 |  | | | | 米勒平台是由于mos 的g d 两端的电容引起的
即mos datasheet里的Crss 。 |
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|  | | | | 你这个是mos的栅荷系数，一般来说Qgd越小越好啦~ |
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| | | | | | | 米勒电容是指MOSFET的GD之间的电容，那么电源中的米勒效应究竟指的是什么呢？ |
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|  | | | | | | 为啥，中间有一段：Qg在增长，而Vgs却能保持不变？
C=Q / V 的吗？难道说：当电荷量累积到这段“量”的时候，Cgs会发生改变？
也就是说：随着Qg从零开始增长的过程中，有一段范围内：Cgs是会发生改变的。Cgs ：定值------变化 ------定值 |
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| | | | | | | | | 这段是Cgd的充电过程~
Vgs不变，Vds下降~ |
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| | | | | | | | | | | 这个理解，也就是说：删荷系数的那张图 在第一个转折点处：Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。 |
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| | | | | | | | | | | | | 但是，如果保持Vgs不变，如何能让Vds继续下降？ |
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| | | | | | | | | | | | | 变化不明显~~
能让Vds快速下降？你太相信“跨导”的能力了吧。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候，Vgs才开始继续上升。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 可能是俺没有真正掌握Qg的充电过程吧。。。
请帮助详细解释下：
1.Qg = （ ） + （ ）+（ ）+ 。。。
2. Qg的充电过程是怎样的？
谢谢。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你自己看看书就清楚了啊~
很容易理解的~
米勒平台处，Id和vgs的比值，可认为是mos的跨导~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 精通开关电源设计A--Z 里有讲，写的很是复杂，看着 看着 就看不下去了。总认为对这部分只要定性的去了解就可以了，知道有Cgs充电和Vds弥勒效应有这么一会事情就行了，思想的不重视，行为就松散了。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，不去发表文章的话，知道有这么回事是够了。。。 |
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| | | | | | | | | | | 结合9楼和27楼 ，给点意见吧。。。。
以前从未关注这个问题，今天在和网友们交流过程中才学习的。
你可看看俺的发言帖，看学的咋样。。。呵呵。 |
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| | | | | | | | | 问个问题，为什么图上标的条件里面GS间才10V，曲线图最后却到了12V |
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| | | | | 楼主把mos的等效原理图和DS两端的电压波形图一起拿过来对比着看，应该会更容易理解 |
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| | | | | | | 在MOSFET的datasheet中一般都只提到Qg,而不说Cg,我觉得很大程度上是应为Cg是一个变化的量，而Qg相对恒定一些。
有些不太明白，这好似MOSFET的开通过程，应该是Cgd的放电才对，为什么是充电？ |
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| | | | | | | | | datasheet里的参数都是在特定条件下测的
很多时候参数都不能直接用，参考可以~~ |
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| | | | | | | | | Cgd在mos刚开通的时候，通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台 |
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| | | | | | | | | | | 过程确实是这样的。
to~t1: Vgs from 0 to Vth.Mosfet没通.电流由寄生二极管Df.
t1~t2: Vgs from Vth to Va. Id t2~t3: Vds下降.引起电流继续通过Cgd. Vdd越高越需要的时间越长.
Ig 为驱动电流.
开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.
t3~t4: Mosfet 完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg.
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| | | | | | | | | | | | | 上次有个老外研究半导体，从半导体微观上讲了一下整个过程，记得不太清了，那个应该将的很本质 |
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109908
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- 帖子：45931
积分:109908 版主 | | | 在这个平台期，MOS管是要开通的，也就是DS电压下降，那么原来DG之间的电容就要放电，电流为友G到D，也就是说，驱动的电流实际是从G流向了D，没有对GS电容充电，因此VGS电压就出现一个平台。
好像是这样的。 |
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| | | | | | | 似乎是这个理，但是：如果Vgs不变（也就是Vgs平台），如何能让Vds继续下降呢？
拿下面的公式该如何解释？一个△Vds必然产生一个△Vgs 。
△Vgs= △Ids*g = △Vds / Rload * g
g：跨导 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109908
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- 帖子：45931
积分:109908 版主 | | | | | 那要看在什么区域吧？在应用中，平台期后，VGS继续增大，IDS也不会变了吧？ |
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| | | | | | | | | | | 呵呵，平台后期，VGS继续增大，IDS是变化很小，那是因为MOS饱和了。。。，但是，从楼主的图中，这个平台还是有一段长度的。
这个平台期间，可以认为是MOS 正处在放大期。
前一个拐点前：MOS 截止期，此时Cgs充电，Vgs向Vth逼进。
前一个拐点处：MOS 正式进入放大期
后一个拐点处：MOS 正式退出放大期，开始进入饱和期。
以前没有认真对待这个问题，刚刚分析的，不知对否。
俺对：datasheet内“平台段”如此的水平，表示强烈质疑。。。。 |
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109908
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- 帖子：45931
积分:109908 版主 | | | | | | | 有空再查书，记得是这样说的。呵呵。平台平台，会意就OK了, |
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| | | | | | | | | | | | | 上面的平台是为了给读者看的，放大不知道多少倍了，理想处理了~所以水平
看个实测的吧
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 好吧，帖个大的出来~~
这个可以看清楚了吧~~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不好意思，现在还真搞不了这个
这个是很早以前就截图的~
