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mos管并联栅极毛刺干扰问题怎么解决

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1
liucunhj
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LV6
高级工程师
  • 2017-8-12 12:21:51
10问答币
现在在调试铅酸电池的逆变器,采用了MOS管并联的H桥拓扑
在调试时发现,MOS管开启瞬间,会引起相邻桥臂的栅极产生一个尖刺干扰。
调试发现:
1.更换电流能力小的驱动了降低开关速度,但是对尖刺干扰的电压幅值影响不是非常大
2.更换大阻值的栅极电阻后能降低开关速度,能降低轻载时的尖刺干扰
解决不了的问题
1.重载时的毛刺依然很大,不知道还有什么办法继续把毛刺降低(感觉调到一定程度毛刺就不好往下降了)
2.弥勒平台是不是在有负载的情况下都不是平的吗
3.mos开启前死区里的那段时间波形会维持在负零点几伏


轻载电阻值小时波形
微信图片_20170811104450.jpg
重载电阻值大时波形


微信图片_20170811104436.jpg
微信图片_20170812115616.jpg
ZHIYIyunmeng163
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LV8
副总工程师
  • 2017-8-13 10:07:33
  • 倒数7
 
把并联的S级电阻极可能的减小,越细越好
ZHIYIyunmeng163
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LV8
副总工程师
  • 2017-8-13 10:08:30
  • 倒数6
 
我们电动车控制器4-10管并联18K开关频率基本没有这个问题。三相H桥
liucunhj
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LV6
高级工程师
  • 2017-8-14 09:58:05
  • 倒数4
 
你们是怎么做到的,这个毛刺我调了好长时间一直有,栅极电阻加大了会好一些
goupanda
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LV8
副总工程师
  • 2017-8-13 14:52:45
  • 倒数5
 
硬开关就是这样,关断mos的Cdg电容,Cgs、Cds、寄生电感与开启mos的米勒回路震荡,可以尝试1、给DS加缓冲,2、优化这个震荡回路的面积、3、增大驱动电阻
liucunhj
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LV6
高级工程师
  • 2017-8-14 09:59:38
  • 倒数3
 
给DS加缓冲和减小振荡回路面积怎么理解
one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2017-8-16 10:57:28
  • 倒数2
 
1、DS加RC吸收;
2、减小DS尖峰;
3、检查门极环路,尖峰跟你门极电阻和线路上的阻抗有关系,最怕的就是线路上的阻抗;
4、门极加钳位电路,加快放电,都是一种方法,主要还是看你门极回路;
这个尖峰弥勒平台引起消灭不掉的,只能适当减小,也可以换Cgd小的MOS
Coming.Lu
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版主
最新回复
  • 2017-8-16 20:09:16
  • 倒数1
 
弥勒问题,只要不是ZVS软开关,都是这样的。根治不了。
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