骚扰,主要是谈电流,而非电压!
小凡凡
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-24 22:12:33
 
次级对地不能用小容量的(Y)电容。
因为我们一般定义 次级--- 大地 耐压500VDC(或者AC)
如果次级对地的电容过小,可能会造成新的问题。

Coming.Lu
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版主
  • 2014-3-24 22:13:57
 
不装,是不是过小?
化二为一
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-5 10:05:17
 
还可能加大电磁骚扰,增加其流向LISN的能量
化二为一
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-5 10:03:20
 
写得好,EMC的化二为一,赞!!
(1)次级整流二极管产生的干扰(反向恢复电感),也会传导的LISN,因此变压器次级也要加屏蔽层;
(2)变压器初/次级之间的Y电容,控制了电磁骚扰的回流路径,避免其流向LISN。
tongyuanju2005
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助理工程师
  • 2015-2-15 18:31:52
 
我想请教您两个问题。从您贴出来的图片来理解,干扰信号(电流)都是从开关器件的一极流出流过外面元件之后从另一极流入,比如mos的干扰从漏极流出之后流入源极。
我想问的是,1)干扰信号从开关器件的一极流出另一极流入是只能从安静端流向变化端吗?比如只能从mos的源极流向漏极;2)分析干扰信号路径的时候是不是优先考虑没有电感的回路?因为电感对电流有阻碍作用
谢谢
windh
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副总工程师
  • 2015-3-10 12:34:00
 
你这纯属中国人的说法。


科学技术是西方人的东西。


西方人不会在科技面前撒谎。


即使为了挣钱也不会瞎说。


本大师80年前就研究了各种国外的抗干扰方面的资料。


可以说图书馆里有的本大师全都看过。


即使如此本大师都不认为即使西方人能把这个东西说明白。


但他们的确是事实求实地说。


日本人写的书本大师也看过。


虽然收获不大但本大师认为他们至少没有撒谎。


也没有因为奉行天下图书一大炒的中国人所奉行的3光政策。


不懂装懂在国外的书籍里很难见到。


知道多少说多少。


不知道的也实事求是。


而这恰好是中国人的书所无法作到的。


你的这些图都是中国人的书里面抄袭的。


你的第一张图就是不懂装懂的。


因为次级虽然通过分布电容对于大地PE肯定是高频连接的。


但初级也是一样的。


初级没有必要通过变压器的分布电容。


再折腾到次级去高频接PE。


而是初级也有分布电容或Y电容接到了PE。


如此一来。


初级和次级是通过PE而连接在了一起


也就是说所有的用电设备都是对于地球大地PE有电压的。


你无法做到一个即使变压器隔离的次级完全对于大地PE没有电压。


除非你的次级绝缘作的非常好。


那么次级就可以看作是一个电池了。


谢谢大家!



windh
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LV8
副总工程师
  • 2015-3-10 12:52:49
 
变压器的中间的屏蔽层应该接PE。


虽然很多电源不使用PE。


但这个PE如果悬浮也肯定没有意义。


一旦屏蔽层接到PE,那么初级和次级就没有可能再互相干扰了。


谢谢大家阿1


而Y电容根据本大师提出的电路定理。


如果2个独立电源的供电电路有2个分布电容连接在一起,那么高频短路其中一个,至少可以减小一半的干扰,或者也可以减小更多的干扰。


因为这2个分布电容可以看作一个干扰电压,一个被高频短路,那么要么这个干扰电压不存在了,要么大幅减小了。


无论变压器的屏蔽层接PE,还是Y电容,其目的就是为了减小初级和次级之间的干扰。


你们国产的书籍资料的说法都不能认识到这最基本的原理。


谢谢大家!



tongyuanju2005
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  • 2015-3-31 21:57:48
 
能给推荐一下你看过的觉得不错的国外抗干扰的书吗,谢谢
oyang314
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  • 2014-3-31 15:21:55
 
俺就想学习这些基础知识,这个贴发的好。
化二为一
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  • 2014-6-5 09:58:09
 
散热片接机壳地,主要是为了更好的散热。
a52632035
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LV3
助理工程师
  • 2020-7-28 16:55:30
  • 倒数8
 
