| | | | | IGBT死区,还有变压器隔离驱动,最好做成负压关断的。
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| | | | | | | IGBT的死区调节,是通过UC3875的移相脚调节?
负压关断如何设计?我原先做的3000W以下的用的是MOS管原理图基本没动过
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| | | | | | | | | 驱动MOS的电路不能直接拿来驱动IGBT吧?要加负压关断。
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| | | | | | | 之前驱动变压器原边驱动电阻150欧,老化过程中经常会坏IGBT。 后来我把150欧改成51欧后,IGBT就没坏过,但是推挽的器件工作温度变得非常高了。
我将原先的驱动变压器匝数提高了10匝,一点效果都没。
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| | | | | Q1,Q5两个管子的温度在带载老化过程中,温升比其他三组高20度左右! |
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| | | | | | | | | 你说的变压器变比大,是我主功率的变压器? 这个变压器是好的电源上拆下来的,应该没问题
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| | | | | | | | | | | 如果原来是驱动MOS的话,看看开关频率,IGBT的驱动频率不宜过高,一般都是用在20-30K,另外IGBT需要负脉冲。大功率建议您采用TC4424系类的芯片扩流,然后用驱动变压器隔离驱动。
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| | | | | | | | | | | | | 哦,我频率是用了85K,IGBT是IXFK27N80Q
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| | | | | | | | | | | | | 如果我使用的频率不变的情况下,有什么办法可以改变? 变压器已经按85K做好了。
按你的说法,我把频率降下来之后,驱动波形确实改善了
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| | | | | | | | | | | | | | | 或者把IGBT改成MOS管啊,800V的mos也是有的,再说了移相全桥更适合MOS
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| | | | | | | | | | | | | | | 换成MOS还得注意体二极管,不经常在线,可以加我QQ:304038989,全桥串联LC谐振移相我做的较多,可以一起探讨。
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| | | | | 建议用示波器看GE端波形,如果捕捉到超过20V的毛刺,那就被电压尖峰击穿了。
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