由21Dianyuan主办的2017年“高性能电源设计、电磁兼容整改实战技术培训”于11月18日在成都麦田天阅酒店圆满落幕。感谢中·国电源学会的大力支持，同时也感谢成都电子科技大学的鼎力相助。此次培训会采用现场直播的方式，在线观看人数近4000余人。本次培训我们特邀四川省和成都市电力电子学会副理事长、理事 电子科技大学 李泽宏教授、21Dianyuan资深版主 网名xkw1cn 中·国电源学会专家委员会委员 许逵炜老师和21Dianyuan资深版主 网名nc965 中·国电源学会专家委员会委员李义老师为大家带来一天的开关电源设计与电磁兼容的培训，旨在给工程技术人员带来实实在在的技术帮助与提升！现场李泽宏教授、许逵炜老师和李义老师分别为大家带来功率MOS和IGBT的技术发展、准谐振反激式开关电路分析及高能效设计指南以及开关电源EMC设计实用技术这三个主题，受到了成都工程师们的热烈欢迎。在此，我代表21Dianyuan向各位到场参会的工程师、各位现场支持的展商以及演讲老师表达深深的谢意。 不过，因各种原因未能到场参会的工程师也不要感到遗憾。经过我们与老师们协商，为了弥补未到场工程师的遗憾，我们将老师的讲义经过整理后，放在论坛上面，供广大工程师下载学习。希望我们的培训为更多的工程师带来更多的收获。 【讲师介绍】 李泽宏 四川省和成都市电力电子学会副理事长理事 电子科技大学教授 一直从事微电子器件、工艺、集成电路及系统的研究 重点研究方向：新型功率器件、功率集成工艺及功率集成电路的基础和技术研究，包括：高性能整流器、高端三极管、IGBT(600V-6500V)、LED驱动和汽车电子等，在校期间承接多个重大项目，曾经合作的企业包括：华为、美的、华润微电子、中航微电子、电网等企业，并保持很好的合作关系。曾获得新型功率半导体器件体内场关键技术研究与应用项目获得科技进步二等奖，另获中·国电子科技集团一等奖等多项荣誉。以第一人申请发明专利近200项，授权100余项，转让近10项；在IEEE，PE等期刊发表论文100余篇，被SCI/EI收录60余篇。
【培训大纲】
功率MOS和IGBT的技术进展 1 功率MOS的基础 2 功率MOS的技术进展 3 IGBT的基础 4 IGBT的技术进展
【培训内容】
【培训现场】 成都电子科技大学 李泽宏教授正在台上演讲 参会工程师都在认真听课
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