 |  | | | | 共有两颗料；用于DIY：2SQ03G和80R1k4CE。 |
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| | | | | 从数据表看；这些料本是为简单反激准谐振设计的。电路元件不算多。
小弟突发奇想；有意将这个电源效率提高到94％，不知可否。
现在首先想到的是去除RCD吸收，改用有源钳位，不知大家有啥意见？ |
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|  | | | | | | 要不了那么麻烦，输出20V/3.25A，输入220VAC，我的样品效率超过95%了，94%不难。 |
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| | | | | | | | | 如何提高效率？是从变压器着手还是用同步整流或其它？万望能提示一下。 |
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| | | | |  | xkw1cn- 积分：131412
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积分:131412 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | 请教几个经验问题：
变压器的漏感多大比较合适？
工厂能保证的值大体在啥范围？ |
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| | | | | | | | | | | 不好说。和骨架结构，绕制方式，屏蔽结构等等有关，这些规范了，批量不会和样品偏差多大。
单一追求效率，100KHz/0.3V测试，我做的几个通常在0.5%以内。 |
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| | | | | | | | | | | | |  神器啊！大师能指点一下吗？
用PQ3030试绕了几个，都在1~2%  |
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| | | | | 突然有个想法，是否可以用MOSFET来整流，减小整流损耗？算了一下；大约1.5%的损耗都在整流桥上。有谁用过？ |
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| | | | | | | MOSFET做整流管需要同步驱动；一共4路。先上个无源驱动试试。 |
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| | | | | | | | | 你是说输入整流桥用mos？几十W的功率不现实，需要过零检测，需要浮驱等等，那是带PFC的电源考虑的事情，也就是无桥PFC了 |
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| | | | | | | | | | | 这里用MOS整流，没打算用维也纳。打算降低损耗而已，所以；可以简单些。 |
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| | | | | | | | | | | | | 没有用过，你可以试试。还要个互感器，估计体积不小，几十W适配器，桥的影响感觉没那么重要 |
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| | | | | | xkw1cn- 积分：131412
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积分:131412 版主 | | | | | | | 智慧的浪花如同海边的美丽贝壳，不抓住就会流失。。。 |
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| | | | | | | 还有一个问题，高压电解容值与功率究竟是啥关系？随着技术和器件提高，电源的适应能力也越强，是否意味着电源可以忍受更大纹波？ |
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| | | | | | | 从理论看，低的ESR电解会带来小的损耗。但是开机冲击是一种类似RLC二介过渡过程的响应。低ESR也意味着系统的阻尼更差而导致电解有过压风险，如另贴所示；使电阻限流成为必须？ |
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| | | | | | | 思考再三，决定在同步整流桥后增加LC无损阻尼网络，以防置过零震荡引起同步自激。 |
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| | | | | | | 这板；暂时不能考虑贴片电容问题了。这种东西性能超好，貌似失效也很可怕。
网络搜寻发现；广州风华高科新开发了失效开路模式的产品，看来失效问题不是一般的严重。不知大师们有没有这方面经验。 |
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| | | | | 电源控制IC是ICE2QS03G，大体上按数据表画的原理，增加了反馈失效时的保护电路。稍后在DYI贴里更新。 |
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| | | | | | | 从性能上讲，C6及FD系列是最好的选择。但是；由于CE有最佳性价比，这次用这个系列。 |
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| | | | | 变压器；先暂等444指导。后级，计划用同步整流输出60V3A左右。
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| | | | | | | 同步整流有自驱和IC驱动两种，关于自驱：
从公开资料看，自驱动基本上都是用变压器同名绕组或一次栅驱动作为同步整流驱动。可这有个严重问题，如果一次不再输出驱动脉冲，就是只要二次输出有电，就意味着同步整流管一旦触发就会一直保持开通；直至变压器饱和或其它条件保护。这如果是接的电池负载，是否就意味着炸鸡的节奏？
这个逻辑来自一次开始驱动功率管，可对于这种过零检测的ZVS；显然逻辑颠倒了。所以；正思考适合这个电路的自驱方案。 |
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| | | | | | | 查了一下同步IC方案，发现基本都是检测D极电压方案，品牌和系列很多，不知道大家比较推崇哪些IC？ |
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| | | | | | | 这个电路里的同步整流IC；是通过检测MOSFET的D-S压降实现同步整流驱动。这种方式被很多IC采用，象IR1166、1167等。既然是用检测压降，那么大家认为多大VDS比较合适？ |
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| | | | | | | | | 试想；如果RDSon足够小，驱动是否会这样动作：
1）由于MOSFET出于关断状态，体二极管整流。由于压降大约0.5~1V，驱动IC侦测到后；将MOSFET打开。
2）MOSFET打开后；电流由体二极管进入沟槽，Vds降为：I×RDSon。
如果电阻非常低；如0.2mohm，是否意味着电流有数安以下时；由于压降小于1mV而使驱动认为电流很小而关闭？至少；从数据表看是如此。
3）MOSFET沟槽关断后；电流从沟道转入体二极管继续整流，由于二极管压降比较大而再次触发同步驱动。。。 |
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| | | | | | | | | 亦或IC有自持功能，继续保持体二极管整流。这样；是否就意味着，高级的同步整流管反而会导致高的整流损耗？ |
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| | | | | | | | | 对于大RDSON的MOSFET，自然不会有这些奇怪问题。但是高的沟道电阻；同样会带来高的损耗。 |
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| | | | | | | | | 这突然联想到一个词“和谐”！这可能是这里选材的最关键，任性不得。 |
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| | | | | xkw1cn- 积分：131412
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积分:131412 版主 | | | | | | 这也行 不过；确实如此。 |
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| | | | | | | 感谢英飞凌提供的这次DIY机会，这贴主要做技术内容提纲。另一贴主要做技术讨论和分享。
https://bbs.21dianyuan.com/210400.html
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| | | | | | | | | PCB设计成两种变压器公用方式；以便大家按自己想法DIY。 |
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| | | | | | | 这种奇特的整流方式；效率特别的高。2A整流输出的裸奔温升12C左右。 |
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| | | | | 计划这款DIY定义为AC85～265V输入，输出DC20V4.5A。诸位有啥建议？烦请不吝赐教。 |
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| | | | | 最近；试了一下有源钳位。这个技术能容忍更宽泛的变压器设计及制造，尤其对大电流反激应用。 |
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| | | | | | | 由于二次需要输出大电流；导致二次绕组厚且匝数很少。如果没有特殊措施；在进线及出线位置会空缺出很大一块三角形空间。
这样；导致了一二次绕组的耦合度下降，漏感由此而增。
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| | | | | | | 有源钳位有效的将吸收漏感能量并回馈给变压器；以正激方式传递给一次。 |
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望指教一二。
难不成又一发明？
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