还有一种是散热器直接接大地吧?
海山
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高级工程师
  • 2021-5-19 22:53:13
  • 倒数3
 
那如果MOS是直接趴着锁在金属底壳上的呢?怎么处理?
w137155390
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  • 2014-3-24 22:31:35
 
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mmc_21
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  • 2014-3-25 07:05:01
 
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-25 20:10:59
 
下面看一下共模和差模路径以及对应的简化模型。
这个网上资料不少,不重点讲,主要是为后面的分析做铺垫。
以反激拓扑为例,同时由于副边的dV/dt一般较小,这里省去了,突出主要部分。
下面是差模的路径和模型:


从以上可以看出CbusEMI的影响,尤其是冷热机的差异。
电解的ESR随着温度的升高而降低,有利于干扰信号的流过,这也是一些案例热机后EMI会变好的原因之一。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 20:32:23
 
下面是共模路径和简化模型:





从以上的模型可以看出,不管是差模还是共模,EMI的本质就是欧姆定律。
无非就是串联分压和并联分流,通过各种方法让LISN少分压、少分流而已。
gaohq
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总工程师
  • 2014-3-25 21:11:50
 
把这个贴出来是不是更好一点。LISN

拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 21:17:47
 
挺好 突出LISN部分
eric.wentx
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  • 2014-3-27 23:45:36
 
喜欢这种图!
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 19:26:08
 
文工 在之前那帖子夸图 现在又夸图。。。好歹发表点看法啊


eric.wentx
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  • 2014-3-28 19:43:55
 
真的,你的东西超出我的范围,特别你的组织能力分析能力我佩服,所以只能赞了!
拒绝变帅
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  • 2014-3-28 20:21:52
 
文工太谦虚了~
lzlrobert
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副总工程师
  • 2014-3-28 15:11:39
 
这张图看来,就是说共模的话,是只经过变压器的寄生电容来形成回路的,对吗?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 15:18:45
 
58楼吗?是的,就是通过变压器的寄生电容Cp形成回路的。
lzlrobert
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副总工程师
  • 2014-3-28 16:28:13
 
你这个图(58楼)里面,N端是已经默认连接地了的,对嘛?
然后最左边的电感以及电容和电阻指的是LISN的电感和电阻电容,对么?
如果都是的话,那么N和Ground(59楼的)其实已经短路,N端的共模应该就没有信号了吧,反正接收机也不测试N端的50ohm的电压...
谢谢啦
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-28 18:57:36
 
不是默认接地啊,是对高频信号短路,像副边地我也是画的直接到大地,实际上是通过寄生电容连接的。上面是为了说明信号的流向而简化的。
测试EMI的话,L/N都要测哦。
lzlrobert
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副总工程师
  • 2014-3-29 15:49:29
 
顺带开个贴,接不同地方的Y电容的作用和效果...
拒绝变帅
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  • 2014-3-29 21:04:34
 
支持你去开个哈~
oyang314
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高级工程师
  • 2014-3-31 16:13:37
 
这个CMG大师有开过。
Y电容的跨接方式及其对其他方面的影响响 https://bbs.21dianyuan.com/1873.html
拒绝变帅
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  • 2014-4-14 23:09:54
 
这个帖子不错,推荐学习。
follow_dan
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助理工程师
  • 2020-4-16 11:20:50
  • 倒数10
 
帖子看到了59楼这里有些疑问,还请帮忙解答一下:
  1.请问噪声源是怎么形成的?
  2.这个噪声PWM波的参考地是大地还是pcb的地?
  3.简化模型里面noise在cp的右边那么是否说明噪声源在输出侧?正常噪声点不应该是MOS的D极吗?
谢谢!
windh
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  • 2014-3-25 22:38:25
 
呵呵,这不是你的问题!


这也不是LISN的发明者的问题。


二是后人对EMC理解错误问题!


