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MOS管DS波形问题

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hy658
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LV3
助理工程师
  • 2018-9-26 09:43:27
通常rcd吸收指的是C2,R3,D2   
现在很多方案加了R4,加了之后,MOS管DS电压的尖峰附件的震荡会小很多,这个原理是什么?

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zhangsuixin15
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LV6
高级工程师
  • 2018-9-26 10:29:07
  • 倒数3
 
先要明白振荡的产生机理.增加电阻可以阻尼振荡,但会增加尖峰电压的幅度.
hy658
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LV3
助理工程师
  • 2018-9-26 10:46:40
  • 倒数2
 
根据我的了解,震荡的机理是变压器的漏感和MOS管的DS电容产生的一个震荡,
增加电阻可以阻尼震荡,震荡应该是逐渐减弱,你说的会增加尖峰电压的幅度,这个原因是什么?
shiyongxie
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2018-9-28 10:45:02
  • 倒数1
 
关断是流过R4的电流瞬间会比较大,在R4上的压降加到MOSFET上,所以Vds就比较大
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