 |  | | | | 你可以选择1.2KV或者1.5KV 甚至1.8KVMOS+；做单管反激，
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|  |  | | | | | 功率比较小，做单管反激是不是有些浪费了，做反激有什么坏处吗？ |
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| | | | | 1、现阶段已完成了原理图和PCB设计，现在需要设计高频变压器。高频变压器的设计之前虽接触过低压的，但都没有自己设计和深入，现在设计高压的更是一头雾水，分析的不对的和有疑问的还请高手不吝赐教。
关于最大占空比Dmax的选择和初级侧电感量的计算：
单相的Dmax经验值选择0.45，计算出来的Lm=11mh，这个显然觉得有些不正常了，不知道哪里有问题。
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| | | | | | | 高压输入，选择DCM,占空比你要选的低一些;比如你选择1.2KV的MOS， 预设定一个占空比，验证VDS是否在1.2KV安全范围，迭代计算；
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| | | | | | | | | 我选择的是1KV耐压的MOS。根据这个值，选定了一个占空比。
测试了一个类似产品的电源，其PWM占空比一般都是0.06~0.15左右，而其高频变压器的初级侧电感量为1.2mH。
故将最大占空比设置为0.15目前认为是比较合理的。继续设计其他的相关参数。
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| | | | | | | | | | | 请问您的占空比是按照整流后最低电压来选取吗？我最近在试着弄一个三相的，直流电压范围250-800，占空比不知道怎么选取
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| | | | | | | 最后最大占空比按照0.15来进行设计， 初级侧电感计算出来等于1.8mH。
选择EER28的磁芯（PC40）和骨架，最终计算求得初级侧匝数为104匝，次级侧15V的绕组匝数为16，次级侧12V的绕组匝数为13匝。
现已经将高频变压器的图纸发给厂家打样了，PCB也发厂家做样。
后期调试的问题也会及时发出来跟大家共享的。
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| | | | | | | 何出此言呢？本来打算在电阻上面加一个200V的稳压管，设计之初，看了该引脚芯片规格书中最高可以达到700V，应该没有问题吧？你是担心浪涌会搞坏HV吗？ |
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| | | | | 目测上电就炸了，没看ic的资料，但是ic的hv启动，那个mos应该不会集成900v，so，hv启动部分得去掉，用电阻对vcc电容启动，功率小可以考虑qr类型的ic，qr占空比跑到70%也不存在什么大小波问题，稳定得很，而且你会发现，输入电压比较低的时候，他还是，zvs开通 
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| | | | | | | 芯片规格书中参数。
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12.jpg
(58.69 KB, 下载次数: 117)
规格书
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| | | | | | | | | 你也看到表格标注的HV耐压是MAX=700v，是MAX不是MIN哦，三相的交流电可不像我们平时用的220v那样干净，这类型电源，主观上就得往余量大的地方去设计
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| | | | | | | | | | | 感谢提醒，后面我准备在下一版中这个引脚加一个200V的稳压管串联在这引脚上。
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| | | | | 老师做的好漂亮呀。 我也是开关电源同道中人，但我只是初学者，很是希望自己能独立做出一个产品，可是我本专业所限制所以几乎都是靠自学的，不知从何学起，希望老师能指点迷津，拜托了
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| | | | | | | 做的漂亮谈不上还，这个主要还是看性能和后面的调试。现在变压器已经在准备打样了，PCB也已经发出去了，等着板子回来进行调试了。这个论坛里面高手很多的，自己多多摸索，有什么问题自己思考一下，实在不明白的就向论坛里的大神们请教吧。
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| | | | | | | | | | | 目前PCB、高频变压器已经做样回来了，自己对照着规格书进行相关的调试。
测试问题总结：
1、上电后，开关电源无法正常工作输出电压，测试芯片的Gate无PWM输出，测试了VDD电源处的电压波形如下：
经过分析发现是电源进入了保护，进而分析是输入电压Vin引脚处的电压偏低导致的。规格书中写道Vin低于0.7V，PWM输出关断。而我的分压参数选择的是10M和6.8K（实际计算应为10M和68K），所以当Vdc是540V时引脚Vin只有0.3V，所以导致VDD不断通过HV充电，而Gate无PWM输出。属于低级错误，在这里自我批评一下。
本帖最后由 sunquanliang 于 2016-3-11 13:07 编辑
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| | | | | | | | | | | | | 2、更改了Vin处的分压电阻后，电源开始正常工作，先未加负载测试的，开关芯片工作在Green-mode。测试Gate处的波形。测试时发现反馈、PWM都比较正常，单单输出电压测不到（这里需要解释一下，这个PCB上开关电源是给逆变器工作的一部分，母线电源跟逆变器共母线，而次级侧的地是需要连到逆变器的控制地，此处的母线功率地是通过模块内部连接的，简言之就是输出和输入没有共地，而测试输出时，地夹得点不正确，所以导致测试不到输出电压。这个原因是找了好一会儿才发现的），针对测试不到输出电压，对于光耦、TL431外围电路分析了好一会儿才发现这个比较隐蔽的问题。还好已经解决了，后面进行负载调试和VDS等测试。拭目以待吧。 |
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| | | | | | | 我用双管反激做成了一版，也是380V输入的，12V输出，可是毛刺很大，苦恼 |
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| | | | | 很好啊，MOS管用哪个型号？要1200V的管子了吧？ |
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| | | | | | | 选择的是1000V的飞兆的一个MOS管。回来了测试一下VDS，决定是否需要更改选择1200V的MOS，其实好多FAE推荐我使用900V的MOS，我呵呵了，先测一下在决定吧。所有参数都是先按1000V计算出来的。 本帖最后由 sunquanliang 于 2016-3-11 11:48 编辑
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| | | | | 我们最近也要设计一款类似的电源，请问楼主这个方案用下来怎么样？刚开始学电源，想参考一下 |
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| | | | | 您好，我现在也在做三相输入的辅助电压，想请教下你变压器设计时绝缘的问题
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| | | | | 现在在很多厂家沟通的过程中，不少智能电表厂家电源模块都是选用的变压器，三相用mos的比较少。我公司有生产3N120的mos管，相当苦恼。 |
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