本大师不是说你是错误的,而是说EMC规范的诠释者就没说对!



windh
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副总工程师
  • 2014-3-25 22:42:10
 
差模路径是这个样子的:




胆敢这样做的原因,是认为共模电压为固定的直流。即共模电压为0。





windh
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  • 2014-3-25 22:46:50
 
共模噪音的路径是这样的:




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  • 2014-3-25 23:05:06
 
可否把LISN的图也摆上来,再画出DM,CM的电流路径,再标出初级加Y1电容,次级加Y1电容,初次级间加Y2电容后的DM,CM电流是哪些,这样就一目了然了。Y电容的作用也就清楚了。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 08:56:57
 
我上面的图就有LISN啊,你还有哪里不清楚的?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 09:30:59
 
回复63楼:
你所画的是没有LISN的路径,但上面L/N线上的电感就是LISN电感,有了这电感,路径就不是你所画的这样了。 LISN的特性,你需要有更深入的了解。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-25 22:28:22
 
下面进入第二部分,实际案例。
这是个90W的例子,PFC+flyback的两极结构。基本情况如下:
1、桥前的EMI滤波器架构是:小X电容+小共模+大X电容+大共模;
2、后就是PFC+flyback电路,重点不讲电路,这里就不画图了;
3、原副边的地之间接有Y电容,Y电容的一个脚套有磁珠;
4、输出端的Vo与GND之间有个小共模。
现象是这样的:(测试时输出GND与大地连接)
冷机



热机后



从以上波形可以看出,热机后在15~16MHz的传导变差很多
裕量不足,需要整改,目标是达到>=10dB的裕量。


拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 20:22:40
 
下面对先对现象分析一下:
传导在10几MHz的高频处超标,一般是共模干扰超标引起的。
测试是输出与地连接的情况下超了,说明地线参与了耦合干扰,从这也证明了这是共模干扰超标。
此共模干扰从源端产生,经变压器的一二次侧寄生电容传到次级,一部分被Y电容传回原边,另一部分经过输出端的共模阻隔后通过负载的接地线传到LISN。


根据以上分析以及58楼的共模路径图,建立如下模型:


其中:
Z2为变压器一二次侧寄生电容的阻抗;
Z3为Y电容和所串的磁珠的阻抗;
Z4为输出共模的阻抗;
Z5为LISN的阻抗。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 20:51:29
 
从以上模型图可以得知:
要降低共模干扰Vlisn,有多种方法,比如降低Vnoise、增大Z2、减小Z3、增大Z4.
降低Vnoise就是从源端解决了,一般会影响效率,改动太大。
增大Z2,就是减小变压器一二次侧寄生电容,这个目前已是比较优化的结构,改动效果不明显。
减小Z3,可以通过增大Y电容实现。
增加Z4,就是提升输出共模的阻抗。


最后采用什么方法最好呢?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 20:01:49
 
楼层有点乱,请转到76楼。
一花一天堂
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-27 20:07:47
 
Z4(共模阻抗)如何得到?或者说由哪些因素组成它?谢谢
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-27 20:30:05
 
用阻抗分析仪测试,它的阻抗与磁环的μ值、圈数、寄生电容有关。
一花一天堂
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-27 20:35:29
 
按照58楼的路径,有两条共模通道,69楼的模型指的是哪条路径的?两条路径的共模输出阻抗不一样吧?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 20:52:56
 
58楼的路径是指副边地与大地的寄生电容之间的路径,69楼里的Z3是指Y电容的路径。
一般Y电容远大于副边地与大地的寄生电容,它们阻抗如你所说,是不一样的。
一花一天堂
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LV8
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  • 2014-3-27 20:59:26
 
~ thanks ~
化二为一
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副总工程师
  • 2014-6-5 10:15:39
 
在输出如+5V与GND上面串联共模电感
gaohq
  • gaohq
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LV10
总工程师
  • 2014-3-26 22:04:01
 
Z1是输入侧Y电容,Z3是输出侧Y电容,对吗?
我看到有的电源在输出侧的正负极都接有Y1到地,有的只有输出负极到地接Y,有什么差别?
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-26 22:38:24
 
Z1可以看成MOS漏极到原边地的阻抗(一般MOS的散热片接原边地)
Z3是原边地与副边地之间的Y电容
这个模型里的地是靠近MOS的地(信号要有回路,从哪里产生回哪里去)


地是指大地吧?对于输出负极要接到大地的测试,其实接Y电容是没有用的。
你所说的情况对EMI是不利的,更多的是出于辐射考虑,正接还是负接,这个要根据实测结果来看。

拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-27 20:27:39
 
接着71楼继续: 经过实测,增大Y电容可以降5dB,但会导致漏电流超出客户规格,无法导入。
那就看增加Z4阻抗了,其实热机后会变差也是由于Z4的阻抗特性发生了变化,尝试过降低Z4的温度,但由于电流较大,温度仍然较高,效果不明显。
难道没办法了吗?






