ZVS 是提高哪部分效率？-综合电源技术-世纪电源网社区

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-1 20:01:54

在MOS 由OFF 状态翻转到ON 状态，这个翻转的过程中：
有两个能量消耗。
1。MOS 的Rds内阻由无穷大变化到零（说的不准确，只是为了表达的方便），同时电感的电流在这个翻转的过程中换流到MOS 的D-S 通道。按照IL^2 * Rds，此谓：交越损耗
2。MOS的结电容Cds储能在MOS 翻转的过程，通过Rds内阻（Rds内阻由无穷大变化到零）泻放到地。
上面两个是无效的损耗。为了提高效率，工程师们无不绞尽脑汁去克服。ZVS 应运而生。
对于2 ，先将MOS的结电容Cds能量完全抽走。也就是先Vds=0 ，再给出驱动信号Vgs。让MOS 的Rds内阻由无穷大变化到零，同时给电感换流。
请问：ZVS 仅仅只对克服2。有帮助吗？对1。交越损耗有何帮助？请大家讨论。。。。

收藏18

		2 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-1 20:10:24
		高手，虽然做了LLC，对这个问题还是一知半解的，刚好出这样的帖子学习。微观的东西还需仔细琢磨， ZVS可以减少turn on/off switching loss... 回复 \| 举报 \|

		3 daidai0406 daidai0406 离线 LV3 助理工程师积分：291 \| 主题：3 \| 帖子：67 访问空间发消息积分:291 LV3 助理工程师 2010-8-1 20:43:10
		如果是ZVS，第1,2两种损耗都没有；如果ZCS，第2种损耗可能存在，所以ZVS更受欢迎，不知这样理解对否? 回复 \| 举报 \|

			8 顶默默顶默默离线 LV6 高级工程师积分：435 \| 主题：7 \| 帖子：151 访问空间发消息积分:435 LV6 高级工程师 2010-8-2 11:51:29
			ZCS在关断时才有优势。。。如果是ZVS，对于第一个损耗，减小了叠加面积所以也减小了损耗。对于第二个损耗，如蓝天兄所言，结电容上的储能已被抽走，从这个意义上说，无能可损了。所以同意楼上的观点回复 \| 举报 \|

		4 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 11:27:19
		自己顶一下。。。回复 \| 举报 \|

			5 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 11:31:29
			哈哈，老兄也对这个感兴趣了啊？回复 \| 举报 \|

				6 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 11:35:53
				这不是看了你那个全桥效率上不去的帖子，有感而发。。。回复 \| 举报 \|

			7 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 11:41:07
			首先纠正你认识上的一个误区：一楼的第一条，并非交越损耗，而是导通损耗。 MOS的损耗，包括两个部分：交越损耗（也叫开关损耗）、导通损耗。 ZVS降低的是第一种，而对第二种损耗是无能为力的。我们知道，开关损耗是随着开关频率的提高而提高的，而开关频率的提高，可以大大减小电源的体积，尤其是磁性器件的体积，提高功率密度。而软开关有助于实现这一目标。软开关的种类很多： 1、负载谐振型。 2、单管准谐振型。这两种，都是调频控制。为了能在PWM控制中，应用软开关，也就有了以下两种： 3、零开关。（也叫PWM控制的准谐振，因为叫着拗口，所以叫零开关，这也是我们最常讨论的软开关形式）。 4、零转换。就软开关的实现形式，又有四种： 1、零电流导通 2、零电流关断（也就是常说的ZCS）。 3、零电压导通（也就是常说的ZVS）。 4、零电压关断回复 \| 举报 \|

				9 顶默默顶默默离线 LV6 高级工程师积分：435 \| 主题：7 \| 帖子：151 访问空间发消息积分:435 LV6 高级工程师 2010-8-2 11:54:37
				关于损耗1，其实我觉得楼主是想表述交越损耗来着，只是不该用那个公式。。。。。。搞的好象是导通损耗。回复 \| 举报 \|

				10 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 12:00:44
				哈哈，我心里就知道如果老兄看了这个帖子肯定会说这不是“交越”损耗。俺在题头专门强调了“翻转的过程中”这个词，这个时间段内MOS 的Rds是从一个很大的值变化到一个很小的值即Vds-on ，是个动态的。严格的说，1楼的公式：I ^2* Rds 应该用积分的形式表达（无乃积分符号打不出来） W= 积分符号 I (t)^2* Rds (t) *d(t) （积分时区：就是翻转的过程 t1,t2）。而导通损耗，就是翻转的过程完全结束后，Rds趋于一个稳定的值（也就是通常说的饱和导通电阻），而此时，电感的电流也完全换流到MOS 的D-S 通道（其实：翻转的过程中，电感的电流也不是完全换流到MOS 通道，先将这个忽略。认为完全是）。如果能完全做到ZVS ，可以说大大控制住交越损耗，开关频率将可以被极大幅度地提高。为什么这样说： 1。MOS 的电容Cds能量完全是抽走到输入电容，重新利用。没有损耗 2. 关于如何控制“变化电阻”的损耗（也就是1楼中的问题1），也正是本贴要讨论的。2楼的回答值得参考。回复 \| 举报 \|

