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 |  | | | | 这是用来验证上述驱动电路工作原理的pspice电路图，大家看看有没有问题或者疑问，这个原理图，只有被大家一致通过了，仿真结果才有意义，否则仿真结果会得不到认可~  |
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| |  | | | | | | | 电路图就是上面的这个~
需要做啥修改，可以指出来，最后敲定所有的参数，只有得到认可的原理图，仿真结果才有意义~
这个驱动高电平5V，驱动三极管应该足够了，三极管属于电流驱动型器件~ |
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| | | | |  | | | | | | | | 按照两位的指正，我把原理图修正如下，这回没问题吧~
这个属于疏忽，我在办公室仿真用的是15V~
就敲定这个电路图了哈，有意见的继续提~ |
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| | | | | | | | | | | R4接15V意义也不大，试试接+300V与接0V仿真出来有没区别，实际是有少许区别的。 |
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| | | | | | | | | | | | | OK，按照晶斑竹的意见，把电路图改成如下，这回还有意见没？
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| | | | | | | | | | | 大师，输入端的驱动高电平如果是5V（或者是dsp，mcu输出的3.3V），这个电路的输出是不是就不能驱动mosfet的正常开通了？三极管推挽结构只能放大电流不能起到放大电压的作用吧？ |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | 将5改成15，开始点菜
我要驱动信号、Q2管子中电流波形、副边电流波形对应的时序图。 |
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| | | | | | | | | 我点菜：（电压波形）
1。驱动信号
2。Q2的 E
3。变压器初级 1
4。MOS 的G |
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| | | | | | | | | | | 仿真电路和波形如下:
看仿真波形,工作模态很容易看出,nansir(男先生）大师的分析还是有所出入，变压器中反射电流时间很短，驱动电平有高到0，反射电流达到最大，驱动电平有0到负，反射电流从最大到最0。（反射电流持续时间也就是驱动电平有正到负这个时间） |
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| | | | | | | | | | | | | 把我在你仿真前的分析贴出来，等大家评判，完善：
先假定初始状态，驱动信号高电平，Q1饱和导通，源边电流有A-B-C-D-E,副边MOS管完全导通。
1、在t0驱动信号变成低，Q1延迟关断期间内，B点电位下降，源边电流方向不变但变小，同时副边MOS管电容开始放电；
2、在t1时，Q1彻底关断，在副边MOS输入电容电压的作用下源边电流开始反向流动Q2导通，此模态至MOS输入电容放电电流小于激磁电流时截止；
3、在t2时Q2截止，激磁电感感应电压反激，Q1导通，此开关模态至激磁电流放电完毕；
4、在t3时Q1截止，在电容的作用下，电流反向Q2再次导通此开关模态持续至PWM驱动信号变高。 |
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| | | | | | | | | | | 这图是回复bluesky 13楼的~
绿色的是驱动信号
红色的是Q2的E对地电压
蓝色的变压器的初级电压
黄色是到达栅极驱动电压 |
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| | | | | | | | | 来了~这个图是回王工的~
说明：绿色的是驱动电压波形~
蓝色的是副边电流波形，从下到上为正（可以看到，驱动高电平的时候，有个大的充电电流，驱动变为低电平的时候，有个大的放电电流）
红色的是 Q2管子中从E到C的电流，可以看到，驱动变为低电平的时候，栅极电容的放电电流，会在初级形成一个大的电流尖峰~ |
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| | | | | | | | | | | | | OK，来了，这是回18楼nansir大侠的图~
绿色的是 驱动电平
蓝色是 变压器次级波形
红色是 变压器次级电流波形（从下到上为正方向）
纵坐标不用去考虑，是为了看得更直观，我把波形比例放大了~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，就等这个结果呢，这个结果直接推翻了我前面的分析，那个电流的反向大尖并不是反射电流，而是源边电容放电 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 在把我改过的分析贴出来，等大家评判，完善：
先假定初始状态，驱动信号高电平，Q1饱和导通，源边电流有A-B-C-D-E,副边MOS管完全导通。
