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| | | | | 不是这么说的,这是两个问题:
1、C1、C2、R1、D3、D4组成的是退饱和保护电路,主要是为了防止Ids瞬时突变到Irms的6-7倍(分析上下管直通的情况会好理解些)时,通过DESAT的功能来切断驱动波形;C1C2来调节消隐时间,R1的作用类似;D3D4之所以用两个二极管主要是耐压的问题,现在一般1个二极管就够了;
2、负尖峰,即Vds<0,DESAT内置的电流源会流经Vds的环路,加D1D2可以减小电流源的负担,问题也来了,二极管会引入结电容,会加长消音时间;
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| | | | | | | 你好,针对这个帖子的第二个问题,我还不明白
比如最左边的桥臂,如果下桥臂要到导通,那么就给下面的IGBT门极输入UG--信号,
此时回路的地是NE,但是上管开通,下管关闭时,虽然上管的导通信号是UG+,但是下管关闭
此时的地就没有了,上管如何导通?
谢
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| | | | | | | | | 上管驱动是浮地驱动,UG+的信号是相对于U点的,而不是相对于NE |
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| | | | | | | 再次回顾这个帖子
你说的消音时间指的是什么?看到ISO5852手册中也说到了,检测到IGBT过流后,静音逻辑会阻断输出。
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| | | | | R1和D1/2的作用是钳位DESAT的负压。主管导通的时候D3/4的寄生电容会由于很高的du/dt产生位移电流,该位移电流会给C1/2反向充电,所以需要并联D1/2以限制DESAT的负压。
第二个问题,通常上管会有独立的驱动芯片,其高边供电也是和下管驱动芯片隔离的。不然,则需要用电荷泵功能提供高边驱动电压。
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