世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
精华
讨论

【龙腾原创】米勒平台形成的原理

[复制链接]
查看: 19068 |回复: 74
1
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-3 12:26:14
首先感谢greendot老师,一花一天堂和荨麻草,感谢你们的帮助让我理解了MOSFET开通与关断时米勒平台的形成原理。附件中的这篇文档是这几天的讨论结果,写的不好,而且还有很多需要仔细琢磨的地方。如果不对之处,还请大家指正。



米勒平台形成的原理.pdf


编辑原因:添加对电压尖峰的说明和仿真结果,修改文档格式。
roc171
  • roc171
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1549
  • |
  • 主题:66
  • |
  • 帖子:605
积分:1549
LV6
高级工程师
  • 2014-7-3 12:27:22
 
先下了看看,一直想了解这方面的知识呢
roc171
  • roc171
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1549
  • |
  • 主题:66
  • |
  • 帖子:605
积分:1549
LV6
高级工程师
  • 2014-7-3 12:29:57
 
两位高手的图真的是一针见血,受教了
YTDFWANGWEI
  • 积分:99949
  • |
  • 主题:139
  • |
  • 帖子:44042
积分:99949
版主
  • 2014-7-3 12:41:53
 
冒号
  • 冒号
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:465
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:155
积分:465
LV6
高级工程师
  • 2014-7-3 17:20:37
 
杂散电感论我持反对意见,试验与理解也认为有误
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-3 21:55:25
 
请说说看
djsf-22
  • 积分:393
  • |
  • 主题:14
  • |
  • 帖子:108
积分:393
LV4
初级工程师
  • 2014-7-7 13:21:46
 
不错耶
冒号
  • 冒号
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:465
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:155
积分:465
LV6
高级工程师
  • 2014-7-17 01:52:50
 
呵呵,很久不来,今天半夜来看一眼,有空再回复
gh_nathan
  • 积分:497
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:13
积分:497
LV6
高级工程师
  • 2019-6-13 11:09:49
  • 倒数2
 
我也觉得这个分析有问题
HUZHIYUAN0
  • 积分:1169
  • |
  • 主题:4
  • |
  • 帖子:365
积分:1169
LV6
高级工程师
  • 2014-7-3 21:59:31
 
就是Cgd嘛
sskthh
  • sskthh
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:644
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:222
积分:644
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 20:32:21
 
不错的呢!
surface
  • 积分:442
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:114
积分:442
LV6
高级工程师
  • 2014-9-5 19:31:20
 
就是的本来以为有什么特别的呢
胡庄主
  • 积分:2183
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:556
积分:2183
版主
  • 2014-7-3 22:26:02
 
整理地相当好。
eric.wentx
  • 积分:45690
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:16979
积分:45690
版主
  • 2014-7-3 22:38:44
 
与庄主一起,可以练到九重的上重境界了.
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-3 22:48:26
 
我也是看了庄主的那篇帖子后,产生了兴趣,然后去查的。
大工
  • 大工
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:370
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:131
积分:370
LV4
初级工程师
  • 2014-8-1 14:14:23
 
MOSFET的小信号模型是怎么得来的呢?
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-1 22:42:59
 
这个可以查模电书,一般都有讲解。
laker
  • laker
  • 离线
  • LV3
  • 助理工程师
  • 积分:274
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:31
积分:274
LV3
助理工程师
  • 2017-9-30 10:41:17
  • 倒数7
 
楼主,这个MOSFET的小信号模型,怎么得到的啊?书上没找到,谢谢。

sskthh
  • sskthh
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:644
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:222
积分:644
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 20:32:55
 
什么帖子的,发个链接
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 00:19:05
 
不好意思,才发现文档格式有问题,现已修改并替换。
eric.wentx
  • 积分:45690
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:16979
积分:45690
版主
  • 2014-7-4 02:00:12
 
哈,感觉自己整的文档看起来比较有感觉...
一花一天堂
  • 积分:4066
  • |
  • 主题:34
  • |
  • 帖子:1892
积分:4066
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 07:58:50
 
呵呵, 我要收版权费 ~
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 09:33:30
 
要不咱两分成,你九我一,只要有的赚就行。
一花一天堂
  • 积分:4066
  • |
  • 主题:34
  • |
  • 帖子:1892
积分:4066
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 09:37:31
 
你这么厚道,我就不要了。
shiyunping
  • 积分:8985
  • |
  • 主题:51
  • |
  • 帖子:3936
积分:8985
LV8
副总工程师
  • 2014-7-7 12:48:36
 