1、在t0驱动信号变成低，Q1延迟关断期间内，B点电位下降，源边电流方向不变但变小，同时副边MOS管电容放电，此模态截止至Q1彻底关断；
2、在t1时，Q1彻底关断，Q2自然导通，源边电容开始放电，（由于仿真电路没考虑漏感，所以此处和实际电路有些差异），变压器电压被钳位在（源边电容电压-Q2的EC电压），随在副边MOS输入电容电压的下降，此电流下降，此模态至副边MOS输入电容反向充电完毕截止；
3、在t2时，副边MOS输入电容充电完毕，副边阻抗增大，激磁电感感应电压反激，Q2截止，Q1导通，此开关模态至激磁电流放电完毕；
4、在t3时Q1截止，在电容的作用下，电流反向Q2再次导通此开关模态持续至PWM驱动信号变高。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 此电路在驱动信号变成低至副边MOS管输入电容反向充电完毕的这段时间确实是靠副边电路来去磁的，看来是我前段时间想当然了，很不错的话题，收获很多啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | nansir大侠，你这段分析依然是有问题的~
上个贴子你的分析是很有道理的，并没有想当然，当然也有问题~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我说过贴出来是让大家完善的，并未说就是正确，请就你的疑点展开详细的分析，要做到有理解，有解析，有依据，不要光抛出个结论 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 29楼中的4条分析，咱们逐条来看~
1、同时副边MOS管电容放电，此模态截止至Q1彻底关断~
mos电容在这时候不可能放电，因为它放电电流尖峰很大，反射到原边，是从下到上，Q1无法给它提供通路~
2、t1时，Q1彻底关断，Q2自然导通，源边电容开始放电~
这时候，你说得也不对~Q2自然导通，是给副边电容提供放电通路，原边电容C1是充电的~
3、在t2时，副边MOS输入电容充电完毕，副边阻抗增大，激磁电感感应电压反激~
在29楼的描述中，t2应该是低电平吧。mos输入电容怎么还会充电呢？这时候原边电压是被嵌位的~
第四条，我同意这种说法~ |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | 同时副边MOS管电容放电，此模态截止至Q1彻底关断~
mos电容在这时候不可能放电，因为它放电电流尖峰很大，反射到原边，是从下到上，Q1无法给它提供通路
这个说法太武断了，首先，是驱动信号变低副边电容才开始放电吧？其次，副边放电电流增加也有一个时间吧？在这个电流反射到原边大小与励磁电流相等前，是不是Q1导通？那是不是也可以说是这个电流让Q1彻底关断的，因为如果没有这个电流，就想那个帖子我说的那样，Q1是线性导通的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、同时副边MOS管电容放电，此模态截止至Q1彻底关断~
mos电容在这时候可能放电的，此时它的放电电流很小，变压器电压还是上正下负，
电流=(mos电容电压-变压器副边电压)/R
2、t1时，Q1彻底关断，Q2自然导通，源边电容开始放电~
这时候，你说得也不对~Q2自然导通，是给副边电容提供放电通路，原边电容C1是充电的~，
源边电容放电这点正确的，可以画画图，电流从B流向C，电容C1是充电吗？如果是充电的话Q2就不会导通，电流应该是电流从C流向B
3、在t2时，副边MOS输入电容充电完毕，副边阻抗增大，激磁电感感应电压反激~
在29楼的描述中，t2应该是低电平吧。
mos输入电容怎么还会充电呢？这时候原边电压是被嵌位的~
我说过此时源边电压被电容C1和Q2钳位，在电容C1的作用下给MOS管输入电容反向充电 |
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| | | | | | | pspice软件发份给我可以吗？446830498@qq.com |
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| | | | | 这个电路的关键点，是驱动高电平时，Q2有段时间是导通的，同样，驱动低电平时，Q1有段时间是导通的。 |
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| | | | | | | 老师指出了关键点了。
驱动低电平时，Q1有段时间是导通的。为啥会出现这个现象？它体现了一个什么样的物理事实？
这正是：前贴公说公有理，婆说婆有理，争论的焦点。
如果，greendot老师提出这个问题弄清楚了，这个电路也就没有“绕人”的地方了。 |
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| | | | | | | | | （驱动低电平时，Q1有段时间是导通的） + （驱动变为低电平的时候，栅极电容的放电电流，会在初级形成一个大的电流尖峰~）
结合这两个事实，
我只能说：在驱动变为低电平的时候，初级励磁电流Im（正向磁能）将通过两个途径来“消磁”
1）电源--Q1--原边电容--Lm。 （本质：继续给原边电容 充能）
2）次级反射电流“湮灭”部分Im。（本质：将部分1/2 Lm*Im^2能量转移到MOS 电容 身上）
当初级励磁电流Im减少到0 后：Q2开始导通，开始反向励磁。
欢迎拍转。 |
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| | | | | | | | | | | 我有个猜想：
