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| | | | | | | |  |  | | | | | | | | | | | | 干嘛干嘛？你们想干嘛？用你们发达的大脑使劲YY就好了，万一看到了照片，我在你们心中或许还可以存在的美好形象不就崩塌了吗？  |
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|  |  | | | | | 听工程师讲解MOSFET开通过程，很详细、很有收获
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| | | | | | | | | | | | | 也不算现炒现卖啦，很早就总结过，现在时间长了，总得稍微回顾一下嘛 
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| | | | | | | | | | | | | 然而我这样的学渣还是听不明白，以前听龙腾的陈桥梁博士也说过这个米勒，一直懂不了 |
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| | | | | | | | | | | 通常测到的米勒平台并不是这么平，而是在米勒平台开始的地方有一个突起，然后慢慢回归到米勒平台。通常可能有2个原因：
1：二极管的反向恢复导致Id电流大于电感电流IL，因此Vgs需要提供更大的驱动电压；
2：源极杂散电感在Id变化时形成的压降，叠加在Vgs上面。
而Id也会有一部分超出IL，就是二极管的反向恢复电流叠加。
当然，如果是断续模式，二极管的反向恢复就小得多。
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| | | | | | | | | | | | | 我们实验室测试平台得到的开通波形图（管子是我们的4A/700V的超级结MOS）：
绿色：Vgs；
黄色：Vds；
紫色：Id；
仿真波形：
依次为Id、Vds、Vgs
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| | | | | | | | | | | | | | | 从前面的分析可以看出，MOS的开通损耗主要是在t1到t3这两段时间内：
t1到t2这段时间内是Vds大电压高压，Id下上升的过程；
t2到t3这段时间内是Id大电流，Vds下降的过程；
所以开关损耗主要集中在这两段时间内。
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| | | | | | | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | | | | | |  看你的波形；两个米勒平台。是否可以解释一下？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | MOS管的开关过程波形会受到管子和测试电路等跟多因素的影响，我只能说最可能的原因。
前面的分析中可以知道，这个时候有转移特性Ich=Vgs*Gm。在Vds下降到很小的时候，我们知道结电容Cds随着Vds的下降是变化的，尤其是超级结，结电容会有一个突然的增大，那么其放电给沟道电流的部分就会增加，根据Ich=Vgs*Gm，Ich增加，Vgs就会增加一点。
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | | | | | | | | 开通过程的第二个台就是超级结PN绝缘层移除导致在近似开通后米勒电容突然增大导致二次米勒过程。
所以；超级结功率管与标准MOSFET有差异，计算高频损耗时；需要增加附加准开关损耗概念。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是Cds电容还是Cgd电容增大引起的呢？
还有照你的意思是电流需要的大，所以vgs才大？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外需要ds电容放电增加的电流也可以用跨导的概念么？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 大师图中的CGD,CDS电容的电流方向是那样流经MOS管内部吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我来解释一下这个波形里面白色圆圈画出来的部分是怎么回事。
首先，说一下我们测试用的二极管是几乎没有反向恢复的，但是它有结电容。
所以在MOS的Vds下降的过程中，二极管的阳极电压就会随着下降，那么在二极管的结电容两端就会形成一个dv/dt，这个dv/dt在二极管的结电容上形成的电流就会和电感电流一起形成MOS的漏极电流。所以，就可以看到白色圆圈里面的电流比后面稳定之后的电流大一点。
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你的仿真为何这么平滑？
我的ID怎么有个尖呢？这个是你说的结电容造成吗？
非常感谢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 波形不平滑可能是你的仿真步长不够小。
你的Id这个尖比较大，也许是输出二极管的反向恢复电流比较大。你可以看一下二极管的电流对比一下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个波形，为何电压已经下降到0了，米勒平台还没结束？
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| | | | | | | | | | | | | | | 请问楼主反激的Id如何解释，反激的Id是在mosfet关断的时候达到最大值的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你好，麻烦看一下我的电流Id为什么是这个样子的？图中，绿色是Id，红色是Vgs，蓝色是Vds
