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 |  | | | | 用过这个IC, 高压输入50%载的时候需要把PFC关闭以提高平均效率。
PFC怎么不是谷底导通？记得PFC是BCM模式啊。
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| |  | | | | | 50%需要关闭PFC了吗？我这个现在应该是25%才关闭，PFC ON/OFF脚需要怎么调节？我也总感觉FPC工作不是很正常，但却不知道是哪里的原因。
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| | | | | | | PFC在第二个谷底才导通，是因为我的PFC感量太小了吗?现在我这个参数合适吗?PFC的BMmax最大也是不超过0.3吧。
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| |  | | | | | | | 最好还是找一找LEADTREND的FAE，他们非常熟悉这个。
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| | | | | | | 将IC第7脚的62K电阻改为70K, 230V测试时，50%载（2A）PFC关闭，PF值只有0.6几了，功率由55.55W降到52.83W，当负载带到2.5A时，PFC开通，目前230V平均效率是89.69%, 但是目标是要90以上，而且现在EMI还不能过，增加的元件肯定还有损耗，还要继续努力，还请大侠继续指导！
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| | | | | | | | | 查了一下之前的设计资料，我们设计的输出是12V/7A， PFC电感是220uH的样子，感觉你的电感太大。匝数太多，铜损高。
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| | | | | | | | | | | PFC也是第一次接触，所以要怎么设计取值还有很多的不懂，之前有问过IC厂的FAE说的PFC取44T ,感量600-800UH，用他这个效率更差，而且BMmax应该已经超了吧！
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| | | | | | | | | | | 大侠可否告诉我你的变压器结构？目前EMI实在太差了，改了很多结构都没什么用，而且30-5M改都什么反应，不知道是哪里引起的干扰！你之前做过方便把你的图纸发给我看看吗？
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| | | | | | | | | | | | | EMI比较复杂，有些问题看图纸都看不出来，跟PCB走线，布局，变压器结构关系很大。需要反复试。
30MHz左右一般是PFC引起的。接地不好就是共模干扰高。FLYBACK变压器EMI不平衡，关于这个，你看福州大学陈为教授的演讲资料吧，看通了，就懂了。
图纸是公司的，抱歉不能传。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 传导接地差确实是共模干扰高了，如果改变输入的Y电容接法会下降，但是辐射会变得很差，L002也已经是30MH了，难道还要加大？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 19楼的兄弟让你学习下陈为老师的关于反激变压器的共模电流抵消的方法，看懂了，输出接地的EMI就能解决了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 多谢！之前有看过一些为了去Y，而抑制共模干扰的文章，看来还需要继续学习啊！兄台可有这份资料，麻烦发给我，先谢过了！
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| | | | | | | 多谢陆工，原来是这样的啊，我总以为是我的PFC设计有问题
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| | | | | | | 李工，HV是提供启动电流和X电容放电的，可以下载1楼的IC资料看下
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| | | | | | | | | 我是说这个信号取至桥前的接法和R参数，有问题，超过10mA电流，几W的损耗了。你不是在找效率低的原因吗？
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| | | | | | | | | | | 多谢李工提醒，此处是会有一些损耗，资料上说电阻放10-50K范围，目前我把电阻放到了40K，损耗会降低0.1W，如果把电阻在放大不知道会不会对X电容放电有影响？另外还有一个问题请教一下李工，24V 4A，我现在调的在50%载即负载2A的时候就把PFC关掉了，以此来提高效率，但是不知道这样对测试THD是否有影响？
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| | | | | | | | | | | | | 现在传导辐射都已经OK了，之前是热机传导会上升，一直都没找到原因，晚上忽然脑子一闪，试了一下居然真的找到原因了！原因让我自己都感到无语  ，算是自己给自己搞出来的乱子！效率现在高低压都差不多89.55%,胶壳还在打样，所以温度现在还不知道行不行。明天把EMI数据和原因发上来。板子都调烂了，焊板去。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | EMI方面做了几个方面的改动，最现主要的是MOS的散热片本身有两个PIN脚接地，但当时考虑感觉图片中PIN脚这个有点小挤，而且插件对孔也麻烦，我就把这个PIN脚扳掉了，后面我把这个PIN脚也焊在板子上，传导会好很多.
第二个是初次级Y电容最开始是222M,后面我把它加大到472M，加这么大目前还不确定漏电流能不能过。
第三个输入共模电感NF2电感量必须要20MH最小，差不多基本都要达到25-30MH左右.
第四个，PFC电感包铜箔，变压器包铜箔并磁芯接地，改了变压器结构，反绕了相比顺绕，传导会好点.。
第五个R2 MOS CS电阻地脚和Y电容分开，如上图中的插件电阻，分开对辐射30-40M会好点。
辐射目前还是有些差，30-45M,现在板子MOS和肖特基都没有加磁珠，或者D-S脚并电容，可能要在这些方面看下。
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| | | | | | | | | | | | | 增加到40K也远不止0.1W，也应该超过1W了（277Vac时），也就是效率影响超过1个百分点了。不明白这个地方为什么要这样采样，非常不科学的，才提醒你。
如果是X放电，高PF放电可以在桥后进行，按规范1秒放完，也就是几百K的电阻就行，怎么也不会10~50K。
如果是启动电流，放桥后电流也更大一些，也应该是几百K的电阻就行。
关于半载时关掉前级的问题，我不太理解，你意思是提高半载效率？提高25%载效率？如何关掉？如何重启？信号来至哪里（怎么知道是半载了）？不搞点迟滞（何时关掉何时重启）？PF都关了，还想指望THD？
如果低压效率到89+%了，很不错了，高压应该还可以再高一点。
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| | | | | | | | | | | | | | | 此处接法也是按照IC资料上提供的原理图，在第14页有说明，不知道李工觉得应该是要怎么样接？HV Pin Resistor -------10~50k
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 至于50%载关掉PFC是看到功率计上显示的PF值已经只有0.6几 了，切功耗也下降1-2W，所以才这样认为。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 明白了，它有启动个高压电流源，必要时还可以关掉，这就可以接受了。
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这个IC有这个功能在轻载的时候可以设置关掉PFC,以此来提高25% 50%的效率
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 但是这样的话，你的PCB布线就有问题了，HV（16PIN）是高压，要拉开间距。人家把15PIN空着，就是让你（取消其焊盘）拉开间距的。16PIN应该朝向AC端，其连接线也不能穿过R31。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 效率因为是1.2M 18#测试的，所以其实还不是很满意，如果换到1.5M，可以就只有89了，目前肖特基用的是两个MBR20150CL 低压降，可能要换成MBR30150CL |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | LD7790这个IC老化的时候，输入功率会上升，不知为啥？做了一个24V5A 12V8.5A 低压效率满载88.5%，就是老化过一段时间，输入功率上升。不知道为啥，都不敢试产了。
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输入电压：90-264VAC , 输出：12-48vdc 分5个变压器 分别为：T01:12-15.0V , T02:15.1-22.0V , T03:22.1-29.0V ,T04:29.1-38.0V ,T05:38.1-48.0V , T01 T02 使用同步整流，T03 T04 T05使用肖特基. 电压段
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理解哈！没关系~这个是不接地的数据，30M应该是哪里干扰了，才一直这么高，需要找找是哪里走线有问题
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