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未解决

【求助】100V高压降压DC/DC设计方案

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zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-11 09:52:04
10问答币
某产品需采用100V电池组供电,电池组由三元锂电芯经2并27串组成,放电电压范围81V~113.4V(标称电压99.9V),电池组经降压稳压提供3路直流
电压输出:

第1路:42V±5V 10A
第2路:24V±4V 8A
第3路:24V±4V 4A
各路输入-输出和各路输出相互之间无隔离要求。

拟采用3路降压DC/DC设计,但输入电压高达100V左右(实际需满足81V~113.4V输入电压范围),符合这样参数的降压DC/DC很不好找,不知哪位坛
友有这类设计的成熟产品或方案或思路分享?在此先行致谢。



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nc965
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版主
  • 2018-1-11 10:16:48
 
这个功率等级要用分离元件了,MOS外置,按常规思路设计。
ghsdwf
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-12 12:06:04
 
NCP1034 同步Buck
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-12 12:48:05
 
感谢回复
这个芯片最高输入电压100V,不满足要求(输入电压范围81V~113.4V

已找到凌特的LTC3895和LTC7801两款芯片,正在研究中
阳光常在
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-13 10:12:14
 
就算可以在220Vac上用的ACDC芯片,大多也是开关元件高耐压,内部控制逻辑还是低电压的。  有高耐压的芯片,但根本就难做到你要求的那么大电流。
     都是要外扩开关元件的,干嘛要纠结在芯片的耐压?随便找个拓扑简单点的常用控制器芯片加足够耐压的开关管就行了。
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-13 17:06:49
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电路容纳空间极为有限,所以想找集成芯片以尽可能缩小尺寸
阳光常在
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-14 11:35:48
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输出超过800瓦,体积能小到哪里去?集成芯片和集成控制器外扩MOS的体积区别肯定可以忽略了
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-14 15:05:26
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是集成控制器+MOS
ghsdwf
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高级工程师
  • 2018-1-15 08:42:02
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LTC的方案不便宜,可以考虑同步Buck芯片加半桥驱动
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-15 09:01:09
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这个项目可靠性第一,成本是第二位考虑的
THTTH1982
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版主
  • 2018-1-18 00:43:22
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用TI的 我看到过
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-18 11:18:42
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TI的器件最高电压只能做到100V,不满足要求,只能是凌特了
olmand
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副总工程师
  • 2018-1-18 16:26:01
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不如单端反激来的简单!
zhoupxa
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副总工程师
  • 2018-1-18 21:28:14
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未要求隔离,要求占用空间最小
yidx
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最新回复
  • 2019-11-14 00:09:00
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NCP1034电流倒灌不好解决,导致效率不高,而且下管有电流冲击,兄弟最后用啥方案
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