2018长园维安电源原创DIY设计分享大赛最终大奖揭晓！！！
好事不怕磨，让大家久等了！
 首先，在这里小编要感谢各位工程师朋友们对本次大赛的参与和支持！为每一位在本次活动中分享自己知识、经验、见解的工程师们点赞！  期待今后坛子里有你们更活跃的身影！
本次大赛参赛作品方案覆盖了快充适配器、高性能 LED 驱动电源、TV电源、工业电源等等多种应用领域，优秀作品远远超出预想，经长园维安商讨决定增加2个二等奖（华为 MATE10），3个三等奖（VIVO X20）以兹鼓励，希望各位工程师在自己的技术领域能够取得更大的成果，真正达到学有所用、学有所乐。同时也要感谢本次活动金主【长园维安】对此次活动的大力支持！！！
话不多说
现在开始颁奖 啦！
一等奖（1名） 获奖者：lutian 专家点评：功率密度：1.10W/cm3线端效率：88.24%90Vac温升：97.6℃MOSFET 电压裕量：100V；EMI： 裕量高.使用长园维安创新封装SOT-223-2L WMF10N65C2 0.69Ω/650V.作品体积紧凑、功率密度较高、效率高、待机功耗低。
二等奖（2+2名）
获奖者：笑嘻嘻liuqi0310 专家点评：功率密度 0.31W/cm3,线端效率：89.80%,90V 5V-3A MOSFET外壳温升：90.8℃；EMI： 裕量高； 此作品PFC MOSFET使用长园维安创新封装SOT-223-2L WMF10N65C2 0.69Ω/650V. PD充电器功率18W，作品体积紧凑、功率密度较高、效率高.PFC MOSFET温升低、电压、电流裕量高和栅源开关波形平滑。作品EMI传导辐射裕量高。
获奖者：lf1316782417 专家点评：功率密度：2.18W/cm3,线端效率：91.26%,180Vac 整机外壳温升77.5℃； PFC MOSFET 开关频率191.2KHz电压裕量144V；LLC MOSFET电压裕量 150VEMI： CE超标 CDN测试裕量偏低； 此作品PFC ,LLC MOSFET使用长园维安WMO16N60C2 600V/0.3ΩTO-252封装,电源模块功率240W，作品体积紧凑、功率密度非常高、效率高.温升低、电压、电流裕量高和栅源开关波形平滑。作品EMI裕量偏低。
获奖者：五六电源 专家点评：0.431W/cm3, 线端效率：92.16%, MOSFET外壳温升：40.3℃, PFC MOSFET 电压裕量：172V；LLC MOSFET电压裕量 192V ,EMI： 裕量高.此作品PFC MOSFET使用长园维安创新封装TO-220ISO内置绝缘，LLC 使用TO-252贴片600V/0.30Ω Rdson封装. LED功率200W，作品体积紧凑、功率密度较高、效率高. PFC MOSFET开关频率118.2KHz、LLC谐振频率122.7KHz; 温升低、电压、电流裕量高和栅源开关波形平滑。作品EMI裕量稍低。
获奖者：liaozhaocheng 参赛作品：65W AC-DC 超小体积适配器 专家点评：功率密度：0.635W/cm3,线端效率：89.92%,温升：65.7℃MOSFET 电压裕量：100V; EMI 裕量偏小; 使用长园维安创新封装SOT-223-2L WMF10N65C2,适配器功率65W，作品体积紧凑、功率密度较高和效率高。
三等奖（3+3名）
获奖者：flowerhuanghua 专家点评：线段效率：86.41%230Vac 整机外壳温升：73.4℃；PFC MOSFET 电压裕量200V；反激 MOSFET电压裕量 250VEMI： CE CDN测试裕量低； 此作品PFC MOSFET使用长园维安WMA26N60C2 600V/0.19ΩTO-220ISO内置绝缘创新封装. 反激拓扑使用长园维安WML09N90C2 900V/1.2Ω TO-220F封装。浪涌通过差模2.2KV, 共模4.4KV测试。EMI：裕量小 CE测试裕量低；
获奖者：yutingwen 专家点评：功率密度：1.01W/cm3效率：20V/1.5A >89% 过六级能效要求温升： 120Vac 30W 环境30℃ MOSFET 83.3℃ 230Vac 30W 85℃； MOSFET电压裕量100V；驱动波形平滑；EMI: 裕量低 此充电器功率密度高，效率高，MOSFET器件温升低。
