1.这个VCC上的电容是去耦作用,它的作用是在Ho和Lo输出驱动的上升沿时这时IC消耗的瞬态能量很大(但平均能量不大),Vcc在这瞬间会有很大的电流流入IC,如果没有靠近IC放置一个ESR很小的电容,会导致Vcc点电压下掉很多(这时由于线路的寄生电阻和寄生电感导致远处Vcc电容上的能量不能提供过来,这是就如同电容到IC之间接了一个电感和电阻),有可能下掉到IC的工作点之下,影响电路的正常工作,所以必须靠近Vcc放置一个0.1uF的高频去耦电容,10uF让Vcc有足够的平均能量。
2. 自举电路给上管的驱动提供足够的电压。如果没有这个电容,那么当Vs的电压上升到Vin的时候,上管Vgs电压就为负的电压了(实际不会出现这样,Vs的电压只会被上管Vg电压限制在低一个大概Vth的电压位置);利用的这个电容可以把VB的电压保证比 Vg 大于一个Vcc电压值的电压,保证上管开通。利用的原理是电容两端的电压不能突变,二极管的作用是让电容上的能量提供给上管的mosfet的基极,不让他流到Vcc上(上管开通时由Vcc供电,开通后有这个电容供电)
3.电阻的作用是减缓MOSFET的开通速度,二极管的作用是依然让MOSFET关断和没有加电阻一样快。
啰嗦了一堆也不知道能不能让新手容易看懂