					12 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 12:20:41
					即使你纠正了，说法也不确切。交越损耗，包括导通损耗和关断损耗，很简单，就是场效应管开关过程中电压和电流的积分。 1。MOS 的电容Cds能量完全是抽走到输入电容，重新利用。没有损耗。 Cds的能量不一定非要抽走到输入电容~ 2、关于如何控制“变化电阻”的损耗。实现软开关的话，米勒效应都可以不考虑了，这个变化电阻，更没人关心。回复 \| 举报 \|

						13 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 13:21:31
						交越损耗：场效应管开关过程中电压和电流的积分，这是最严格的定义，也是最直接的。如何将这个“量”进行了分解？可以用： IL 通过变化的Rds + Cds电容通过变化的Rds ，这两个过程来模拟吗？如果可以：如何控制Rds 的变化，就显得很有必要。如果不可以：理由是什么？ Cds的能量不一定非要抽走到输入电容，这我同意。至于能量抽到哪里去了，我不关心，只要不被Rds消耗就行。回复 \| 举报 \|

							18 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:05:10
							IL 通过变化的Rds + Cds电容，这个过程，很难模拟~ 实现了软开关，交越损耗都可以忽略了，谁还关心Rds怎么变化的啊~ 回复 \| 举报 \|

								20 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 14:11:11
								如何才能不让两者重合？微观上，发生了什么呢？回复 \| 举报 \|

									21 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:20:04
									真正的零电压开关，不仅可以减小交越损耗，而且可以消除交越损耗。 Vds Ids 波形没有重叠，或者说在有Ids之前，Vds就已经为零了，这就是宏观表现。至于两者没有重合的原因，方法很多啊，最常见的是谐振，还有线性充放电。比如拿ZVS移相全桥来说，超前桥臂靠的是线性充放电，滞后桥臂靠的是谐振。 Mos管的DS不是并联有电容吗？在mos导通之前，让这个电容上的电压放掉，就是零电压导通了~ 那这个电容上的电压继续谐振，其上电压为负了怎么办？ Mos的DS不还含有内部寄生二极管或者反并联的快恢复二极管呢吗？嵌位一下就是了。回复 \| 举报 \|

					14 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-2 13:22:01
					你最好结合具体电路来说明：在MOS管开通过程中，也就是你说的“这个时间段内MOS 的Rds是从一个很大的值变化到一个很小的值即Vds-on ，是个动态的。”这个过程中，一般是体二极管导通，等到电流反向的时候，MOS管已经处于Rds很小的时候了。这才是真正的ZVS，你前面叙述的还不是ZVS。按照你说的MOS管开通过程中，电容上电压就不可能是零。再好好想想。回复 \| 举报 \|

						16 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 13:26:46
						王兄，1楼的1。2。描述是没有ZVS的情况，MOS一般的工作过程。回复 \| 举报 \|

				11 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 12:01:56
				一看就是高手发言，学习了， ZVS可以减少交越损耗，但是导通损耗就没法了。。回复 \| 举报 \|

					15 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 13:22:53
					导通损耗，是固有的。并且与开关周期无关。。。。回复 \| 举报 \|

						*102* nk6108 nk6108 离线 LV8 副总工程师积分：2004 \| 主题：18 \| 帖子：613 访问空间发消息积分:2004 LV8 副总工程师 2012-6-17 18:40:52
						当交越损耗减至极限，就随频率提高而增加，开关是减小管耗，但只是把温升威胁转化为应力危机，软开关的重点是封顶，抒缓开关应力，也因其渐变的性质而可使管耗再小一些。回复 \| 举报 \|

				*105* xuan7833 xuan7833 离线 LV2 本网技师积分：119 \| 主题：1 \| 帖子：7 访问空间发消息积分:119 LV2 本网技师 2013-3-31 15:31:22 倒数8
				冒昧的问一句，ZVS，ZCS到底指的什么意思，电压或电流只要有一个为零不就没有损耗了吗？那ZVS和ZCS就无所谓谁优势了吧。请指点。。回复 \| 举报 \|

					*108* nk6108 nk6108 离线 LV8 副总工程师积分：2004 \| 主题：18 \| 帖子：613 访问空间发消息积分:2004 LV8 副总工程师 2013-7-4 01:56:27 倒数5
					两者为的都是提高管效，提高总体效率，可以节能，提高管效还有更重要的一层意义，就是关乎管子的安危，没电位差，就造不成电流，ZVS跟ZCS 都是使管子由即将开通至刚刚关断的这段时间内没有电位差，ZVS行的是分(电容旁路)，ZCS用的是堵(电感抽引)，配置不同，利弊自然各异。回复 \| 举报 \|

