 |  | | | | 指正：一般设计思想是够用即可，继续提高抗饱和会付出成本效益损失。
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|  | | | | | | 大师 多谢 针对这个的理解方式是这样的吗？因为其它没变这就相当于 GAP增加的效果
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| | | | | | | | | 放到产品铭牌上去理解，看这个参数影响啥。因为用户只关心铭牌参数，不会去关心你说这个内部参数。
即使产品内部机制，这个理解也不一定正确，比如：
1、抗饱和是对磁芯而言，而不是对电感而言
2、只要你愿意，同样的磁芯你也可以通过调整气隙做到在增加感量的前提下提高抗饱和能力。或者减少感量的同时减少抗饱和能力。
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| | | | | | | | | | | 大师，这个产品有点特定:已经量产的产品，所有已定，但生产一段时间发现有饱和的风险，最终的对策就是工作模式，输入输出频率芯片所有相关不变，仅仅调整感量下降，以提升抗饱和能力。
在这个前提下，您怎么看～
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| | | | |  | | | | | | | | 我的看法是：你这个产品要吗是设计有问题，要吗是品质管理有问题。如果不追究这两个问题，你目前的对策也解决不了这些问题，还可能带来别的问题。
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| | | | | | | | | | | | | 版主不是说了么，“调整气隙做到在增加感量的前提下提高抗饱和能力” ，和您的想法相反耶。
我倒觉得您是对的。
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| | | | | | | | | | | | | 你想输入输出频率芯片所有相关不变的话，就不能降低感量。
给你一个不降低感量又增加抗饱和能力的例子（反激）：
代价是：热应力加剧不止10%
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| | | | | | | | | | | | | | | 大师我理解您的意思，可能是我描述的不够严谨，谢谢了～
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| | | | | 你的推导过程中存在偷换概念的地方。在Bmax的推导过程中CCM模式和DCM模式有区别，你用一个什么电流斜中间值IA就表示了，难道DCM和CCM模式下，你这个所谓的IA能保持不变？
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| | | | | | | | | 是得，条件没有变仅仅是稍微降低感量，稍微提升下抗饱和，不是大范围变动，就这个机种而已。 |
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| | | | | | | | | | | | | 其实这很好理解，尤其是圈数不变，改变气隙，使感量变小，因为输出功率≈正比于Bm2乘气隙长度lg，可见lg增大点，Bm就低一点。
所以7楼已经说您是对的。
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢大师对理解的认同～
另外，模式不变，同一变压器加大感量，使得连续进入更深度，这个好坏优劣如何看？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 连续深些，感量大些 => Bm大些，峰值电流小些，RMS电流小些，右半平面零点频率低些（导致频宽受限）。
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