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未解决

求助::SIC-MOS驱动波形米勒处下冲,Vds波形异常

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倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-11 14:57:42
10问答币
采用半桥拓扑进行测试,输入电压16V,Vgs+=15V,Vgs-=-3V,Rgon=2.5Ω,Rgoff=17.5Ω。
Vgs及Vds波形如下图所示,黄色Vgs,蓝色Vds。
电路拓扑如下所示。
SICMOS技术手册 UJC1210K.pdf (569.37 KB, 下载次数: 299)
Lanveer
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高级工程师
  • 2017-7-11 15:44:47
 
Vgs米勒处下跌严重,输入电压升高,下跌严重。是不是驱动电流不够。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-11 15:58:28
 
不是这个原因  这个很确定
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-11 15:50:47
 
这种管子也用。唉!!!!!
看看,ST、Infineon、Cree、Rohm。。。这些一线品牌的SiC产品,谁还用这个结构!
这种N型MOSFET结构,尤其容易振荡!!!!!
现在只有过冲,真的很走运和PCB设计的还可以啦!赶紧换元件吧!过渡产品,不久会消失;国产的都比它强。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-11 15:57:52
 
您的意思这款是过渡产品??还有可以优化解决的方案或者措施吗??希望大师支招
ROHM的SICMOS我们确实测试通过了,layout的应该还可以。
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-11 16:09:33
 
是的,三年前已经开始淘汰的产品。这种管子结构决定了自耦性。现在;一线厂家已经不再做这种结构产品。
以前;因工艺问题,利用压电效应做的长通器件,不得以;利用低压Si-MOSFET做阻断。现在;工艺问题已经解决多年。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-11 16:35:05
 
好的  谢谢  版主
卖家说他家的这款Cascode管子Vgs电压范围宽   其反并联二极管导通压降低   我们现在在用的ROHM的SICMOS且外并了SIC二极管    想拿这款Cascode产品做替代
发现驱动好难做   不知道是否有优化解决方案
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-11 21:04:34
 
SiCMOSFET本身寄生有标准SiC二极管,压降大约3V。同步方式工作时;无需外并SiC肖特基。

他家的SiCMOSFET利用常通态完成同步方式工作。看似简单却稳定度不是很高。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-12 15:09:48
 
您好  我们现在用的是罗姆的SCT2080kE 这颗料   其体二极管 压降4.6V   稍微有点大
之所以 我们反并联二极管  还有助于改善SICMOS的驱动  
半桥互补管关断时 会在自身驱动波形上引起下尖  并联SIC二极管会使下尖减小(原因现在我们分析不清楚)
如下图所示
QQ图片20170712143306.jpg
所以  现在想选用CASCODE这颗料   保证Vgs裕量     且不用反并联SIC二极管    但发现驱动好难搞 Vds下冲异常   


xkw1cn
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版主
  • 2017-7-12 20:04:42
 
不用并。
首先;这个尖仅-5V,根本没有达到危险程度。
其次。按你的波形,正向脉冲近20V;反向脉冲-5V,反向更安全于正向。对这样的负脉冲;没有余度概念。
换句话说;要通过你施加的gs电压弄坏器件,只有正脉冲波有可能。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-12 20:16:04
 
谢谢 满负载时 我们的Vgs负压最大值  已达到-10.5V    而SICMOS——SCT2080ke 手册给出的负压最大值为-10V  
这个已超出 技术手册要求  应该也有安全隐患吧?? 难道负压超限不能致使MOS损坏??
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-13 14:52:11
 
虽然不会坏,但已经越线了。建议修改下驱动。
一般;SiC栅耐压是+20V/-10V,所以;推荐用+12~15V/0~-5V驱动。出现尖刺时;建议加大栅电阻,以满足标准。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-13 16:00:52
 
更改驱动参数  没效果
管子关断时  桥臂中点输出端的负载电流决定了Cds的充放电速率  从而通过米勒效应  影响Vgs   修改栅极电阻 对Vgs负压最大值 无改善 我们试验过
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-13 16:16:33
  • 倒数9
 
增加栅驱动电阻,一定会有效果的。
另外;将上管驱动;接S极线挪至下管漏极,可以改善负压。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-13 17:04:24
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谢谢 版主
驱动电阻我们确实更改过 效果不明显
您的意思 为改善负压  可以把上管的S级回线挪至下管的d极??
我想问的是,这样回路岂不是人为的增大了,且增加了杂散电感?  我们现在是双管的并联  驱动回线不一样长  会有影响吧??
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-13 20:09:31
  • 倒数5
 
负压就是寄生电感引起的。会避开后就会缓解。至于少许的偏差并不会严重影响均流。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-14 08:50:43
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您现在说的寄生电感指的是 MOS的S极引脚上的??所谓的避开寄生电感指的是哪部分电感??
cquwuqiang
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副总工程师
最新回复
  • 2017-10-23 22:01:52
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请问楼主找到Vgs负压过冲的原因了吗?我现在也遇到这个问题了。
THTTH1982
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版主
  • 2017-7-11 18:23:18
 
若是是540的话还是可以用的,关键你的驱动有问题,负波,是因为你 的信号地不是真正的信号地,那只是VGS的波形,想用这个管子,你改一下驱动也可以,
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-11 20:38:48
 
不是用的540   用的是SICMOS——UJC1210    仿真图只是个示意图      驱动负压关断应该是没问题吧  
电不死的小强
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LV8
副总工程师
  • 2017-7-12 09:27:23
 
我也有50颗这管子的样品,还好没测试,赞,做技术没必要自找麻烦。还是版主厉害,经验丰富,技术高
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-12 14:00:02
 
您这边也有 UJC1210K   SICMOS??  以前有相关设计案例麽?
电不死的小强
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副总工程师
  • 2017-7-13 08:50:03
 
没有,别人来推广,说怎么怎么好,送的样品
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-13 11:18:57
 
是同一款吗? 一下 送了50颗 SICMOS  这颗料 据说 也不便宜啊
电不死的小强
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副总工程师
  • 2017-7-13 16:57:46
  • 倒数8
 
捞出来看了下,同款,一模一样。当初说的好像是三十多块钱一颗
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-13 17:06:21
  • 倒数6
 
没这么便宜  这也是SIC材料 耐压1200V的   应该不是这个价
xkw1cn
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版主
  • 2017-7-13 20:12:01
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每个企业的价格差异超乎想像。相差4倍都不意外。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-14 09:12:47
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我擦 4倍 也太坑了吧
nc965
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  • 2017-7-12 08:15:33
 
体二极没起作用?测量问题?
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-12 14:02:14
 
不是测量问题  差分  普通探针  都试过了   测试结果一致   
为啥 Vds下降为负压 时  没打通体二极管  这个问题 我也想不明白  
nc965
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  • 2017-7-12 16:28:02
 
你用表测一下,有没有二极管
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-12 20:31:07
 
实际测量 有二极管 ! 没钳位 原因在哪?
nc965
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版主
  • 2017-7-12 22:04:30
 
感觉是测量问题,外并二极管试试。
倒霉逆变孩子
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初级工程师
  • 2017-7-13 16:03:49
  • 倒数10
 
反并联二极管 有改善 Vds下冲值 会减小  然而成本却增加了

可能这颗料的 寄生参数  影响  确实不容易调试
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