				*107* zjnuzzl zjnuzzl 离线 LV4 初级工程师积分：307 \| 主题：9 \| 帖子：98 访问空间发消息积分:307 LV4 初级工程师 2013-4-24 15:43:12 倒数6
				你好。关于你对软开关实现形式的四种概括，是不是可以认为： 1、零电流导通不能叫做ZCS ? 4、零电压关断不能叫做ZVS ? 请问零电流导通与零电压关断对实现减小功率损耗有没有实际意义？还是他们纯粹只是个叫法，没实际意义？谢谢回复 \| 举报 \|

		17 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 13:37:55
		soft switching 过程，请大家仔细分析一下。。回复 \| 举报 \|

			19 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:06:49
			这里的Ids，其实包含了mos并联的DS电容及反并联的快恢复二极管里面的电流~ 回复 \| 举报 \|

			22 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 14:23:55
			将VGS 延长了一点。在VGS上升的过程中，Rds有电流吗？回复 \| 举报 \|

				23 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:28:25
				Rds当然没有电流了啊，不然还能叫零电压开关吗？这个电流，可以看到电流方向是从 S流向D的，是通过内部寄生二极管或者反并联的快恢复二极管流过。老兄可能认识上有偏差。 MOS管的Vgs即使驱动电压达到10V，足以驱动MOS至饱和，但DS不一定会有电流的，这时候还要看外围电路。回复 \| 举报 \|

					24 jy02256477 jy02256477 离线 LV6 高级工程师积分：606 \| 主题：18 \| 帖子：56 访问空间发消息积分:606 LV6 高级工程师 2010-8-2 14:32:30
					ZVS主要减小开通损耗，也就是MOSFET在开通一小段时刻产生的大量的损耗（即热量）回复 \| 举报 \|

					25 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 14:35:58
					Mos 管的电流可以双向流动，在VGS 得到满足后，电流可以从D--S ，也可以从S--D 。同步整流下管就是。如何判定，Rds当然没有电流了啊？回复 \| 举报 \|

						26 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:40:24
						这个时候要看外围电路了如果看S比D低1.2V左右，那就是DS被反向嵌位了。回复 \| 举报 \|

							27 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 14:44:55
							这个我同意，电压被体二极管嵌位。关心的电流，有没有经过MOS 内核--Rds呢？为什么只走旁路？回复 \| 举报 \|

								28 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 14:48:22
								老兄的问题，总是别出心裁啊~ 这个就难住我了~ 回复 \| 举报 \|

									29 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 15:03:31
									这就是我为什么一直关心MOS 的内核----Rds 我们一起来看MOS 的输出转移曲线Ids—Vds和Vgs三者之间的关系。相同的驱动Vgs 条件下：在Vds越小的情况下：Rds从无穷大变化到零，零就越彻底，而且过程越快。你用笔在MOS 的输出转移曲线Ids—Vds和Vgs三者曲线上仔细画动MOS工作点 Rds就是工作点到原点连线的斜率。仔细移动, 观察。如果在极限条件下：即Vds=0 ，再给出驱动Vgs呢？所以，零电压开通MOS 的重大意义，不仅仅将Cds能量抽走，另外，能让Rds非常迅速地回到“零”，解决了1楼的第1个问题。其实这个问题：2楼的网友一开始就回答了。。。。。。。回复 \| 举报 \|

										30 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 15:08:26
										真的不是你想的这么回事，老兄~ Rds迅速达到最小，只跟驱动电平的上升速度有关，跟零电压没有半毛钱的关系。而且饱和导通时的电阻Rds近似恒定，这个属于直流损耗的内容，不是软开关所能解决的。实现了零电压，开关损耗可以忽略不计，至于Rds是多快的速度达到最小，更没人关心~ 回复 \| 举报 \|

											31 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 15:16:30
											老兄，我给出了条件：相同的驱动Vgs下。。。。 ZVS 并没有改动驱动，改变的是MOS 珊极电压。是在珊电压5V下，还是在珊电0V 下给出驱动，驱动自己并没有改变。来个假设：如果始终固定珊电压Vds= 10V ，可以说，你永远也得不到饱和电阻Rds。。。。。驱动Vgs 是在珊电压5V下给？还是在珊电0V 下给？Rds有什么不同？就如你上楼所说：你不能肯定：电流为什么只走旁路不走核心---Rds，那么就认为也走好了。所以：Rds控制就关键了。回复 \| 举报 \|

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-2 15:20:14

只要控制在得到饱和电阻Rds之前，DS间就没有电流，不就可以了吗？
Rds下降的慢，慢就慢呗~
直到Rds下降到饱和了，DS再有电流通过，开通时的损耗不也是很小吗

