2017年12月9日,由世纪电源网主办的第八届21Dianyuan高性能电源技术分享与实战技术研讨会在深圳马哥孛罗好日子酒店圆满落下帷幕!
世纪电源网已连续八年在深圳成功举办“高性能电源技术分享与实战技术研讨会”,每年超过1000名工程师参会。本届会议汇聚多位业内多位知名专家、千名电源业内工程师,共计人数超过1300人。本次会议中, 来自南京航空航天大学的谢少军先生为工程师们分享了SiC MOSFETs的特性及其抗串扰驱动电路,参会工程师们认真听讲直到会议结束,全场座无虚席!
演讲主题: SiC MOSFETs的特性及其抗串扰驱动电路
演讲人:南京航空航天大学 谢少军
基本内容:
· SiC与Si基器件特性对比
· SiC MOSFET的驱动
· SiC MOSFET桥臂电路串扰问题
· 抗串扰驱动
· 多电平抗串扰驱动电路
67 SiC MOSFETs的特性 及其抗串扰驱动电路 谢少军.zip
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