在次级Mosfet 的G-S 处并联一个电容。逐渐加大这个电容到某一个值，会发现：
驱动低电平时，Q1不会导通。（也就是Q1的E 点电位的小“台阶”会消失）
不知道，这个猜想是否对？
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| | | | | | | | | | | | | 意思是让次级反射电流“湮灭”全部Im ？ ？？？、
？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 是这样想的。此时，次级线圈电压= 原边电容电压。
要不您帮试试，呵呵。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你的假设比较靠谱~
如果mos处的电容足够大，上管Q1在驱动低电平期间，压根不会有导通的机会~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 但我要拍你的23楼结论的第二点~
励磁电流的能量，从来不曾从副边释放，自始至终都是由原边提供通路~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在王工的那个帖子中，我就提出过 励磁电流可能通过次级释放~
结果被王工斥为 扯淡，最后我放弃这种观点了，觉得那种观点很不靠谱~
貌似在本贴中，nansir 、bluesky还有王工，又开始支持我那个观点了~
这个世界，真是太奇妙了，我一时还适应不过来~  |
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| | | | | 张工：再来个原边电流波形与副边电压波形，与我实测的对比一下。 |
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| | | | | | | 此图是回复晶斑竹24楼的图~
绿色的是驱动信号
蓝色的是变压器副边电压波形
红色的是变压器原边电流波形（从上到下为正）
和晶斑竹实测波形是否一致呢？ |
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| | | | | | | 我再来个重量级的仿真结果：驱动电平和变压器原边励磁电流的波形~ 
绿色的是驱动电平
红色的是变压器原边励磁电流波形
要描述下这个励磁电流波形，红色的励磁电流是纯正的励磁电流，即刨除副边充放电的影响，可认为是空载电流~
我觉得这个波形非常重要，有助于得到最终的结论，而这个波形通过实验的手段，几乎毫无办法得到，可能这就是仿真的一个魅力所在~ |
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| | | | | | | | | 鉴于通过仿真和实际分析，我说说我的看法~
1、驱动电路稳态工作时候，电容C1上的电压为Vcc*D，近似一个恒压源，但有波动，这点没疑问~
2、在驱动电平由低变高之前的一小段时间，次级相当于断开，原边只有励磁电流从下到上的增长，C1通过Q2反向励磁~
3、驱动电平变为高之后，Q1饱和导通，mos栅极电容会产生一个大的充电电流，这个大的充电电流反射到原边，会“淹没”掉原边励磁电流，从而使变压器原边电流从上到下~
这时候的原边电流是通过Q1流过的~
4、mos电容电压使mos饱和导通之后，栅极不再需要充电电流，次级相当于断开~
这时候变压器原边的电流只剩下励磁电流从下到上，Q1恢复关断，Q2继续导通，但这时候Q2导通已不再是反向励磁，而是去磁，励磁电流依然是从下到上，但会逐渐减小到零~
这个模态，在以前的讨论中，不曾涉及过，但它确实存在~
5、励磁电流回零后，电流自然换向，并从Q2切换到Q1中，开始正向励磁的过程，励磁电流从上到下逐渐增长~
6、驱动电平由高变为低之后，mos栅极电容会产生一个大的放电电流，这个大的放电电流反射到原边，从下到上，会“淹没”掉原边励磁电流，从而使变压器原边电流从下到上~
这时候的Q1被强迫关断，Q2强制导通，电流从E到C，这个过程，在nansir和王工以前的分析中，也是忽略的~
Q2导通之后，电容C1上的电压提供去磁伏秒积，这也是我反驳bluesky23楼第二条的原因~励磁电流从来不曾从副边释放过。
这时候变压器原边电流包括两个成分：1、mof电容放电电流的反射 2、励磁电流，但这时候的励磁电流已经开始下降了~
励磁电流被次级反射电流“淹没”和励磁电流从次级释放，是两个概念~
7、mos电容放完电之后，变压器原边电流只剩下励磁电流，从上到下~
Q2关断，这时候Q1处于放大状态，B点电压为一个负的PN结电压，励磁电流从Q1流过，并逐渐减小，直到降到零~
8、励磁电流降低到零之后，Q1自然关断，Q2开始导通，C1电容电压开始反向励磁，励磁电流从下到上逐渐增长~
从而重复本贴第2条的状态~
OK，这就是我的观点，欢迎拍转和质疑~ |
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| | | | | | | | | | | 这是仿真原理图~
要是对我37楼的观点没疑问，就收工了~  |
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| | | | | | | | | | | 大部分观点都同意，关于你的第6条表示异议，坚持我29楼分析观点，：此时励磁电流确实是从副边释放的，源边没有这个通路给它走 |