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-2 15:24:30

这是最好不过了。。。。。。。
引入线圈电感不就是么。

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-2 15:29:34

引入线圈电感，常用来实现零电流开关~

								33 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 15:20:17
								bluesky 出答案吧。。我的想法是：Vds电压被体二极管嵌位，，电流方向流过body diode，但此时Vgs并没有导通。。只能走旁路。。不走正路。。回复 \| 举报 \|

									34 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 15:22:26
									哈哈，我没答案。要说有的话，请看我和Zkybuaa的对话。。。回复 \| 举报 \|

									35 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 15:23:53
									呵呵，我做过不少软开关电路的仿真。在零电压导通电路中，电流确实是从反并联二极管中流过，而不会从S流向D。回复 \| 举报 \|

										38 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 15:26:37
										回复 \| 举报 \|

										41 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 15:29:44
										在零电压导通电路中，电流确实是从反并联二极管中流过，而不会从S流向D。？？你当初看Vgs是否有导通呢？？回复 \| 举报 \|

											43 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 15:31:22
											至于理想波形，你随便找本软开关的书，上面都有。至于实验波形，我在那个关于移相全桥的帖子上，贴有零电压的波形。可以参考分析。回复 \| 举报 \|

allen-leon

allen-leon
离线
LV7
版主

积分：11858
|
主题：158
|
帖子：5411

积分:11858

版主

2010-8-2 15:43:28

上面帖子我发的那个图也算是ZVS吧？？

					51 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-2 20:01:34
					我看了半天不知道大家在讨论什么？ 1、如果实现了ZVS，在MOS管开通前，电流通过体二极管，MOS管零电压开通，这个时候即使电流转移到了MOS官由S流向D。有什么关系？ 2、即使MOS管流过大部分电流，是由S流向D，那么也就是存在一个电流换向，有问题吗？跟损耗有什么关系？回复 \| 举报 \|

						52 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 20:23:21
						请仔细观察21楼的图： 1。Vgs在上升沿阶段，Ids是从哪里过？ Rds？Coss？diode？ 2。Vgs在上升沿阶段，Rds如何变化？ 3。Vgs在上升沿阶段：哪些是耗能因素？如何减少耗能？ 4。ZVS讨论的就是：Vgs在上升沿阶段能量如何损耗的。回复 \| 举报 \|

							55 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-2 20:48:56
							1、这个问题重要吗？我觉得无论电流从哪里流都不影响，电流肯定是从阻抗最低的回路走。而无论在硬开关还是软开关，开关速度越快必然造成损耗越小。回复 \| 举报 \|

								56 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 21:14:40
								老兄，ZVS并没有改变驱动信号的速度。。。。。回复 \| 举报 \|

								57 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 08:23:48
								再看54楼的话：开关速度越快必然造成损耗越小。这话说到点子上了。什么叫开关速度？一般的理解是：上升下降沿的时间呗这是宏观的表现。开关速度：也可以定义Rds从无穷大变为0的速度，反之亦然。如何加快Rds动态变化速度？我的帖子已经给出了解释。零点压开通是这样，零电压关闭也是这样。这两个方法也正是软开关的两个方法。另外，ZVS 也同时带来另外一个好处，就是降低了EMI ？想想为什么？在降低交越损耗（其实交越损耗也是一种导通损耗，只不过此时的Rds是动态的。不要老是迷信书本书上没有说的，我们自己心里要说。书也是人写的）的同时，并没有提高驱动信号的驱动速度。用54楼的话来说：降低交越损耗就得提高驱动信号的速度，但ZVS 没有。因为在Vds 0电压状态下，对驱动信号的速度的要求，降低了。为什么？？？？？请参看我建议的MOS 输出特性曲线。回复 \| 举报 \|

									59 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-3 08:45:44
									1、实现了完整的ZVS的开关，可以基本不用考虑开关损耗，因为开关损耗占得比例很小了。 2、按照你的想法肯定是开关速度越快越好我还没明白你想表达的概念是什么？你自己的想法是想表述什么问题或现象？回复 \| 举报 \|

										60 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 08:49:34
										问题就是1楼的 1。 2。问题呀，贴，你没仔细看，哈哈你得说出ZVS 为什么能够减少损耗的理由哇，不要说：电流和电压没有重叠所以没有损耗，这是宏观表现。微观过程得说的清呀，才行。回复 \| 举报 \|

					58 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 08:45:43
					老兄，我将图改了一下，这样是否更能说明问题一点呢。。。。。回复 \| 举报 \|

						61 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-3 09:53:44
						Vgs开始给出的时间点是真实的么？？？回复 \| 举报 \|

						62 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-3 10:04:35
						这个图压根就是有问题的。你是相信试验结果呢，还是相信不知出处的一张图片呢~ 回复 \| 举报 \|