你是否能用最简单的电路把米勒平台形成的电压曲线实验模拟出来呢?
surface
  • 积分:442
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:114
积分:442
LV6
高级工程师
  • 2014-9-5 19:32:30
 
免费的才能比较受欢迎哦
我是谁
  • 积分:2027
  • |
  • 主题:104
  • |
  • 帖子:756
积分:2027
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 08:18:33
 
有些运放构成的电容倍乘器就是米勒原理
sskthh
  • sskthh
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:644
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:222
积分:644
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 20:35:54
 
电容倍乘器?
fugems
  • fugems
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:2147
  • |
  • 主题:6
  • |
  • 帖子:635
积分:2147
LV8
副总工程师
  • 2014-7-4 09:20:26
 
以前也看过一些文档及相关的仿真,确实如此。
所以在Layout时一定要缩短驱动回路的路径,还要避免桥臂的大信号干扰驱动信号,在大功率电源、高频的拓扑(200kHz以上)及变压器隔离驱动等中显得尤为重要。
感谢LZ与各位高手的分享!
wxj1220
  • 积分:1126
  • |
  • 主题:13
  • |
  • 帖子:354
积分:1126
LV6
高级工程师
  • 2014-7-4 17:25:44
 
是的,最近就看到一个客户的电源,驱动是从MOS的S极采样电阻下走的,对EMI还是有一定影响的 
Bodoni
  • 积分:11430
  • |
  • 主题:239
  • |
  • 帖子:5049
积分:11430
LV10
总工程师
  • 2014-7-5 23:39:27
 
这个驱动信号与Drain端的距离远近,会有比较大的关系,
记得Fairchild的应用资料特别提到这个。

mmc_21
  • mmc_21
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:5310
  • |
  • 主题:78
  • |
  • 帖子:825
积分:5310
LV8
副总工程师
  • 2014-7-7 12:30:01
 
mt4062
  • mt4062
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:350
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:30
积分:350
LV4
初级工程师
  • 2014-7-17 11:34:45
 
看了楼主的总结,了解了好多以前模糊甚至忽略的东西,现在有个疑问,总的栅极电荷除了给Cgd和Cgs充电,还有部分哪去啦?
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-7-17 12:36:47
 
貌似只有这两个去处吧。。。
mt4062
  • mt4062
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:350
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:30
积分:350
LV4
初级工程师
  • 2014-7-17 15:10:09
 
不好意思理解错啦

[img]http://bbs.21dianyuan.com/file://Cocuments and SettingsAdministratorApplication DataTencentUsers1483924729QQWinTempRichOle4%_O@6R$Q(LS(EG9DUQC{AI.jpg[/img]

wxj1220
  • 积分:1126
  • |
  • 主题:13
  • |
  • 帖子:354
积分:1126
LV6
高级工程师
  • 2014-8-4 11:45:11
 
我给来点形象的。


wxj1220
  • 积分:1126
  • |
  • 主题:13
  • |
  • 帖子:354
积分:1126
LV6
高级工程师
  • 2014-8-4 11:46:09
 
图中,信道1.Vgs
信道2.Vds
信道3.Id
leoliang
  • 积分:4580
  • |
  • 主题:57
  • |
  • 帖子:1422
积分:4580
版主
  • 2014-8-4 16:03:34
 
实际防真电路等效电路不是那样的。应该是这样的,你仿一下看到的效果就会不一样了。




not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-5 04:12:40
 
Leo好!以下是我的仿真结果,参照的还是RF540。由于没有找到gate端的等效电感和电阻,也没有Coupling Cap, 所以我将这些在仿真中忽略了。不知道这些参数的影响大吗?



我貌似没有看到什么区别


大工
  • 大工
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:370
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:131
积分:370
LV4
初级工程师
  • 2014-8-5 08:08:44
 
有什么办法可以尽量消除米勒效应呢。
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-5 09:57:51
 
这个貌似消除不了吧,米勒效应是MOSFET的放大效应和Cgd的共同作用。除非能把其中一项降为0.
YTDFWANGWEI
  • 积分:99949
  • |
  • 主题:139
  • |
  • 帖子:44042
积分:99949
版主
  • 2014-8-5 10:47:44
 