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| | | | | | | | | | | | | 在第6条中，原边电流通路是通过Q2的E到C，根据基尔霍夫电压定律，这时候变压器原边电压，下正上负~
这时候的励磁电流，是降低的，对不对？次级mos电容电压也是降低的。
从能量的角度来看：
励磁能量是降低的，mos栅极电容储存的能量，也是降低的~
励磁能量如果从次级释放，次级能量为什么没有增长？
次级反射到原边的电流，“淹没”原边励磁电流，并不代表励磁能量从次级释放，从能量的角度，就能反驳这一点~
可能你有这种想法，励磁能量释放到mos电容上，mos电容收到能量，又返回到原边，这和励磁能量从原边释放，没有本质区别，当然你没这么说~
这时候的励磁能量是释放到原边的隔直电容C1上的~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我原来的想法和你一样的，但看了你20楼的波形后才修正的分析，仔细看看20楼的波形，是和你的分析对不上的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 实际上我29楼已经说了，如果是MOS管电容放电的话那么变压器的电压应该是上正下负，可仿真的波形正好相反。
现在先不下结论，兄弟你在仿几组不同占空比的波形，看看有没有什么区别，可能结果又不一样 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 就在这个点，产生矛盾了~
来个细节：
黄色：驱动电平下降
绿色：mos电容放电电流
红色：变压器次级电压
蓝色：mos电容电压 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以我说是源边电容在放电，这也能解释激磁电流在下降，当然在MOS电容电压没降到零以下之前它也在放电，所有的能量均消耗在了驱动电阻上 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | | | 这个可以说明变压器室工作在1、3象限的了吧？还有一个我理解的不知道对不对，从理论分析来看，每个管子在一个周期内并不只开通关断一次。 |
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| | | | | | | | | | | 变压器工作在一三象限，已达成共识~
每个管子，在一个周期内，开通两次，关断两次~ |
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| | | | | | | | | | | | | 每个管子，在一个周期内，开通两次，关断两次~
这是因为次级阻抗太大的缘故（换句话说：MOS 的Ciss太小）。
如果MOS的Cg-s足够大，且MOS驱动电阻足够小：
每个管子，在一个周期内，开通一次，关断一次~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果令：MOS的Cg-s =10UF （或者更高），
1。看看 Q1的E波形？台阶有没有减小？
2。每个管子，在一个周期内，开通几次？关断几次？ |
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | 帖子更新很快的啊，我支持土豆的说法，我那个帖子里只是没有考虑到副边电容放电及充电的电流，只考虑了励磁电流，你们可以这样考虑，理想变压器励磁电流时励磁电流，感应电流时感应电流，所谓的感应电流淹没掉励磁电流，只是体现在理想变压器以外的之路上，励磁电流的变化永远是按照VT/L来改变的。同样道理纯粹的励磁电流时不会由副边消耗掉的。 |
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| | | | | | | 励磁电流的变化永远是按照VT/L来改变~
这话没错，34贴的图，可以证明你这一点~ |
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| | | | | | | | | 各位大师,请教个问题,为什么有时候磁芯双向磁化(一三象限),有时是单向磁化(一象限)?根据什么来的?是不是根据复位电路来的?为什么这样? |
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| | | | | | | 励磁电流的变化永远是按照VT/L来改变的。同样道理纯粹的励磁电流时不会由副边消耗掉的。
上半句正确，下半句值得商酌，所有与变压器能构成回路的电路均能消耗励磁电流 |
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| | | | | 
蓝线关断的电压/电流时序与仿真相比，仿真的结果有点错位了。 |
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| | | | | | | 这个哪里错位了呢？我看跟我提供的仿真结果，很一致呢~ |
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| | | | | | | | | | | 看不出来跟32楼的仿真图，有啥区别~
莫非我眼神不好~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | |  
我画了绿线，关断时的电流拐点对应的电压波形拐点时序严格一致，实测与仿真 完全一样！完全一样(左边第一根绿线)！
等电流过零时，实测的电压波已到底部拐点处（实测的右边绿线），仿真的是等原边电流上升到顶点时（从