						63 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-3 10:09:16
						你可以仔细看这张时序图。既然认为Vgs上升期间，Ids流过场效应管，场效应管的压降怎么会是零呢~ 场效应管的功耗，就是Vds*Ids在时间上的积分。这时候的Vds是为零的，所以不会有功耗产生。实际过程中，这个压降不会是零，而是一个二极管的压降。只有Vgs达到驱动高电平，过了米勒平台，Ids才会换流。回复 \| 举报 \|

							64 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-3 10:50:51
							什么情况下会出现你这个图的波形？MOS管有电流流过，而且是正向电流，MOS管没有开通但却没有压降？回复 \| 举报 \|

								66 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 11:13:31
								哈哈，这个波形是有问题，俺俺俺。。。只是借过来说明：Ids流过快速变化的Rds，解释这个概念而已。千万不揪着。。。回复 \| 举报 \|

							65 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 11:06:55
							Vgs何时给出？通常实际准谐振的情况是：检测Vds的谷底，到了谷低，就给出Vgs，而此时的Ids电流是反向的。等Ids反向电流回到0。此时的Vgs已经稳定了（也就是Rds已经完全饱和了，正在等着迎接正向Ids电流的到来）我始终觉得：ZVS 在电流反向期间也是有作用的，Vds=0 ，此时的Ids是反向的（从S-D ，至于是从正门还是偏门？先不说），从Vds=0 开始，在随后的Ids是反向期间（这个反向时段称为A ），也正是Vgs开始翻越弥勒平台的期间（换句话说：也正是Rds动态变化的期间）如果，Rds在A 期间就能够充分地，迅速地变到0 ，假想一下：Ids的A 期间的时间是1年。Rds从无穷大变到0，花了3个月。Ids的剩下的9个月时间内还愿意走那该死的体二极管吗？回复 \| 举报 \|

								67 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109888 \| 主题：142 \| 帖子：45927 访问空间发消息积分:109888 版主 2010-8-3 11:17:53
								当RDS减小的正常值后，如果电流还是反向的，（这个是实现ZVS的前提）。那电流应该是通过RDS而不会通过二极管。回复 \| 举报 \|

								68 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-3 11:20:39
								终于明白你要表达什么意思了~ ZVS对这个过程是无能为力的。你考虑得偏了~ 回复 \| 举报 \|

									69 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 11:30:34
									回复 \| 举报 \|

										70 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-3 11:34:19
										无论这时候的Ids走偏门，还是走正门。 MOS两端的压降，都不会超过一个二极管的压降，这个压降形成的损耗，zvs消除不掉。回复 \| 举报 \|

											71 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-3 11:44:21
											走偏门，的确 ZVS 是没有办法消除的，这是固有的缺陷。（电流不反向，就不能创造ZVS条件）看看上68 楼红色相对箭头所示意的，这段电流将从正门Rds通过，体二极管被旁路了。这时MOS D-S 电压将进一步下降。比体二极管电压要低。比如说：体二极管导通电压是0.3V ，此时的MOS 的D-S 只有0.1V 了。。。回复 \| 举报 \|

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-3 11:47:56

事实上，这个时间相当的短。
对于软开关来说，已经降低了交越损耗的90%。对于残存的这点10%的损耗，无需管那么多了。

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 11:52:41

对于更高频率的开关电源，任何一点的损耗都不得了。
只有知道了微观的细节，心中才塌实，有谱。

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 11:50:14

你69楼说的非常对，我严重同意，ZVS 消除不了。只有提高驱动电压Vgs幅度和它的上升速度，让Rds更快地变为0 ，缩短与电流Ids的“相遇”时间。

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-3 12:17:17

这个是换流过程产生的损耗，不可避免，已经过了软开关的过程。
而且软开关的实现，是有助于降低这个换流损耗的。
你可以定量估算下这个损耗，非常小，可以忽略。

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 13:26:48

好，大家都理解我的意思了，参看68楼的图
1. 假如说：Vgs不是在Vds=0 就给出，而是在Vds=2V，3V，4V，。。某一个值。给出和Vds=0 就给出。
Ids走正门损耗有什么区别？
2. 谁能保证：在Vds=0 ，Ids就一定还是处在反向阶段。有没有可能：
Vds=0 ，Ids=0 ？
Vds=0 ，Ids大于0 ？

YTDFWANGWEI

YTDFWANGWEI
离线
LV7
版主

积分：109888
|
主题：142
|
帖子：45927

积分:109888

版主

2010-8-3 14:00:05

1、如果不是在VDS为零的时候就给出驱动，就不是完整意义的ZVS。
2、VDS=0，IDS=0有可能，如果VDS=0，IDS大于零，怎么可能？电流从哪里流？

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 14:04:08

1.你得要说说不完整意义上的ZVS 和完整意义上的ZVS的差别在哪里，不要简单说：完整的ZVS 损耗更小。。。
2. 输入- 励磁电感 - Coss

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-3 14:44:11

1、完整意义的软开关，就是Vgs产生之前，Vds压降为零。这是理想状态，实际情况往往就是Vds被MOS的反并联二极管嵌位为一个二极管的压降，也就是-0.7V。别拿反激准谐振说事，这种拓扑很难实现真正的软开关，它所谓的软开关，也就是检测Vds的谷值，然后产生Vgs，能降低开通损耗而已。