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| | | | | | | | | | | 没有明白你的：“那么Ich增加Δich，而Ich增加的部分只能由Cds放电提供，（因为从电路中的来的那部分电流已经固定）”，
Cds会对米勒平台产生影响吗？为什么？
我最近调试驱动发现米勒平台不是平的，驱动波形电压开始上升到6V后又降到大约3V然后继续上升到12V完成开通，我试图在DS间并联电容后，这个平台下掉的情况会加剧， 麻烦给详细讲讲
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| | | | | | | | | | | 您好，首先非常感谢您详细的分析和解答。但是我有个疑问要请教。在Miller平台中，Vds要较小，Cds放电，沟道电流Ich增加，那漏极电流不应该也增加吗，又是如何维持恒定呢？谢谢
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| | | | | | | | | | | 于是Vds就下降，也就是Vgd会下降，那么Δigd=Cgd*ΔVgd/Δt，igd就会增加
此处Vgd下降，对t的导数不应该是负的吗，那Δigd，也该为负的，igd应该减小吧
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| | | | | | | | | 楼主你好，我有个问题想要请教一下。
问题1：t1~t2间，由二极管的电流向S换流，为何电感上的电流维持不变？
比如空载下，二极管上的电流即电感电流很小，但MOS管导通后，MOS管的Rds（on）很小，如此不会产生更大电流吗？
问题2：假如以上问题解决，电感电流在t1~t2间就是保持不变，也即楼主所说VDS不变。
我想不明白的是，MOS管中存在Cds和Cgs，为啥Vgs只能够给Cgs充电，不给Cds充电（也叫放电）
我在VISHAY手册上看到，上面说是此时Cgs远大于Cds，故而大部分电流流向Cgs
为了说服自己，我想了一个解释，不知道能否说通。就是电容是存储电荷的，当电容两端加某电压时，就会在电容两端存在CV的电荷量。
当电压Vg加到栅极端时，在Cgs和Cds间就形成了相应的电压，因Cgs>>Cgd, 故而电荷量会首先移动到Cgs上，当Cgs储存满后，电荷量只能
移动到Cgd上，因为Vg提供正电荷，Cgd上的g端是负电荷，故而会抵消，也就是g端电荷逐渐减少，也就是Qgd电荷减少，Vgd电压降低，
因Vg电压不变，只能Vd端电压降低。
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| | | | | | | | | | | 问题1：因为t1-t2时间太短了，所以基本上可以认为是不变的！
问题2：你解释的不对。“电感电流在t1~t2间就是保持不变，也即楼主所说VDS不变”，因为Vds不变，那么Vdg也不变，那么Idg等于零。自然所有的电流都在给Cgs充电。
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| | | | | | | | | 为什么MOS从t1时刻就叫饱和区？啥意思这个饱和区？
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这个图是什么测试条件或线路下特定的图形还是普适的图？
按你画这个图，ID先到达最大，VDS才开始大幅度下降，在DS压降这么大的情况下，这么大电流是哪儿来的？
举例：如果MOS管加电100V，负载100欧
你这个图的意思相当说，负载有1A的时候，VDS还有90V，加到负载上的电压只有10V，那么这个1A是怎么来的？
你用仿真或者实测验证过吗？有没有实际的波形？
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| | | | | | | | | 亲，我一开始就放了boost电路。
你没测过boost电路吗？
当然实验和仿真都是这样。
普适谈不上，但是在大部分的拓扑（电感、MOS、二极管连接在一起的）的CCM模式基本是这个情况。
你说的情况里面光带个电阻，当然和这个不一样，但是电力电子里面很少这样的情况吧。
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| | | | | | | 你好，楼主，能帮忙解释一下，为什么在MOS在截止区时VDS是有电压且大于VDD？谢谢。
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| | | | | | | 请问对于反激电源DCM模式下，Vgs到达Vth后，Id应该怎么变化？是和CCM模式一样上升到一定值然后Vgs进入米勒平台？还是Id一直为0，直到米勒平台结束，Vds下降到0然后Id才开始上升？
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| | | | | | | 前辈是用LTSPICE仿真的吗，请问一下用LTSPICE怎么仿器件安全工作区和功率损耗
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| | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | 对于平面工艺MOSFET讲，确实是这个过程。但是；超级结结构，由于PN结也米勒过程中建立阻挡层，过程复杂的多且有波形与此不能完全一一对应。不同厂家的都有明显差异。
