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未解决

如何提高全桥硬开关dcdc电源效率

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邹姜一郎
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副总工程师
  • 2018-8-22 16:02:39
10问答币
大家好,我最近模仿一块村田的200Wdcdc电源,做了一个全桥硬开关电源。
不过样机的效率是93%,而我做的样机效率只有90%,差了3个点,请问有哪些常用的方法,可以提高开关电源效率?
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fengbin
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副总工程师
  • 2018-8-23 09:06:44
  • 倒数10
 
主要是选用方案有关

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wangdongchun
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专家
  • 2018-8-23 09:18:10
  • 倒数9
 
这个范围可以接受,元件选择以及参数差别也是可能造成这种情况的

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邹姜一郎
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副总工程师
  • 2018-8-28 08:51:57
  • 倒数8
 


还有一个问题,波形中,下管导通时,电压不是理论上的0V,而是约-1V,上管导通时,不是理论上的Vin,而是(Vin-1)V,感觉整个波形被整体拉低了1V,很奇怪。我测试了模仿的开发板,没有这些问题。

THTTH1982
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版主
  • 2018-9-14 08:26:37
  • 倒数7
 
时间问题,管子的上下时间,MOS的内阻 ,驱动的上下时间(输入的结电容,;输出电容)  整流管的时间问题,别人100nS开始整流,若是你的超过100,效率只然会低,
joezzhang
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副总工程师
  • 2018-9-26 21:28:45
  • 倒数6
 
加大驱动电流,缩短死区时间。不缺钱就上GaN
邹姜一郎
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副总工程师
  • 2018-11-1 09:16:09
  • 倒数5
 
加大驱动电流是指换驱动电流更大的驱动器吗?如把4A的UCC27324换成5A的UCC27524,是吧?还有就是减小甚至去掉栅极驱动电阻Rg,是吧?还有其他的方法吗?GaN我们组也有其他同事在做,效率确实提升了,不过老莫名其妙的坏,现在还用的不顺手。
joezzhang
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副总工程师
  • 2019-2-22 16:50:19
  • 倒数4
 
去掉Rg可能适得其反,Cgd相较Cgs很大的话,第一个驱动电流尖峰可能超过5A,然后你的驱动芯片就过流、驱动电压下跌、出现一个振荡,损耗可能变大。

Rg要和驱动芯片配合使用,以驱动电压单调上升为标准。

选用Cgd/Cgs更小、Coss更小、tr和tf更短的开关管,也是很有帮助的。

要平衡导通损耗和开关损耗,有时候70A的管子比100A的管子发热低,省钱反而提升效率
邹姜一郎
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副总工程师
  • 2019-2-28 16:33:53
  • 倒数2
 
谢谢!

zxy_20120225
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副总工程师
  • 2019-2-26 08:53:24
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增加有源钳位(ZVS)
cyx7610
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总工程师
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  • 2019-3-18 21:23:44
  • 倒数1
 
差了3个点,是在什么载条件下?满载主要看导通损耗。
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