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【会议资料】芯朋微 王旷 反激同步整流技术解密

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世纪电源网帅帅
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LV6
高级工程师
  • 2017-1-6 13:11:39
2016年12月17日,由世纪电源网主办的第七届千人大会·高性能电源技术分享与实战技术研讨会在深圳马哥孛罗好日子酒店圆满落下帷幕,在此感谢广东省电源学会对本次会议的大力支持!
世纪电源网已连续七年在深圳成功举办“高性能电源技术分享与实战技术研讨会”,每年超过1000名工程师参会。本届会议汇聚多位业内知名专家、千名电源业内工程师,共计人数超过1300人。在本次会议上,来自芯朋微的王旷先生为工程师们分享了反激同步整流技术解密,参会工程师们认真听讲直到会议结束,全场座无虚席!

基本内容
  • 为什么需要同步整流
  • 控制策略分类及特点
  • 电流关断型关键技术
  • 常见应用问题答疑

资料下载
3.芯朋微-王旷-反激同步整流技术解密.pdf (3.54 MB, 下载次数: 634)
_isako
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助理工程师
  • 2017-5-16 11:12:27
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请问PPT第20页 A2:自适应关断阈值 中提到的,关断点滞后引起的直通问题,是原副边共通现象吗?可否具体分析一下,原副边开关管共通时,电路的动态过程是怎样的?电流冲击和电压冲击分别在哪个管子上,原副边开关管各是由于什么原因损坏的?谢谢~
wangk_chipown
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本网技工
  • 2017-11-3 14:00:12
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所谓原副边直通,是指原边的MOSFET已经打开,但此时次边的SR还没有关闭(SR和原边芯片是两套控制),此种工况下,输入电容上的电压+反射电压直接加在MOSFET上,电流无穷大,MOSFET炸掉或IC触发二极管短路保护(如PN8370内置保护,即使把变压器短路也可保护)。


_isako
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助理工程师
最新回复
  • 2018-3-12 14:43:16
  • 倒数1
 
谢谢您的解答~我在实验过程观察到的现象是,共通时,副边MOS的DS会有一个很高的spike,共通时间越长spike越高,我想请问下,共通时副边DS的spike的数值可以根据电路参数计算出来吗?
zhanglinghong
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高级工程师
  • 2017-10-17 21:42:28
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请问高压自供电方案除了轻载效率低以及供电会出问题外,会有可靠性的问题吗,比如ESD或浪涌、EFT易损坏的情况?谢谢!
zhanglinghong
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LV6
高级工程师
  • 2017-10-17 21:43:39
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请问高压自供电方案除了轻载效率低以及供电会出问题外,会有可靠性的问题吗,比如ESD或浪涌、EFT易损坏的情况?谢谢!
wangk_chipown
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本网技工
  • 2017-11-3 13:46:45
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1. 单高压自供电会影响轻载效率,解决思路:a. SSR架构的大功率用同步则会轻载下关闭SR,小功率的 PSR则不可 b. 采用高压自供电+输出电压供电(如PN8305),只要输出电压正常,高压自供电是关闭 ,只有输出电压低于设定值时才开启高压供电。
2. 高压自供电技术虽然比较成熟(特别是在原边控制芯片),但确实受ESD、浪涌等测试影响 。解决思路:a. 芯片SW脚的内部ESD及Latchup设计合理;b. SW脚串联1颗20ohm左右的限流电阻。
有了以上措施,带高压自供电技术的SR应用是非常可靠的,多谢!
zhanglinghong
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高级工程师
  • 2017-11-25 20:21:58
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学习了,非常感谢您的回复!

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