细看69楼的模型,Z3回路还包括磁珠的阻抗,是否可以通过去掉磁珠来解决呢?
下面去掉后的实测效果:




结果是改善3~4dB,虽然没有加大Y电容的效果好,但有足够的裕量了,同时不影响效率,还降低了成本,两全其美啊!

其实还得去确认下辐射,结果辐射在30M~40M的地方变差了2dB
好在即使变差也有足够的裕量,不用再去头疼了。
至此,问题解决。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 20:28:57
 
楼层有点乱,重新发一下。
一花一天堂
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副总工程师
  • 2014-3-27 20:30:26
 
帮看下75楼呀。。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 20:34:52
 
已回复,是否还有疑问?
一花一天堂
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副总工程师
  • 2014-3-27 20:37:59
 
谢谢啊,现在看到了,我用Pad上网的,浏览起来不怎么方便。
一花一天堂
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副总工程师
  • 2014-3-27 20:40:06
 
请参见81楼,thanks
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 21:05:00
 
说在后面的话:
此帖通过分析、建模和最后验证,说明了传导整改是有章可循的,有了理论指导,实践起来就会事半功倍。
案例本身不难,希望是通过例子能够举一反三,在整改中发挥作用。
技术这东西,说穿了就那么回事,在没说穿的时候又有多少人可以自己看穿。


本帖的内容已全部更新完毕,欢迎大家提出自己的见解。
同时大家在整改过程中如有什么问题也可以提出,大家一起探讨。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-3-27 22:37:54
 
有网友和我讲,他们公司没有EMI设备,无法测试,不知道如何验证分析的正确与否。 其实,没有设备,通过仿真也可以分析,提出对策,为实际的整改提供帮助。
下面专门发了个EMI仿真:
EMI传导的仿真分析—基于saber软件

https://bbs.21dianyuan.com/176898.html
感兴趣的一起来吧。
小法
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副总工程师
  • 2014-3-27 23:07:57
 
占个位~~~
tlc0927
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高级工程师
  • 2014-3-28 16:44:05
 
期待着啊
Yelian
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本网技师
  • 2014-3-31 23:59:57
 
有没有整改辐射的啊
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-4-1 20:12:55
 
辐射整改的看情况,毕竟写这个比较费时间。
Yelian
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LV2
本网技师
  • 2014-3-31 23:58:15
 
一开始为什么要加磁珠呢? 加磁珠有什么作用吗?
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-4-1 20:16:14
 
加磁珠是为了解辐射的100多MHz的地方,当时输出共模的圈数少,得加磁珠抑制。
后面为了解传导高频的地方,将这个共模增加了两圈,就出现了本例的状况,但没想到对辐射的100多MHz也有好处,可以省了磁珠。
lzlrobert
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-28 14:28:36
 
这个图清晰明了...
ding
lzlrobert
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-28 14:34:25
 
如果补充上差模的话,这贴就全了...嘿嘿嘿
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-28 14:50:51
 
差模更简单了,一般在低频,但如果超了也没有很多招可以解,不像共模,可发挥的地方很多。
lzlrobert
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LV8
副总工程师
  • 2014-3-28 14:45:18
 
此共模干扰从源端产生,这个源端是指?
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-3-28 14:51:21
 
MOS啊
其实共模干扰源还有副边二极管的dV/dt,这里没有展开。
zengt
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本网技师
  • 2019-12-3 14:50:22
 
您好,能麻烦问下这个图是saber仿出来的吗,请问有应该怎样用saber仿噪声分析
lansunhsu
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副总工程师
  • 2014-3-28 16:50:34
 
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井底蛙
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  • 2014-3-31 16:49:19
 
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burning520999
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高级工程师
  • 2014-4-15 22:05:09
 