左向右第三根绿线)，负向波形才到达底部（理论分析的确是应该这样的）。 而实测的电流“振铃区域”
（主观推测不一定正确）主要是Q1、Q2共态导通恢复期与漏感引起的。 实测的波形被“振铃区域”掩
盖掉了不少“重要细节”。不知仿真时有没设置驱变漏感值？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 仿真的时候，初级电感和次级电感是100%耦合，所以是没有漏感的~
这个驱动电路，看似简单，实际包含的工作模态是很多的，设置漏感的话，工作模态会更多~
分析问题，还是尽量简化吧~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | greendot老师 21贴所说的“关键点”问题，解决了吗？
同样，驱动低电平时，Q1有段时间是导通的
这是一定会出现的么？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | greendot老师 21贴所说的“关键点”问题，在他提出之前就已经给出答案了，
同样，驱动低电平时，Q1有段时间是导通的
这是一定会出现的么？
对于MOS驱动来说是会发生的，当然你所提到的把副边电容提高时不一定会出现 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，如果我说：副边的电容去掉，用电阻来代替Mos-Cgs，
也能让：驱动低电平时，不会出现Q1有段时间是导通的 。
您相信么？
这个电路的模态并不复杂，关键点是在：次边的阻抗的大小。
Q1，Q2是否有两次通断，完全由次边的阻抗的大小决定。
合适的次边的阻抗，完全能满足下面这个事实：
1。Vg =1→0 ：Q1立即关闭，Q2立即开通。
2。Vg =0→01：Q1立即开通，Q2立即关闭。
不存在：两次导通和关闭。就一次。 |
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| | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | 如果副边由电阻代替电容，那应该是驱动由高变成低，Q1还是导通，但是是线性导通，而不是Q2导通，因此没有能量让励磁电流立即反向，但Q1\Q2确实只开通关闭一次，但相位与驱动信号已经不是同相位开关了。
另外，副边是电容负载，工作原理应该是ZHYBUAA分析的那样。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，这次我又轮到我和王工的观点相左了，如果副边由电阻代替电容，那末驱动由高变成低，到底是Q1导通还是Q2导通要看阻值的选取了，如果阻值选取使得Vcc*D/R小于激磁电流那么还是Q1导通，如果Vcc*D/R大于激磁电流那么Q2导通
副边是电容负载时，我还是坚持我29楼观点 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个观点是我最早提出的，我想我能理解它的由来。
其实这个驱动的贴，揭示的就是次边阻抗反射到原边，对原边造成的影响。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 又陷入口水战了~
我在上面提供了仿真原理图，各位去下载到本地仿真一下，不就清楚自己的观点是否成立了吗？
在这空口白牙的，谁也说服不了谁~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，仿真完了还是会打仗，就像我29楼的观点你们不同意，仿真波形也都有了，关键还是分析的模型要建准确 |
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| | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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- 帖子：45925
积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 1.你们看一下理想变压器的模型，看看那个是励磁电感，那个是变压器，然后再想想励磁电流在那个回路中流动，看看时不时跟理想变压器副边感应到原边的电流不是一个回路。因此我说的是，副边电流感应到原边的的电流可以淹没掉励磁电流，但那是在励磁电感以外的回路，励磁电感上的电流还是慢慢降低的。
2、你29楼的观点还是错误的，假设驱动信号又高变低瞬间，励磁电流在原边是由上到下流动，我们认为这个方向是正的话（表示为I1），副边感应到原边的电流是负（表示为I2），要想Q1完全关闭而Q2完全开通，前提是什么？是I2的绝对值大于I1，同时还要满足一个条件，什么条件？励磁电流又正变负是需要一个时间的，也即是VT/L=I1,就是I2的持续时间要大于这个时间，这个你们觉得可能吗？自己想想。I2的持续时间是很短的，就是MOS管的管断时间。而I1由正到零呢？如果也只有这么点时间，自己算算复位电压。因此真正的工作状况是，在放电瞬间，I2会淹没I1，但当I2消失后I1仍按原来方向流动，知道VT/L这个时间达到才开始反向。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 将MOS管用一阻值可变的电阻替代，假设开始驱动电平为高，此时电流的流向为：
当t0时刻驱动电平为低， 当Vcc*D/R小于激磁电流时电流的路径：