2、你说的第二种情况，根本不可能发生在本贴讨论的电路中。
能实现零电压导通的拓扑，大都可以轻而易举实现零电压关断。像你描述的这个电路通路：输入- 励磁电感 - Coss ，只是发生在开关管关断的时刻。
首先你要理解，我们这里讨论的软开关，学术上的称呼叫零开关，它最原始的称呼是叫：PWM控制的准谐振软开关。凡是零开关，都是双管，包括桥式、有源嵌位正激、有源嵌位反激等等。开关管的导通占空比，一般都是控制在0.5之内，有源嵌位正激可以达到0.7。
那么，你所描述的电路通路，存在于开关管关断的时刻，如果这个电流通路，在开关管将要开通的时刻还存在，那么至少要经过0.3周期，这是不可能发生的。

零开关之所以又叫 PWM控制的准谐振软开关，是因为最初的软开关技术，起源于可控硅桥式逆变电路，利用负载参与谐振，才实现的软开关，但属于PFM调频控制。
而我们的开关电源，属于PWM控制。为了实现PWM控制的软开关，就要弱化这个谐振周期，将开关管的一个开关周期，谐振周期的比例降低，而加大PWM控制的周期。所以，所谓的零开关，是两种控制的融合，是在弱化了谐振周期的前提下，强塞入一个大比重的PWM周期。
你描述的电流通路，其实是个谐振电流通路，如果经过了0.3周期，它还存在，这就违背零开关的原始定义，也就不再是零开关。
但你描述的情况，也不是不会发生。它可能存在负载谐振软开关电源中（包括四种：串联负载串联谐振，并联负载串联谐振，串联负载并联谐振，并联负载并联谐振）。我们常说的负载谐振变换器，其实是括弧中的前两种，常简称为（串联谐振变换器SRC，并联谐振变换器PRC）。
那么你描述的电流通路，存在于这种变换器中，发生了什么情况呢？很简单，它并没有实现软开关。

YTDFWANGWEI

YTDFWANGWEI
离线
LV7
版主

积分：109888
|
主题：142
|
帖子：45927

积分:109888

版主

2010-8-3 16:40:46

呵呵，顶一个，这样蓝天兄弟还有疑问没有？

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 16:48:58

有疑问再提。。。。。。谢谢二位兄台。

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-3 16:58:20

在这个帖子里我主要想表达的思想是：
在Vds小的情况下，给出驱动Vgs信号，能够获得较好/ 较快的Rds转变。减少交越导通损耗。
比如，就象zkybuaa兄上楼所说的反激准谐振，以貌似“完整ZVS”谷底检测方式，给出驱动Vgs，也能很好地提升效率。

YTDFWANGWEI

YTDFWANGWEI
离线
LV7
版主

积分：109888
|
主题：142
|
帖子：45927

积分:109888

版主

2010-8-4 08:45:35

呵呵。那只能说你开始描述的不对，什么叫ZVS？汉语的意思应该是“零电压开关”开关吧？既然说是零电压开关就不存在在电压不是零的情况下给出驱动，如果在不是电压为零的情况下给的驱动，那就不能算ZVS，只能象你说的是近似ZVS。

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-4 09:28:55

软开关 soft switch
零电压开关 ZVS zero voltage switch
零电流开关ZCS zero current switch
零转换开关ZVT zero voltage transition

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-4 09:38:06

请教张兄: ZVT 和 ZVS 有什么区别呢?
模糊地记得,好象说是差不多的意思,只是说法不同而已..

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-4 09:44:24

两者差别大了。
像正激这种单管拓扑，想实现ZVS，就要加入辅助管（嵌位管）。
而嵌位管也是要通过较大电流的，伴有较大功耗。
为了减小辅助管支路的功耗，就想办法把这个辅助管支路并联于主开关管支路的两端。
主管实行PWM控制，而辅助开关管只在主管PWM控制脉冲的前沿和后沿，很短暂的触发导通，协助主管通过谐振等方式实现软开关。这样的话，辅助管支路的功耗就大大减小，效率大大提高。

zkybuaa

zkybuaa
离线
LV8
副总工程师

积分：5639
|
主题：50
|
帖子：3881

积分:5639

LV8

副总工程师

2010-8-4 09:47:51

上述是零转换。
而零开关的话，辅助管导通的时间较长，常见的是与主开关管互补导通。如果辅管不能实现软开关的话，主管实现软开关提升的效率部分，很可能被引入的辅开关管硬开关抵消。