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| | | | | | | 超级结的开关速度快（纵向耗尽时候结电容较小，Vds下降速度快），如果电路杂散参数大的时候会带来一些振荡，看上去波形复杂，实际上开通过程的分析是一样的。
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| | | | | | | | | 好像如开通过程本来是偏向线性型 ，超结是改变为阶段型，而且在这阶段中期有个弥勒平台，这个平台时期就像个驱动缓冲带，为进入下个阶段加速作用，是这样理解吗？，我的经验告诉我，MOS在驱动电压幅度在低以11V时瞬间最容易损坏，这跟你描述的MOS开通过程现象相吻合。多数芯片逗B，偏偏关闭电压为8-9V，故意这样做一样，MOS管才有生意兴旺，
开机烧机是瞬间电流应力，关机烧机就是关闭瞬间的驱动电压，特别是重载关闭。
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| | | | | | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | | | | |  要么不开；要么不关。
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| | | | | | | | | | | | | 从miller平台开始，Vds才开始下降，如果一直在miller平台之前，大电压，大电流，MOS就坏啦！ |
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| | | | | | | | | | | 米勒平台MOS都有，不光超结有。驱动电压低于11V或者某个值，MOS的Rdson还没有降到最低，损耗就大，当然容易损坏。 |
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| | | | xkw1cn- 积分：131400
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- 帖子：55626
积分:131400 版主 | | | | | 1）超级结；由于有PN结增益效应，就会有少子复合过程。而平面工艺；没这问题；是多子结构，无少子复合过程。
2）米勒效应；实际是变电动充电、放电效应。平面结里；PN结是固定的，而超级结不是。
可以拿双脉冲板测一下。相信理论不会有问题。
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引自：功率半导体器件基础(Baliga)
平面VDMOS引自：功率半导体器件基础(Baliga)，超结余平面的唯一区别是超结的结面积较大，P柱区与N柱区接触的都是PN结，结面积大，所以体二极管反向恢复较明显；而且NMOS导电沟道是P型硅反型得到的N型即电子是多子，所以说只要是MOS都可以算是多子导电，然而所有MOS都存在漏极与P区的二极管，因此都会有少子复合，只是少子数量不同而已，反向恢复时间长短而已，并不是你所说的平面工艺没有少子复合。
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| | | | | | | 所谓阻挡层概念源于金半接触吧，
再说再复杂的东西总有某些因素占主因，有些不占主因，虽然不占主因的对结果有时候影响很大，可是总不能在分析问题时把所有因素考虑吧，我觉得上面分析问题主要是考虑MOSFET的工作机理，并不是要探讨电路中集成参数，所以有些能化简的就化简，这不很正常吗，那些分析buck，boost的书不都是简化之后分析么？？或者可以参看教材：半导体物理和器件（尼曼）（中文），功率半导体器件基础(Baliga)（英文）
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| | | | | | | 仿真可以自己随便搭一个，用simplise或者LTspice，都可以看到这个过程。 |
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| | | | | | | | | 经常IC介绍自己的驱动电流有多大。但是从来不了解。驱动电流和MOS之间的数学公式。比如在输入低压时，我们都发现驱动能力不足了。在工程计算上，如何事先预知驱动电流究竟如何取值
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| | | | | 我做的一个电流源遇到点问题，想请教一下大家跟MOSFET的开关过程有没有关系。原理图以给出，示波器中通道一是负载电流IL,通道二是两个MOSFET的驱动波形，理论上两个MOSFET同时开通和关断（MOS开通时电感电流上升，关断时电感电流下降，从而保持电感电流维持在一个数值上下），MOSFET和二极管都是碳化硅的，二极管的反向恢复应该很小，datasheet中说是没有。问题就是通道1中那个电流在每次开关瞬间都会产生一个尖峰，我是用的霍尔传感器测的电流，这个尖峰电流感觉实际中不应该存在啊，有没有可能是我测量的问题？还是有可能在MOSFET开关过程中有可能产生这个问题是我没解决好？搞了我大半年了，一直解决不了这个问题。在此想求助于各位大神，如果有遇到过类似的情况，麻烦告知下，先谢谢了 |
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| | | | | 才接触开关电源，比如UC2845这个芯片来说，周围的电阻电容怎么计算？ |
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| | | | | 这是开通过程，请教一下关断过程中Vgs米勒平台何时结束，是由何因素决定的米勒平台的结束？因为在实验中发现米勒平台结束后Vds还未上升到最大值，哪位大神能解惑？
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