| | | | | MOS的可变电阻去类似三极管的饱和区,mos的放大区和三极管的放大区类似。
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| | | | | 先说答案:工作在线性区。
Vg-Vth>Vds=0这个表达式不准确,Vds≠0,在Vg-Vth>Vds条件下,MOS工作在线性区,开关管可以等效为一个电阻Ron,Vds=Ids*Ron,这个叫线性区,不叫可变电阻区,可变电阻区是MOS管开关过程中的弥勒平台区间。
至于你所说的饱和导通,是相对Vgs而言的,Vgs再增大,Ron不会再明显减小了,就是你所谓的饱和导通。
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| | | | | | | | | 你所谓的饱和说的是VGS和Ron的关系,Ron不再随Vgs的增加而减小,可以看做是一种饱和。
对于VDS和Ron的关系来看,你所描述的开关管状态应该是处于线性区,Vds=Ron*Ids,Vds增加,Ids增加,这个就是线性区,当然,如果VDS增加的很大以后,Ids不再增加,可以认为从Vds角度看,器件也进入了一种饱和状态,这种饱和状态和之前说的VGS饱和不是一回事。
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