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MOS的反向恢复时间对电源会产生什么影响

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LH7786

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2017-3-21 21:20:17

对EMI这块影响大吗？还对哪些产生影响

收藏6

		2 Samwin_ledlsy Samwin_ledlsy 离线 LV1 本网技工积分：94 \| 主题：1 \| 帖子：20 访问空间发消息积分:94 LV1 本网技工 2017-3-29 15:40:26 倒数3
		楼主说的是MOS内寄生的二极管吧。二极管反向恢复的特性较差易导致二极管的开关损耗增加，降低系统的效率，同时也会产生较高的振铃影响功率MOSFET的安全工作。特别是正激同步整流的MOS，应选用反向恢复时间短的（原厂销售芯派MOS，联系方式1257586687）回复 \| 举报 \|

			3 LH7786 LH7786 离线 LV6 高级工程师积分：859 \| 主题：10 \| 帖子：72 访问空间发消息积分:859 LV6 高级工程师 2017-3-29 21:24:00 倒数2
			对于EMC这块有不有影响？回复 \| 举报 \|

				4 Samwin_ledlsy Samwin_ledlsy 离线 LV1 本网技工积分：94 \| 主题：1 \| 帖子：20 访问空间发消息积分:94 LV1 本网技工最新回复 2017-3-30 16:23:31 倒数1
				MOS内部寄生的二极管反向恢复时间问题可以说对整个电源测试EMI几乎无影响,MOS影响EMI是内部寄生的电容（开关特性中的dv/dt和di/dt）。原厂销售芯派MOS(QQ:1257586687)，欢迎选用。回复 \| 举报 \|

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