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基于新型1200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究

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管理员
  • 2016-7-27 15:12:21
转自 电源学报

《基于新型1200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究

关键词:  碳化硅  宽禁带  双向逆变器  反并联二极管  第3象限

PDF 下载: 基于新型1200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究.pdf (1.41 MB, 下载次数: 451)
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版主
  • 2016-10-18 15:01:01
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这篇文章问题颇多,不知楼主是否可以一一解答?
1)第三页图3,SiC与SiMOSFET是基于啥规格的器件在啥温度下做的对比?这对比图是试图说明SiC优势还是劣势?
总所周知,SiMOSFET有平面、沟槽、超级结都多个品种,特性有很大差异。
从图看;Si MOSFET有更好的夸道增益和噪音抑制力。

2)第四页图4,为啥典型驱动用的是+24-5V?是如何考虑的?
图3的测试曲线范围是10~20V,其后提及也是20V驱动,为啥这里推荐+24V?为啥不用+-24V或+-15V而推荐用+24-5V?
-15V驱动不是有更好的噪音抑制力吗?

3)第四页图5,这些曲线是基于啥啥规格和型号器件测量的?
从曲线看;开关损耗从低到高顺序:
SiC MOSFET---NPT IGBT---Si MOSFET
MOSFET开关损耗不及上一代平面IGBT,显然有违工程数据。烦请公示依据。

4)第四页图(6),不知楼主对比的是啥MOSFET,trr超过了1150nS?
据英飞凌CFD系列CoolMOS产品数据表显示,在而定状态下的trr值,通常是120nS。
从曲线另一面显示,SiC MOSFET测试电流明显小于Si MOSFET,这种状况下;是否有完整的可比性?

5)第六页图10,输出同样电压电流下,母线电压从600V提到800V,损耗大了一倍。
建议楼主说明损耗增加的原因。

6)第六页图10下的论,SiC效率最高98.4%,IGBT最高98.6%。究竟谁的效率高?
三相维也纳整流电压是750~800V,如按此;SiC效率97.2%。与IGBT相比;损耗大了一倍。
按作者所愿望;去掉12W风扇损耗,效率提升0.06%,距离99%还差1.8倍损耗。
不知楼主阐述的SiC优势在哪里?

谢谢!
深圳炫芯微电子
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