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-4 09:56:30

谢谢张兄。
记得张占松蔡宣三的那本书简单地提到过ZVT 和ZVS 。
等下我再找找资料，结合电路仔细琢磨一下。

HolyFaith

HolyFaith
离线
LV8
副总工程师

积分：8856
|
主题：65
|
帖子：4687

积分:8856

LV8

副总工程师

2010-8-31 17:29:37

这个很对，我刚看到书上的这部分，专门给副管也加了辅助电路，让其实现软开关

HolyFaith

HolyFaith
离线
LV8
副总工程师

积分：8856
|
主题：65
|
帖子：4687

积分:8856

LV8

副总工程师

2010-8-31 17:31:18

那零开关和零转换到底是怎么区分的，什么样的叫开关，什么样的叫转换呢？

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-4 09:32:37

被理解是种幸福 , 就象我看到你这个回答的心情一样.

allen-leon

allen-leon
离线
LV7
版主

积分：11858
|
主题：158
|
帖子：5411

积分:11858

版主

2010-8-4 09:36:29

抓住事情问题的本质，理清之后，就可以了？？

blueskyy

blueskyy
离线
LV10
总工程师

积分：28371
|
主题：129
|
帖子：13401

积分:28371

LV10

总工程师

2010-8-4 09:41:38

继续向大侠们学习........

lansunhsu

lansunhsu
离线
LV8
副总工程师

积分：5969
|
主题：54
|
帖子：2441

积分:5969

LV8

副总工程师

2010-8-11 11:56:28

顶这个！

YTDFWANGWEI

YTDFWANGWEI
离线
LV7
版主

积分：109888
|
主题：142
|
帖子：45927

积分:109888

版主

2010-8-3 12:29:23

1、这个反向电流与正常工作电流相比，是大还是小？
2、这个反向时间与正常工作时间相比能占多大比重？
从上面两点可以计算你所说的这个损耗占导通损耗的的比例，即使将你说的损耗全部去掉，去掉的部分占导通损耗多大比例?
3、即使按照你的说法，也是驱动速度越快，这个过程的损耗会越小。

								*110* zhushouw zhushouw 离线 LV6 高级工程师积分：1323 \| 主题：7 \| 帖子：202 访问空间发消息积分:1323 LV6 高级工程师 2017-3-10 16:53:51 倒数3
								这个时候剩下的9个月果断走MOs沟道啊回复 \| 举报 \|

				50 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 20:00:46
				参看21楼的图，在Vgs上升沿阶段，Ids 是如何通过S-D 的，是走正门“Rds”还是走偏门“Coss，diode”，亦或两者都通过？可以肯定的是： 1）假如Rds真正意义=0 ，Ids 是不会走偏门的。 2）假如Rds较小，可以猜想的到，能有部分Ids电流流过Rds，Rds越小，Ids分流的就越多，就象两个并联的电阻，电流总喜欢走阻力较小的电阻一样的道理。交越损耗，考虑的就是这个VGS上升沿的损耗（题外话：对单个周期而言虽然这个时间很短，损耗不足道。但对于高频率转换开关来说，累计的宏观效果就不能忽略。）有什么办法，让VGS上升沿的损耗变的更小，换就话说：有什么办法让VGS上升沿时间内，Ids的电流更多地从正门“Rds”通过呢？唯一的方法，就是在VGS上升沿时间让“Rds”迅速回到零。如何让“Rds”迅速回到零呢？从我上面建议的MOS 输出曲线Ids—Vds和Vgs 可以找到答案。------就是在VGS来到前，尽可能地降低Vds。所以： ZVS 另一个作用：在Vgs上升沿阶段，让Ids 最大可能地走正门“Rds”，减少了交越期间的“导通”损耗。简单归纳 ZVS作用： 1。抽走Cds能量。 2。Vgs上升沿阶段，让Ids 最大可能地走正门“Rds”，回复 \| 举报 \|

					53 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 20:31:26
					即使走正门 Rds，又怎么样啊？ mosfet的S到D之间的压降，有DS间的反并二极管嵌位着呢~ 回复 \| 举报 \|

						54 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 20:39:04
						电流的平方和电阻的乘积就是消耗功率呀，能量呀。所以ZVS在高电压工作时，优点就很快突出了。电流的平方和电阻的乘积：别小瞧这么点东西。频率高了，就是大问题。无穷小量该小吧，你认为它多小，它就有多小。但是无穷多个加起来，就是积分值了。回复 \| 举报 \|

					96 HolyFaith HolyFaith 离线 LV8 副总工程师积分：8856 \| 主题：65 \| 帖子：4687 访问空间发消息积分:8856 LV8 副总工程师 2010-8-31 17:27:57
					这个说是在关断的瞬间的损耗是很客观的，要的是减小这部分的能量吧？另外那个体二极管的速度比较慢，走偏门的时候，这个损耗还比较大吧回复 \| 举报 \|

