| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 功率等级越高,用全桥的可能性越大,区别去看书,呵呵。 |
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| | | | | | | | | 这个主要根据开关管和成本来决定。
就像反激,做大功率也可以。只要你的开关管承受的电压足够高,电流足够大。
但这开关管的价格也是惊人的。
刚做电源,瞎掰几句哈! |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | 半桥上的变压器电压为输入电压的对半,那么同等功率电流就要加倍,功率大了MOS管的电流应力就相应变大,同时半桥电容也是个问题,纹波电流过大也不好处理,因此到一定程度还是用全桥好。 |
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| | | | | 有时候可以互换,
记得有篇文章比较LLC HB VS PSFB的。可以找来看看。。
记得是输入直流低压的时候全桥效率较有优势,输入直流高压段时候的时候LLC HB 有优势。。 |
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| | | | | 根据设计要求和自身的情况作出选择。
具体来说,半桥管子少,热点也少,较不容易散热。电压应力同全桥。电容,尤其是大功率时采用的电解电容是最大的失效源。并且半桥不宜采用峰值电流控制,而所谓的抗偏磁能力也并不如书中所说的那么优秀。
其实这样说都很泛泛的,最好你手里有个案子,你进行两种方案的设计对比那自然就明白了。
我感觉传统的PWM半桥设计应该会越来越少的。
一是效率因素,普通半桥效率较移相全桥或LLC半桥完全没有可比性。
二是功率规模,受限于两个管子的热点以及电解电容的性能和可靠性来说,在较大功率时难以应用。
三是控制方式,普通的半桥几乎只能用电压型控制,所以环路补偿稍显麻烦,可用IC似乎也不多。
当然,不是说半桥就没人用了。艾默生就有一款1000W的通信电源是用半桥结构的。东西还是很不错的。
只是说在适合半桥的功率范围内,竞争方案也很有优势,导致半桥电路的选用可能会越来越少。 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | 半桥电容最好不要采用纯粹的电解电容,我们一直都是采用薄膜电容做半桥电容的。 |
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| | | | | | | | | 这个要看开关频率的。薄膜电容可靠性是比电解电容哈多了。就是单位体积容量太小。 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | 恩,原来做的半桥电源都是用的薄膜电容,在电源网看大家讨论的时候都是用的电解电容,当时做的1KW多的 半桥电路,好像总共是四个155的,上下各两个。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 请问 ,如何来确定半桥的两个分压电容的大小值呢?有比较常用 的计算公式吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 原边最大电流半个周期积分/C=delta V--这个电压不要太大,否则占空比就调不稳输出电压了。一般几伏以内吧。
原边最大电流的有效值的平方×ESR=损耗,这个要低于手册许可值,注意环境温度降额。
基本上就这样吧。 |
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| | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | 哈哈,我选择的这个电压波形相对大了点,因此采用的电容就小了,所以当时采用的是薄膜电容。你要是选几伏的波动,那必须的电解电容了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 波动大了还有个好处就是可以省略隔直电容了。不过我一般用电解+隔直的结构。 |
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| | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | 确实没有加隔直电容。所以当时大家说半桥还加隔直电容的时候还好一顿争论。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 其实这里边都是折中,要看你的设计要求来做决定了。
用大容量的电解做半桥电容更符合传统半桥的定义,两个电容看作纯粹的电压源即可。但是此时抗偏磁能力很微弱。且需要另行增加隔直电容。
用稍小容量的膜电容则具有很好的抗偏磁能力。但是缺点是保持时间较低以及因为电容波动导致的占空比丢失问题。
不过用膜电容的可靠性要高很多。 |
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| | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | | | | 是的,做的电力电源没有保持时间的要求,同时前端带PFC,电容电压波动导致的占空比丢失影响不大。当时没考虑这么多,谢谢指教。 |
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