| | | | | 这个是典型的自启动模式,建议以下着手:
1.输出电压是否有过冲,这个是环路太慢造成的,适当加快环路(低温某些参数变化了,造成的环路太慢,但这种可能性较小,因为你常温无问题)
2.VCC电容容量不够,加大VCC启动电容(因为低温下电容容量会降低)。
3.VCC电压下降坡,自供电电压低于UVLO,造成自启动。
4.触发某些保护。
可以先从以上四方面着手,这是反激电源中典型的“上床不睡觉”,希望可以帮到你。
|
|
|
| | | | | | | 高工,是不是那些二极管、三极管这些半导体器件受温度影响比较大,对电源的低温启动影响也挺明显的,因为最近遇见这样的问题。。。
|
|
|
| | | | | | | | | 如果有快速启动电路,稳压管要注意了,应该是5.1V以上的稳压管是随着温度的降低,而降低,到-40度有的就无法启动了。
这个可以通过5.1V 以下串入5.1V以上稳压管,一般在20V就可以了,因为你还要减去快速启动MOS管的开启压差一般最大4V,如果用开启电压低的IC,则稳压管可以选18V的或者更低。
|
|
|
|
|
| | | | | 主要查看电容,电容在低温下容量 是不是减少了,.这是主要的,
|
|
|
|
| | | | | 可能启动电容低温时漏电流过大,导致不能启动,可以选低漏电流电容
|
|
|
| | | | | 谢谢大家的热心回复!!
1. 电容加大到22uF,低温还是不能启动;
2. 关于VCC电容的问题,因为之前同芯片做的DEMO板,用的是10uF电容,低温可以启动(波形如图1,VCC电压也有较大的波动,但是没有那么高的尖峰电压),换在这块板上低温存储30分钟时开始不能启动但是启动几个周期后正常启动(波形如图2),但是存储到1小时时却不能启动了,这个尖峰电压我认为是触发到VCC的过压保护电平了,所以想了解下这个尖峰电压是怎么产生的?
3. 环路我也调的和DEMO板完全一样了,也是不能启动,我再尝试下吧,谢谢大家了!
图1
图2
|
|
|
| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | 应该是不是VCC电容的问题,如果是VCC电容,不会出现那么高的电压,应该还是环路的问题。提供原理图来看看。
|
|
|
| | | | | | | | | 因为是客户的板子没有原理图,临时抄的,您帮忙看下,希望能看清楚,谢谢!
|
|
|
| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
- |
- 主题:142
- |
- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | | | | R10改小点,然后再上面并一个103左右的电容试试。
|
|
|
|
|
| | | | | | | 从这张图上可以明显看出,触发IC的OVP保护了,你查一下自供电电路,示波器测试下波形,是不是尖峰太大了,如果是的话,建议把R23 1.5欧姆的电压加大到10R~47R之间调试。另外你设置的自供电电压是多少V,对于一般的IC,12V就OK了,别弄那么高。
如果不是这个问题,查环路吧,这个需要你示波器一点点的查找,看瞬态波形。
|
|
|
| | | | | | | | | 谢谢!常温稳态的VCC电压约18V,我目前发现是输出电解电容太大了,适当减小后低温启动OK,还是谢谢大家这么热心了!!
|
|
|
| | | | | | | | | | | 你好,这个是我的电源VCC的启动波形,问题跟你大概一样,
你说改输出电解电容变小解决了?这个是什么原理呢?
-
VCC
|
|
|
| | | | | MOSFET的Vgs (th)是负温度系数,之前我就遇到过低温不开机,常温工作正常。你查看下mos的datasheet,顺便低温下测量下mos有没有正常工作。 |
|
|
|
|
|