很短啦，比一眨眼还短~~  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 实际中是可观察到的，如果没这意识，稍不注意就被忽略了~~ |
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| | | | | | | | | | | | | 晕，
现在才仔细看了20楼的图，原来人家早就说了。。。。 |
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| | | | | | | | | 当斜率为dt 的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压)，将会增大电容内的电流：
I=C×dV/dt （1）
因此，向MOSFET施加电压时，将产生输入电流Igate = I1 + I2，如下图所示。
在右侧电压节点上利用式(1)，可得到：
I1=Cgd×d(Vgs-Vds)/dt=Cgd×(dVgs/dt-dVds/dt) （2）
I2=Cgs×d(Vgs/dt) （3）
如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs，其漏-源电压Vds 就会下降(即使是呈非线性下降)。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为：
Av=- Vds/Vgs （4）
将式(4)代入式(2)中，可得：
I1=Cgd×（1+Av）dVgs/dt （5）
在转换(导通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为：
Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt （6）
式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。
如有不对，请指教
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| | | | | | | | | | | 请问 “当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应”
这句话如何理解？ |
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| | | | | | | | | | | | | 先说明下，那句话不是我说的 
我对这句话的理解是：当Cgd通过mos放电结束后，Cgd的d端相当于被接到地，g端为驱动电压。所以驱动电压对Cgd充电，分担了驱动电流，使得Vgs上升变缓，出现平台。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这样理解也不对，
Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？ 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgs。
当Cgd通过mos放电结束后，MOS 进入了饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs 的增长也能够让部分电流流想Cds，但主要的门电流是流向Cgs 。门电流的分流比：I1：I2 = Cds：Cgs ，看看电流谁分的多？呵呵。
当mos放电结束后，近似地认为门电流全部流过Cgs，因此：Vgs重新开始增长
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 晕，
俺也是现学现买的。
你看我前面几楼的帖子，就知道俺开始的问题有多么幼稚。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 感觉不能这么分析，本来这就是个动态的过程~~
把一个参数定住了，再分析另一个不可取~
我是这么理解的：
把mos当作一个整体，内部的互相作用可以用“牵一发而动全身”来形容~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哎，这么跟你说吧~~
看你上面的计算，实际上Cgd，Cds是变化的，你怎么算~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | Cgd，Cgs都是没有变的，变化的只是Ceq，Vgs的变化还是可以看出来的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是不是看的datasheet上的说没变？
那是有条件的，你条件变了，焉能不变？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ciss和Coss指的是总的等效的输入和输出电容吧？
不单单是指Cgs和Cgd。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
左边都变化了，右边能不变？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 确实有条件限制，不知道换一个条件是什么情况，有多大的变化？
看来只有在特定的条件下，定量的、分析Vgs的变化趋势了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那阵子是和mos杠上了，想弄清楚它，后来分析到这块的时候，知道它的复杂了~~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哇，真的收益了！想不到引起大家这么多的广泛关注！
放到实际中的问题验证一下：在全桥移相中较为容易引发由米勒效应引起的逆变桥前后桥臂中点电压的尖峰，大家碰到过没有？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 环路太弱了！ 
老兄你的几个帖子都不能参与，以后多多指教~  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 靠~欢迎老弟你参与啊~人多才热闹啊~ 
论坛上，技术问题，可以畅所欲言，说错了大家帮你纠正，说对了，大家受益~ |
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| | | | | | | | | | | 你好，请问米勒效应有什么缺点啊，它会产生电压尖峰吗
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| | | | | | | 那请问在谐振电源，如全桥移相中参与谐振的电容是MOS的Cds还是Coss（Cds+Cgd）？ |
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| | | | | 米勒平台，是米勒效应发生在MOS上的结果。(纯灌水) |
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| | | | | 这个米勒电容式即使放大器中的反向传输电容等效到输入端是电容量是多少的问题，应该在模拟电子技术基础中讲，但是现在都删掉了，不知道，不明白是自然的。
米勒效应是讲党反向传输电容等效到输入端时，其等效电阻为反向传输电容的（1+K）倍，其中K就是放大器的增益，如果这个放大器增益极高，那么米勒效应就会越大。
不怨天、不怨地、就怨模电中没讲。
MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志，试想，应该工作在开关状态的MOSFET在比较长的时间没进入了“放大区”，其损耗该会有多大！因此MOSFET制造商一直致力于尽可能减小米勒电容，甚至整个栅极电荷变换并不大，但是米勒电荷一定要减小！
对于MOSFET的栅极驱动波形中如果出现比较明显的米勒平台，那么损耗一定会超乎预料的。 |
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| | | | | 这个东西前段时间测试过，米勒平台的产生其实就是Ig对CGD的充电过程，此时VGS的电压是不变的。QG的测试波形如下，QG=Ig*t
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| | | | | | | 你好，你的图上绿色波形是Vgs的波形么，如果是，那不是很容易造成mos的误导通？你用什么办法把那个平台去掉那？ |
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| | | | | miller plateau是由于Cgd和Cgs在开关管从off到ON的时候，这两个电容值会有变大（貌似100倍），等效于当以固定电流充电时候，i=c*du/dt，C增大，那么du减小，所以du不会立即变大，所以Vgs在一定时间内不会变大...近似这么理解 |
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| | | | | | | 什么原因导致电容值发生变化的？不是说MosFet的结构已经确定了寄生电容的值了么？ |
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