为什么要消除掉呢
大工
  • 大工
  • 离线
  • LV4
  • 初级工程师
  • 积分:370
  • |
  • 主题:8
  • |
  • 帖子:131
积分:370
LV4
初级工程师
  • 2014-8-5 13:33:46
 
感觉波形不好看呀。
wxj1220
  • 积分:1126
  • |
  • 主题:13
  • |
  • 帖子:354
积分:1126
LV6
高级工程师
  • 2014-8-5 16:27:07
 
特意找的米勒平台比较明显的 ,你来个不好看
YTDFWANGWEI
  • 积分:99949
  • |
  • 主题:139
  • |
  • 帖子:44042
积分:99949
版主
  • 2014-8-6 09:15:40
 
有的东西是它娘胎里就带来的,是无法消除的
sskthh
  • sskthh
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:644
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:222
积分:644
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 20:38:34
 
可以看啊
YTDFWANGWEI
  • 积分:99949
  • |
  • 主题:139
  • |
  • 帖子:44042
积分:99949
版主
  • 2014-8-5 08:45:29
 
许工在他的原创帖里,好像提到了等效电感这部分。
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-5 09:58:26
 
刚看了Leo的主页,貌似没找到。
YTDFWANGWEI
  • 积分:99949
  • |
  • 主题:139
  • |
  • 帖子:44042
积分:99949
版主
  • 2014-8-5 10:29:00
 
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-5 10:44:13
 
哎呀,搞错了,我还以为Leo的名字中有“亮”,我去看看。
surface
  • 积分:442
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:114
积分:442
LV6
高级工程师
  • 2014-9-5 19:38:28
 
我等前来学习,我好好看下等效电感部分
dxsmail
  • 积分:2954
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:721
积分:2954
LV8
副总工程师
  • 2014-9-4 11:15:41
 
这个仿真更真实。。。
forget
  • forget
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:2460
  • |
  • 主题:41
  • |
  • 帖子:654
积分:2460
LV8
副总工程师
  • 2014-8-6 09:41:43
 
pdf里面只介绍了米勒平台的形成原理,可是在实际应用中,请问这个米勒平台应该如何消除或者减小他对电路的影响呢?这个米勒平台会对电路有什么不良的影响呢?
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-8-6 10:27:04
 
米勒效应倒不会对电路有多少的影响,并且很难消除掉。
119985894
  • 积分:255
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:22
积分:255
LV3
助理工程师
  • 2014-9-4 00:28:48
 
会不会因为等效电感导致平台跌到Vth以下,使MOS误动作?
not2much
  • 积分:3326
  • |
  • 主题:38
  • |
  • 帖子:1249
积分:3326
LV8
副总工程师
  • 2014-9-4 02:17:16
 
能详细说说“因为等效电感导致平台跌到Vth以下”这个现象吗?哪里的等效电感?
eric.wentx
  • 积分:45690
  • |
  • 主题:485
  • |
  • 帖子:16979
积分:45690
版主
  • 2014-8-6 13:39:06
 
forget
  • forget
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:2460
  • |
  • 主题:41
  • |
  • 帖子:654
积分:2460
LV8
副总工程师
  • 2014-8-6 16:27:18
 
感谢文总分享的资料,《Mitigation Methods for Parasitic Turn-on effect due to Miller Capacitor》这个文章讲的不错,4种方法讲解的都很详细,Figure5的Active Miller Clamp Solution不错、
zjxiao886
  • 积分:308
  • |
  • 主题:4
  • |
  • 帖子:39
积分:308
LV4
初级工程师
  • 2014-8-15 13:37:06
 
我也在学习这个
sskthh
  • sskthh
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:644
  • |
  • 主题:32
  • |
  • 帖子:222
积分:644
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 20:34:49
 
学习了!
jx924
  • jx924
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:712
  • |
  • 主题:33
  • |
  • 帖子:123
积分:712
LV6
高级工程师
  • 2014-8-29 14:06:08
 
很好的帖子 要仔细看看
a157670740
  • 积分:1324
  • |
  • 主题:31
  • |
  • 帖子:302
积分:1324
LV6
高级工程师
  • 2014-8-30 10:40:22
 
顶下,学习
yinfucom
  • 积分:197
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:28
积分:197
LV2
本网技师
  • 2014-9-1 19:58:55
 
帮顶一下
surface
  • 积分:442
  • |
  • 主题:5
  • |
  • 帖子:114
积分:442
LV6
高级工程师
  • 2014-9-5 19:28:48
 