			37 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 15:25:54
			ZVS的本质是什么。。。讨论了这么久了。。回复 \| 举报 \|

				39 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 15:28:40
				本质就是在MOS的DS电压下降到零之前，里面没有电流流过~ 回复 \| 举报 \|

					42 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 15:30:57
					在MOS的DS电压下降到零之前，Rds没有电流流过？？？只流过Coss，diode? 回复 \| 举报 \|

						44 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 15:34:50
						应该是这样的~ 回复 \| 举报 \|

							45 blueskyy blueskyy 离线 LV10 总工程师积分：28371 \| 主题：129 \| 帖子：13401 访问空间发消息积分:28371 LV10 总工程师 2010-8-2 15:36:38
							有没有理论依据呀？这是关键点。。。。回复 \| 举报 \|

								48 zkybuaa zkybuaa 离线 LV8 副总工程师积分：5639 \| 主题：50 \| 帖子：3881 访问空间发消息积分:5639 LV8 副总工程师 2010-8-2 17:32:25
								还要什么理论依据阿这是定义，规定。回复 \| 举报 \|

									49 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 18:40:42
									又换句话说：不要原理，只知道定义，恐怕是教条了。。。回复 \| 举报 \|

						46 allen-leon allen-leon 离线 LV7 版主积分：11858 \| 主题：158 \| 帖子：5411 访问空间发消息积分:11858 版主 2010-8-2 15:42:34
						换个说法：当ZVS发生时，mos各个参数表现为如何？回复 \| 举报 \|

		84 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2010-8-3 20:41:57
		对1,2 都有帮助回复 \| 举报 \|

		95 samwei samwei 离线 LV6 高级工程师积分：451 \| 主题：19 \| 帖子：120 访问空间发消息积分:451 LV6 高级工程师 2010-8-26 11:18:31
		顶回复 \| 举报 \|

		99 nestling nestling 离线 LV6 高级工程师积分：722 \| 主题：2 \| 帖子：61 访问空间发消息积分:722 LV6 高级工程师 2010-9-1 16:54:20
		1、说法差不多，但是你算错了，你算的是导通损耗。工程常用的算法是1/6Iu。 2、就是MOS的开通损耗，ZVS也就是省这部分，因为开通前先把Coss上的电荷取走了，在LLC里面就是转化为了感性器件的储能。但是这会加大回路的无功电流分量，在所有带有阻性的器件、回路上会带来损耗，所以有一个相位的折中设计。回复 \| 举报 \|

			*100* HolyFaith HolyFaith 离线 LV8 副总工程师积分：8856 \| 主题：65 \| 帖子：4687 访问空间发消息积分:8856 LV8 副总工程师 2010-9-1 19:15:39
			开通的时候由于电容的作用，开通的慢，关断的时候由于二极管的嵌位作用，损耗也小啊。节省的应该是二部分都有吧？回复 \| 举报 \|

				*101* ppnmby ppnmby 离线 LV2 本网技师积分：102 \| 主题：0 \| 帖子：1 访问空间发消息积分:102 LV2 本网技师 2011-11-11 13:32:29
				好贴！！！！！！！高手啊回复 \| 举报 \|

		*103* daxia4540827 daxia4540827 离线 LV10 总工程师积分：12370 \| 主题：190 \| 帖子：5707 访问空间发消息积分:12370 LV10 总工程师 2012-7-31 00:17:23 倒数10
		开关损耗！回复 \| 举报 \|

		*104* aipoul aipoul 离线 LV6 高级工程师积分：942 \| 主题：1 \| 帖子：77 访问空间发消息积分:942 LV6 高级工程师 2012-8-15 13:23:28 倒数9
		studing ........... 回复 \| 举报 \|

			*106* cx123 cx123 离线 LV6 高级工程师积分：1976 \| 主题：44 \| 帖子：538 访问空间发消息积分:1976 LV6 高级工程师 2013-4-18 21:33:29 倒数7
			回复 \| 举报 \|

		*109* wmy1988 wmy1988 离线 LV6 高级工程师积分：450 \| 主题：20 \| 帖子：170 访问空间发消息积分:450 LV6 高级工程师 2013-10-24 22:29:23 倒数4
		如果MOS两端的电压在其开通前已经下降为零，MOS开通损耗就是零，只剩下导通损耗了，这时再关注开通时等效电阻的变化还有什么特别的意义呢？回复 \| 举报 \|

		*111* zm77 zm77 离线 LV8 副总工程师积分：4596 \| 主题：379 \| 帖子：552 访问空间发消息积分:4596 LV8 副总工程师 2017-6-9 10:24:50 倒数2
		路过.. 回复 \| 举报 \|

		*112* powerwh powerwh 离线 LV2 本网技师积分：195 \| 主题：0 \| 帖子：6 访问空间发消息积分:195 LV2 本网技师最新回复 2018-4-12 16:17:06 倒数1
		学习中！回复 \| 举报 \|