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果Vcc*D/R大于激磁电流，那么电流路径为：
假设驱动变压器变比为1:1那么可以利用如下等效电路图表示：
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在可以分析一下副边可不可以构成去磁回路，到底是源边电容放电还是副边放电的问题了 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，都有可能。还是用负载为电阻，分析更为简单：
1）Im *R ＞Vcc*D ：仅次边去磁
源边放电：不是去磁电流，而是工作电流(这个电流一定程度上削弱了次边去磁能力）。
2）Im *R＜ Vcc*D ：原边和次边共同去磁。
源边电容放电：是去磁电流。(这个电流相当于增强了次边去磁能力）。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Nansir对87楼的结果，有何看法呀？
无论对错，你得帮点评几句呀。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1）Im *R ＞Vcc*D ：仅次边去磁
此时应该是原边和副边共同去磁，原边和副边均为去磁电流；
2）Im *R＜ Vcc*D ：原边和次边共同去磁。
源边电容放电，仅副边为去磁电流，原边为电容放电电流 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，咋相反了呢？
不管原边电容是放电还是充电，只要有电流经过原边电容C1，该电流必然经过三极管Q1或者Q2 。
所以，将C1放在一边，着重研究Q1，Q2通断情况。
在驱动跳变时刻（不管是从高到低，还是低到高），Im看作是电流源（理由：电感电流换路前后不能突变）。
你看Q1，Q2通断产生的电流对电阻R（也就是变压器上端电位的贡献，是提升还是下降？）
因为电阻R下端接地，电位固定。上端电位的变化，决定“去磁”能力增加or减少。呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯，对，是这样的，当驱动跳变时刻，把LM当做电流源所有分析均可迎刃而解 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大家都有个认识过程，往往回头看通往真理的路其实挺直的，可我们都要走过弯路才知道，目前为止，我也不敢保证分析正确，仅个人理解 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1、这个等效是有前提的，大家再仔细想想，只有在副边脉冲上升下降沿过程中，才可以这么等效，当副边驱动高低电平阶段，副边是开路的，等效电路时不存在的。
2、在上升下降沿，这样等效，你们前面的分析是对的，也就是说这个电流可以淹没掉励磁电流，但是要注意，是在上升下降沿而且是励磁电感以外的回路，淹没掉励磁电流，但励磁电流却仍旧是实实在在存在的。
3、当这个电流消失掉呢？打个比方一个树立的冰棍立在水杯里，你瞬时倒入一杯水把他淹没，冰棍小时了吗？没有他仍然存在。冰棍虽然在融化，但你很短时间内将水倒出，冰辊虽然高度降低了，但还是存在的。除非你倒出水的时间比冰辊融化的速度慢。在这个例子中，倒入倒出水的速度就是上升下降沿的时间。冰棍融化的速度就是励磁电流到零的时间。自己想想那个时间快。
4、不管励磁电流能不能从副边消耗掉，zhybuaa的分析是对的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 兄台想象能力让人惊叹。
这个等效只要Lm没有饱和，就始终是成立的。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 首先，此等效电路只要是变压器线性工作区均成立；
其次，激磁电流在什么时候都是存在的，不存在什么被淹没，不管在变压器原边还是副边均应有一通路包含激磁电流；
再次，兄台的比喻我没想明白；
第四条，属于兄台感情成分我无法反驳，但就技术而言不是谁支持谁，谁的观点就是正确的，如果兄台对我的分析有异议，请详细分析，最好配上等效电路图 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 王工80楼的第一条观点，我是严重同意的~
第二条需好好想想，再做结论~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 70、71楼说的已经不是驱动电路了，实际驱动电路肯定出现不了这种情况
实际上探讨的是驱动变压器副边、变压器激磁电感、源边参数调整可能出现的工作情况了 |
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| | | | | 这儿有一个根本性的失误：不应该把变压器的耦合系数设为1，因为在实际电路中这是不可能的。
耦合系数为1的直接后果是励磁电流完全可以由次级100%的抵消。
但因为实际的变压器耦合系数不可能为1，所以原帖讨论的低电平时Q1继续导通一段时间实际上是不可能消除的。
另外，这儿仿真的时候，变压器完全可以用T形或pi形网络来替代，这样更容易理解一些。 |
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| | | | | | | 原帖中nansir的分析（18）是对的。虽然原帖对具体过程的描述不是十分详尽，但结论没有问题。 |
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