MOS开关损耗。黄色的第一项是MOSFET开通和管段时电流和电压交叠区域。Tr和Tf是可以通过数据首次的Vgs-Ids曲线和Vth的值结合驱动电阻和Ciss和Crss求解出来。比如开启损耗,Vth到米勒平台的电压这段时间可以认为Mosfet上Vds电压不变,电流线性上升上升时间t1;米勒平台阶段驱Vds线性下降,Ids的电流不变,驱动给Crss放电,放电时间为t2;所以Tr=t1+t2.开启的损耗就可以近似为P=Vds*(0.5*Ids)*t1+(0.5*Vds)*t2*Ids。同理关断损耗一样技术。
第二部分,就是MOSFET输出电容损耗。因为MOSFET的输出电容在每个周期都被冲放电,电容上的能量都会消耗在MOSFET上。电容上的能量为0.5*Coss*Vds^2.