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求教:MOS管驱动芯片

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shaorc
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  • 2016-10-30 11:41:11
20问答币
本人在使用IR2110S这一款MOS管驱动芯片,结合它的datasheet,对它的原理有如下问题请教,谢谢大家指点!之前发过这个帖子,这次配图了,直观一些。
1.IR2110S芯片的Vcc端口(下开关管的供电电压)并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V,电容起什么作用,如果是滤波作用,是不是用10uf滤低频,0.1uf滤高频?
2.与VB端口(上开关管的悬浮供电电压)连接的1uf电容和二极管D1,构成的自举电路有何作用,工作原理是怎么样的?其中1uf电容接在VB端口和VS端口(上开关管的悬浮供电的地)之间的,二极管D1接在VB与VCC之间。
3.IR2110S芯片的输出端口Ho和Lo与功率开关管的基极之间,还有接有一个27欧姆电阻和反并联二极管D2,D3的组合,这是有什么作用?

IR2110S

IR2110S

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1.自举就是在Vs电压上升时,让上面的mosfet管保持开通状态; 2.因为驱动信号的上升和下降都非常快(斜率很陡),所以驱动回路的寄生电感就不能忽略,有了电感,还有寄生电容,如果没有电容在这个回路中是会产生LC震荡的,加了电阻就可以在电路中加入一个阻尼把这些震荡的能量消耗掉。让开关管的开通速度变慢也是为了让电路里的寄生电容和电感的作用减小,防止高的电压跳变尖峰。 ...
口乃心之门户
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  • 2016-10-30 16:00:17
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1.这个VCC上的电容是去耦作用,它的作用是在Ho和Lo输出驱动的上升沿时这时IC消耗的瞬态能量很大(但平均能量不大),Vcc在这瞬间会有很大的电流流入IC,如果没有靠近IC放置一个ESR很小的电容,会导致Vcc点电压下掉很多(这时由于线路的寄生电阻和寄生电感导致远处Vcc电容上的能量不能提供过来,这是就如同电容到IC之间接了一个电感和电阻),有可能下掉到IC的工作点之下,影响电路的正常工作,所以必须靠近Vcc放置一个0.1uF的高频去耦电容,10uF让Vcc有足够的平均能量。

2. 自举电路给上管的驱动提供足够的电压。如果没有这个电容,那么当Vs的电压上升到Vin的时候,上管Vgs电压就为负的电压了(实际不会出现这样,Vs的电压只会被上管Vg电压限制在低一个大概Vth的电压位置);利用的这个电容可以把VB的电压保证比 Vg 大于一个Vcc电压值的电压,保证上管开通。利用的原理是电容两端的电压不能突变,二极管的作用是让电容上的能量提供给上管的mosfet的基极,不让他流到Vcc上(上管开通时由Vcc供电,开通后有这个电容供电)


3.电阻的作用是减缓MOSFET的开通速度,二极管的作用是依然让MOSFET关断和没有加电阻一样快。



啰嗦了一堆也不知道能不能让新手容易看懂
shaorc
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  • 2016-10-30 17:47:31
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你好,谢谢你的指点
我还有如下不解,谢谢!
1.自举电路的讲解中还是没有看明白,出现了一些Vg和Vgs等没看懂的标识,可否讲解的简明些,现在知道自举电路是给上侧开关管驱动电路提供电压的作用
2.加电阻是减缓开通速度可以理解,但是有的说是防止驱动容性负载时振荡,这也是一个意思吗?
口乃心之门户
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  • 2016-10-30 19:43:55
  • 倒数3
 
1.自举就是在Vs电压上升时,让上面的mosfet管保持开通状态;
2.因为驱动信号的上升和下降都非常快(斜率很陡),所以驱动回路的寄生电感就不能忽略,有了电感,还有寄生电容,如果没有电容在这个回路中是会产生LC震荡的,加了电阻就可以在电路中加入一个阻尼把这些震荡的能量消耗掉。让开关管的开通速度变慢也是为了让电路里的寄生电容和电感的作用减小,防止高的电压跳变尖峰。
shaorc
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  • 2016-10-30 20:26:44
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好的 明白了很多 谢谢
还有一处,就是Vs电压升高时,相当于上管的地是浮动的,自举电容供电,保持功率管所需的驱动电压电流的大小,是这样吗?
口乃心之门户
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  • 2016-10-30 21:59:59
  • 倒数1
 
是这样的,上管开通后其所需要的驱动电流很小,所以自举电容在mosfet完全打开后基本就是为了保持MOSFET的驱动电压
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