让我也好好学习下这个米勒平台
知而行
  • 积分:940
  • |
  • 主题:28
  • |
  • 帖子:151
积分:940
LV6
高级工程师
  • 2014-10-8 09:40:40
 
一直想了解这部分内容,好东西值得分享!
ddxxmm_001
  • 积分:-724
  • |
  • 主题:12
  • |
  • 帖子:18
积分:-724
版主
  • 2015-6-23 16:02:20
 

大道从简
不错!
lahoward
  • 积分:19787
  • |
  • 主题:91
  • |
  • 帖子:5582
积分:19787
LV10
总工程师
  • 2016-4-25 02:59:51
 
一句话可以说清的何须用6页文档且不一定描述清楚。
简述如下:
1)米勒发现MOS(包括晶体三极管)的输出和输入之间存在无法消除的电容于是这个电容称为米勒电容
2)这个电容在MOS管开通过程中会增大,反之减小,也即与Vds有关。
3)这个电容会使Vgs形成一平台于是这个平台称为米勒平台或米勒效应
4)为什么是平台而不是斜台因为Q/C是一个定值
本帖最后由 lahoward 于 2016-4-26 00:32 编辑

nk6108
  • nk6108
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1814
  • |
  • 主题:17
  • |
  • 帖子:575
积分:1814
LV6
高级工程师
  • 2016-5-14 22:18:58
  • 倒数10
 
当 Vgs 到达门槛值时,管子才会开通,管子一开通,DG就好像接在一起,

讯号源经功率通道(漏→源)给 Cgd 充电,漏极电位下降快,栅极电位上升慢,当漏极电位降至接近地电位,反馈作用停止,米勒效应也就不再继续(Cgd 的充电是继续的,不过变成了对地充电)。

edgaogao
  • 积分:1583
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:27
积分:1583
LV6
高级工程师
  • 2016-5-16 16:32:27
  • 倒数9
 
支持,好好学习
oho77
  • oho77
  • 离线
  • LV3
  • 助理工程师
  • 积分:294
  • |
  • 主题:1
  • |
  • 帖子:30
积分:294
LV3
助理工程师
  • 2017-12-7 18:58:12
  • 倒数6
 
大师,有3个问题。1 为何Q/C是一个定值呢?
2 Q指Qgd?Qgd是不是一直会大概保持为datasheet里提到的Qgd。

3 C指Cgd?Cgd是不是会在Vds开始下降时(米勒平台区间内),由于米勒效应保持为Cgd_orignal*(1+A)这样一个定值?A为跟跨导有关的一个系数。
lahoward
  • 积分:19787
  • |
  • 主题:91
  • |
  • 帖子:5582
积分:19787
LV10
总工程师
  • 2017-12-9 07:41:03
  • 倒数5
 
1 为何Q/C是一个定值呢?Q增大的同时C也在增大,因此Q/C是定值。

2 Q指Qgd?是的,但不是datasheet中的Qgd数据,充电不会一瞬间完成,因此Qgd也是逐渐增大最终才会达到datasheet里提到的Qgd。

3 C指Cgd?是的,但Cgd同样是变化的,米勒电容就是Cgd。

   Cgd是不是会在Vds开始下降时(米勒平台区间内),由于米勒效应保持为Cgd_orignal*(1+A)这样一个定值呢?不是的,A实际是非线性的,并且与VDS也是有关系的。如下图所示,图中 gfs 指 A。

gfs.jpg
4,声明本人不是什么大师。

小学渣
  • 积分:1029
  • |
  • 主题:3
  • |
  • 帖子:73
积分:1029
LV6
高级工程师
  • 2016-8-20 16:35:34
  • 倒数8
 
这段时间正在学习MOSFET,学习啦~~
mm163705
  • 积分:4503
  • |
  • 主题:91
  • |
  • 帖子:297
积分:4503
LV8
副总工程师
  • 2018-1-9 13:53:19
  • 倒数4
 
学习了
mypower21DY
  • 积分:5716
  • |
  • 主题:41
  • |
  • 帖子:378
积分:5716
LV8
副总工程师
  • 2019-6-4 09:05:23
  • 倒数3
 
米勒平台,了解下
gaotq83
  • 积分:344
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:12
积分:344
LV4
初级工程师
最新回复
  • 2019-9-18 13:47:37
  • 倒数1
 
多年之后看整理的还是很经典!!!!
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦5层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)28285637 /(13823562357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报

Copyright 2008-2019 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348