获奖者：154600 专家点评：功率密度：0.4W/cm3,线端效率：87.93%,90Vac MOSFET温升：86.8℃；PFC MOSFET 电压裕量176V；LLC MOSFET电压裕量 160VEMI： CE超标 CDN测试裕量低； 此作品PFC ,LLC MOSFET使用长园维安WMA26N60C2 600V/0.19ΩTO-220ISO内置绝缘创新封装电源模块功率280W，作品体积紧凑、功率密度一般、效率高.输出可调2-45V.温升低、电压、电流裕量高和栅源开关波形平滑。作品EMI裕量偏低。
获奖者：hwchwcww 专家点评：功率密度：0.58W/cm3,线端效率：86.10%,MOS 外壳温度110.2℃ @90Vac FL EMI： CE CDN测试裕量低； 此作品PFC MOSFET使用长园维安创新封装SOT-223-2L WMF04N65C2 1.9Ω/650V器件. 电源功率20W，功率密度高，器件成本有优势。90Vac MOSFET 外壳温度110.2℃ 偏高。开关频率108KHz, MOSFET 电压裕量偏低，栅极驱动平滑。EMI：裕量低 CE CDN测试裕量低。
获奖者：星宇 专家点评：线端效率：93.1%,220Vdc 整机外壳温升：114℃；220VDC MOSFET电压应力220V; 上管软开关温升低约54℃，下管硬开关温升高约114℃。 此作品MOSFET使用长园维安WMJ53N60C2 600V/0.07Ω TO-247封装.交错正激软开关拓扑创新性强，环路控制优秀；满载，启动短路保护时开关器件应力小。220VDC MOSFET电压应力220V; 电压裕量非常高，适合500V高压输入应用. 其中上管软开关温升低约54℃，下管硬开关温升高约114℃。略有不足是下管轻载是硬开关状态，功耗高，温升高。
获奖者：snpyg 专家点评：功率密度：功率密度一般, 效率：220Vac 89.84% 温升：较低MOSFET电压裕量100V；驱动波形平滑EMI: 裕量低 此LED电源PFC使用WML13N50C2，反激使用WML11N65C2; 功率密度一般，两级转换效率较高，MOSFET器件温升低。EMI 裕量低。
入围奖
| 莫见愁 | | wuyiming | | power_hh | | wggaoxin | | wl777wl | | lixianmin | | hellbaron2008 | | dongp | | 小付8 | | 小小的等待 | | kevin925 | | INHL | | lindar | | niyin | | nenya | | li452869606 | | dongqingkaka | | jhcj2014 | | 黄远科 | | 老余 | | dz010432 | | lihoushen | | biaohuang | | wdshuang09 | | jacob1 | | 孤殇m | | tanb006 | | |
恭喜各位获奖者，掌声 鲜花 和羡慕一起送给你们！！！
文末小编有话说， 相信大家一定很好奇为什么本次大赛结束时间会延长，那么这里小编跟大家解释说明下，本次大赛评奖分为了三个阶段，第一阶段当然是拆箱测试啦~长园维安的攻城狮们除了测试作品的一些基本功能外，还要根据亲们的帖子，报告，还有作品特点一对一的深入沟通设计中的问题，那么追求完美的攻城狮小编没话说双手双脚点赞~ 评奖第二阶段：通过第一轮的评测，攻城狮们从亲们的优秀作品中筛选出一部分更优秀的作品送到深圳做EMI测试。评奖第三阶段：专家齐聚评审，敲定最后获奖名单。 当当当当~这些就是评奖部分的全部流程啦~感谢各位的支持与关注，所有的等待终将不负期待！
有图有真相之小编独家放送那些你不知道的测试二三事！
PS：本次大赛获得一，二，三等奖的作品，测试报告会陆续发布，乃们可以随时关注下论坛信息哟~ ❤ | 
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