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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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| | | | | | | 我也是看了庄主的那篇帖子后,产生了兴趣,然后去查的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 楼主,这个MOSFET的小信号模型,怎么得到的啊?书上没找到,谢谢。
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| | | | | | | | | | | 你是否能用最简单的电路把米勒平台形成的电压曲线实验模拟出来呢? |
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| | | | | 以前也看过一些文档及相关的仿真,确实如此。
所以在Layout时一定要缩短驱动回路的路径,还要避免桥臂的大信号干扰驱动信号,在大功率电源、高频的拓扑(200kHz以上)及变压器隔离驱动等中显得尤为重要。
感谢LZ与各位高手的分享! |
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| | | | | | | 是的,最近就看到一个客户的电源,驱动是从MOS的S极采样电阻下走的,对EMI还是有一定影响的 |
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| | | | | | | | | 这个驱动信号与Drain端的距离远近,会有比较大的关系,
记得Fairchild的应用资料特别提到这个。
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| | | | | 看了楼主的总结,了解了好多以前模糊甚至忽略的东西,现在有个疑问,总的栅极电荷除了给Cgd和Cgs充电,还有部分哪去啦? |
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| | | | | | | | | | | | | 图中,信道1.Vgs
信道2.Vds
信道3.Id |
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| | | | | | | | | | | 这个貌似消除不了吧,米勒效应是MOSFET的放大效应和Cgd的共同作用。除非能把其中一项降为0. |
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积分:109774 版主 | | | | | | 为什么要消除掉呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哎呀,搞错了,我还以为Leo的名字中有“亮”,我去看看。 |
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| | | | | | | 米勒效应倒不会对电路有多少的影响,并且很难消除掉。 |
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| | | | | | | | | 会不会因为等效电感导致平台跌到Vth以下,使MOS误动作? |
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| | | | | | | | | | | 能详细说说“因为等效电感导致平台跌到Vth以下”这个现象吗?哪里的等效电感? |
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| | | | | | | | | 感谢文总分享的资料,《Mitigation Methods for Parasitic Turn-on effect due to Miller Capacitor》这个文章讲的不错,4种方法讲解的都很详细,Figure5的Active Miller Clamp Solution不错、 |
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| | | | | 一句话可以说清的何须用6页文档且不一定描述清楚。
简述如下:
1)米勒发现MOS(包括晶体三极管)的输出和输入之间存在无法消除的电容于是这个电容称为米勒电容
2)这个电容在MOS管开通过程中会增大,反之减小,也即与Vds有关。
3)这个电容会使Vgs形成一平台于是这个平台称为米勒平台或米勒效应
4)为什么是平台而不是斜台因为Q/C是一个定值
本帖最后由 lahoward 于 2016-4-26 00:32 编辑
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| | | | | | | 当 Vgs 到达门槛值时,管子才会开通,管子一开通,DG就好像接在一起,
讯号源经功率通道(漏→源)给 Cgd 充电,漏极电位下降快,栅极电位上升慢,当漏极电位降至接近地电位,反馈作用停止,米勒效应也就不再继续(Cgd 的充电是继续的,不过变成了对地充电)。
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| | | | | | | 大师,有3个问题。1 为何Q/C是一个定值呢?
2 Q指Qgd?Qgd是不是一直会大概保持为datasheet里提到的Qgd。
3 C指Cgd?Cgd是不是会在Vds开始下降时(米勒平台区间内),由于米勒效应保持为Cgd_orignal*(1+A)这样一个定值?A为跟跨导有关的一个系数。
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| | | | | 这么就的帖子还有人回复吗?问一下资料里面MOS的驱动仿真使用的什么软件啊?想使用PSIM仿真,但是G极加了电阻后报错,说是G极浮空。 |
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