都是去试的多,没有找源头。我用示波器可以找源头。针对性解决。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2014-4-15 22:08:57
 
谈谈你用示波器找源头的经验?
平常也会用示波器找哪个器件发出的干扰,但也是找出几个可能的原因,有选择的去下对策。
burning520999
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LV6
高级工程师
  • 2014-4-15 22:15:19
 
这招真的是秘籍啊,艾默生的估计都会。不过也不一定,有的艾默生也看到有没用过。细节很难说清楚,在这里就不公布了,以后我会针对EMC发帖,可以提醒下你,将示波器探头构造接收天线,结合MOS管及二极管的开通关断瞬间波形对照就能发现是从哪里出来的。观看波形的时候还有技巧,哪些是会辐射出来的,哪些有振荡也不一定辐射出来。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-4-15 22:23:43
 
你说的这些已经是公开的秘密了,技术人员的流动,把这些技术也传开了。
一些细节的体会可能每个人都不一样。
其实很多时候并不是不知道干扰是从哪里发出来的,而是在纠结采用何种解决方法来解决,找出一种性价比最高的方法。
同时也期待你开个EMC帖啊,理论结合实际的,这样的帖子太少了。
burning520999
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LV6
高级工程师
  • 2014-4-15 22:33:38
 
小功率一般EMC简单源头单一,一些大功率,尤其结构复杂,我去年做了个像叠楼房子式的三层楼的结构,功率密度大,找源头是很难的,有反激,PFC, LLC的电源。去年就搞这个EMC花了快半年,因为是过GL 的EMC,比EN55022难度高出不是一点点,最后还是靠技术总监帮忙和我一起才搞出来的。
拒绝变帅
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LV10
总工程师
  • 2014-4-15 22:37:10
 
这个很厉害啊!佩服!
对于复杂系统,EMC源头比较难定位;功率密度大,下对策也难。
化二为一
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LV8
副总工程师
  • 2014-6-5 10:17:06
 
我们主要用频谱分析仪近场探头整改
Theartong
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LV2
本网技师
  • 2015-7-2 15:54:39
 
请教一下,用频谱分析仪怎么测量,是用一个专门的探头直接与被测总分电气连接吗
ww2849
  • ww2849
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LV6
高级工程师
  • 2015-5-12 21:29:21
 
支持!
xyyzhong
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本网技师
  • 2015-8-12 18:08:57
 
Mark 学习
额滴神呐
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高级工程师
  • 2015-10-20 21:43:22
 
大师,有没有Saber的学习资料,刚开始学,不知道怎么开始
小胜
  • 小胜
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高级工程师
  • 2015-12-9 09:28:28
 
楼主牛呀,这个建模很给力
clwclw
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  • 2016-7-16 11:44:38
 
向楼主学习,不愧是精华帖,EMI讲得好
ljzmax
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本网技工
  • 2016-7-27 10:38:55
 
Mark 一下

gang8013
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高级工程师
  • 2016-10-25 19:27:37
 
强帖留名~~~~~~~~~~~~~~~

A_MOKE
  • A_MOKE
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LV3
助理工程师
  • 2019-11-2 00:22:13
 
谢谢谢谢谢谢
yueer99
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高级工程师
  • 2020-1-8 11:12:45
 
学习了,牛!
zgl18079938011
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  • 2020-1-10 19:41:53
 
牛呀 牛
xie_guos
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高级工程师
  • 2020-4-15 10:03:41
 
学习了,感谢分享~
soso886
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本网技师
  • 2020-5-6 21:25:34
  • 倒数9
 
好东西,学习,谢谢。
wyxdy2014
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副总工程师
  • 2020-8-2 11:02:27
  • 倒数7
 
阿彬
  • 阿彬
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  • 2020-10-27 18:49:34
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sonny9665
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高级工程师
  • 2021-1-12 19:25:36
  • 倒数5
 
学习一下
l13787908861
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LV4
初级工程师
  • 2021-1-13 09:41:32
  • 倒数4
 
感谢楼主分享,可以好好学习了 。
moon_qi
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高级工程师
  • 2021-7-24 13:20:33
  • 倒数2
 
非常好!!
health008
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本网技工
最新回复
  • 2022-2-16 15:06:18
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佩服
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