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这个是为了和后面做对应的,不作解释。看后面就可以了。
电感的频率特性,我们会看到在频率升高时磁心的损耗会反应为一个很大的电阻,正是它阻尼了振荡,当然趋附和临近效应反应的电阻和直流电阻也有影响,但不是主要因素。
补充一下,在实际的电源中C1都很大,很大的C1实际上降低了对RL3的要求,只要很小的RL3就可以了,实际不用考虑RL3,电容的ESR起到了RL3的作用。 |
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当频率高时,用铁分心做电感时,由于损耗严重可能引起融化,这有点玄,但漆包线绝缘是有可能坏掉的。用铁氧体时由于损耗小,就没有这个问题。所以不要忘了ac电阻代表的磁心损耗,它可以阻尼电源的振荡。
由上面的分析我们就知道了为什么输入滤波通常不会引起电源振荡。
主要是第一点和第三点。滤波电感的磁心损耗提供了额外电阻;C1通常比较大。 |
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| | | | | | | | | 补上忘掉的一部分:
普通的整流滤波只有在电压峰值时二极管才导通,此时二极管是完全导通的,所以差模和共模电流很容易通过整流管而被LISN检测到,而其他时间二极管不导通,差模电流是不能通过的,共模电流通过能力
也减弱,只有高频的部分才容易通过二极管的节电容通过。
由于二极管不导通时几乎没有干扰电流流过,所以用交流电源供电时测量到的平均值会比直流电源供电时低,因为直流供电时二极管是每时每刻导通的,干扰电流可以全通过。
由以前的帖子里描述的测量EMI的原理可知,峰值和准峰值是没有变化的。因为它们测的是瞬间(PK)和极短时间的平均值(QP)。 |
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| | | | | | | | | | | 我用PSPICE仿真,纵轴无论如何也出不来dBuV,请大师指点。 |
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| | | | | | | | | | | | | 有DB就可以了,是否uV是你自己的定义。软件的问题自己去看资料,我不再回答。 |
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| | | | | | | | | | | | | 顶!SIC碳化硅MOS发来
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贺电!
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| | | | | 是这样啊,确实有时候只顾看忘顶了,那今后我一顶再顶!强顶!期待大师继续啊! |
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| | | | | | | 输入滤波电感同样也是一个噪音接收源:
电感的环路接受外部磁通(可能来自于你的变压器)会产生噪音电流。
同样电感的绕组是铜线做的,可以和电路里面的高压部分产生容性耦合,从而产生噪音电压。 |
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| | | | | 输入滤波器的接收到的噪声如果造成EMC不过的话,那应该很大了,我想这时候变压器等产生的噪声应该特别的大,电源该不能工作了,当然除非二者离的相当近 |
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| | | | | 请问 CMG 老师, 我的40W 电源适配器, 辐射在30M 时超标约3-5个DB, 之后辐射曲线慢慢降低. 通过增加一片平板铜皮(上盖内)接到散热片上消除了这3-5个DB ,但我不想加这个铜皮屏蔽层,还有其它方法吗? 谢谢. |
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| | | | | 一口气看完了大师的四个帖子,感觉讲的很好,还需精读,先顶一下,感谢大师的无私奉献。 |
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| | | | | 原始的文章在那啊,怎么找不到啊,有的发下啊,谢谢了! |
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