| | | | | Vgs米勒处下跌严重,输入电压升高,下跌严重。是不是驱动电流不够。
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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 这种管子也用。唉!!!!!
看看,ST、Infineon、Cree、Rohm。。。这些一线品牌的SiC产品,谁还用这个结构!
这种N型MOSFET结构,尤其容易振荡!!!!!
现在只有过冲,真的很走运和PCB设计的还可以啦!赶紧换元件吧!过渡产品,不久会消失;国产的都比它强。
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| | | | | | | 您的意思这款是过渡产品??还有可以优化解决的方案或者措施吗??希望大师支招
ROHM的SICMOS我们确实测试通过了,layout的应该还可以。 |
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | 是的,三年前已经开始淘汰的产品。这种管子结构决定了自耦性。现在;一线厂家已经不再做这种结构产品。
以前;因工艺问题,利用压电效应做的长通器件,不得以;利用低压Si-MOSFET做阻断。现在;工艺问题已经解决多年。
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| | | | | | | | | | | 好的 谢谢 版主
卖家说他家的这款Cascode管子Vgs电压范围宽 其反并联二极管导通压降低 我们现在在用的ROHM的SICMOS且外并了SIC二极管 想拿这款Cascode产品做替代
发现驱动好难做 不知道是否有优化解决方案
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | SiCMOSFET本身寄生有标准SiC二极管,压降大约3V。同步方式工作时;无需外并SiC肖特基。
他家的SiCMOSFET利用常通态完成同步方式工作。看似简单却稳定度不是很高。
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| | | | | | | | | | | | | | | 您好 我们现在用的是罗姆的SCT2080kE 这颗料 其体二极管 压降4.6V 稍微有点大
之所以 我们反并联二极管 还有助于改善SICMOS的驱动
半桥互补管关断时 会在自身驱动波形上引起下尖 并联SIC二极管会使下尖减小(原因现在我们分析不清楚)
如下图所示
所以 现在想选用CASCODE这颗料 保证Vgs裕量 且不用反并联SIC二极管 但发现驱动好难搞 Vds下冲异常
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| | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | 不用并。
首先;这个尖仅-5V,根本没有达到危险程度。
其次。按你的波形,正向脉冲近20V;反向脉冲-5V,反向更安全于正向。对这样的负脉冲;没有余度概念。
换句话说;要通过你施加的gs电压弄坏器件,只有正脉冲波有可能。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢 满负载时 我们的Vgs负压最大值 已达到-10.5V 而SICMOS——SCT2080ke 手册给出的负压最大值为-10V
这个已超出 技术手册要求 应该也有安全隐患吧?? 难道负压超限不能致使MOS损坏??
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | 虽然不会坏,但已经越线了。建议修改下驱动。
一般;SiC栅耐压是+20V/-10V,所以;推荐用+12~15V/0~-5V驱动。出现尖刺时;建议加大栅电阻,以满足标准。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 更改驱动参数 没效果
管子关断时 桥臂中点输出端的负载电流决定了Cds的充放电速率 从而通过米勒效应 影响Vgs 修改栅极电阻 对Vgs负压最大值 无改善 我们试验过
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| | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | 增加栅驱动电阻,一定会有效果的。
另外;将上管驱动;接S极线挪至下管漏极,可以改善负压。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢 版主
驱动电阻我们确实更改过 效果不明显
您的意思 为改善负压 可以把上管的S级回线挪至下管的d极??
我想问的是,这样回路岂不是人为的增大了,且增加了杂散电感? 我们现在是双管的并联 驱动回线不一样长 会有影响吧??
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| | | | | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | | | | | 负压就是寄生电感引起的。会避开后就会缓解。至于少许的偏差并不会严重影响均流。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您现在说的寄生电感指的是 MOS的S极引脚上的??所谓的避开寄生电感指的是哪部分电感??
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 请问楼主找到Vgs负压过冲的原因了吗?我现在也遇到这个问题了。
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| | | | | 若是是540的话还是可以用的,关键你的驱动有问题,负波,是因为你 的信号地不是真正的信号地,那只是VGS的波形,想用这个管子,你改一下驱动也可以,
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| | | | | | | 不是用的540 用的是SICMOS——UJC1210 仿真图只是个示意图 驱动负压关断应该是没问题吧
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| | | | | | | | | 我也有50颗这管子的样品,还好没测试,赞,做技术没必要自找麻烦。还是版主厉害,经验丰富,技术高 |
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| | | | | | | | | | | 您这边也有 UJC1210K SICMOS?? 以前有相关设计案例麽? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 是同一款吗? 一下 送了50颗 SICMOS 这颗料 据说 也不便宜啊 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 捞出来看了下,同款,一模一样。当初说的好像是三十多块钱一颗 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没这么便宜 这也是SIC材料 耐压1200V的 应该不是这个价
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| | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | | | | | |
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| | | | | | | 不是测量问题 差分 普通探针 都试过了 测试结果一致
为啥 Vds下降为负压 时 没打通体二极管 这个问题 我也想不明白
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| | | | | | | | | | | | | | | 反并联二极管 有改善 Vds下冲值 会减小 然而成本却增加了
可能这颗料的 寄生参数 影响 确实不容易调试
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