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这个是之前做的一个电源的波形,看起来确实有点区别,但是这次的功率大,不知道跟功率有没有关系
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| | | | | | | 另外还有个问题,就是效率特别低,我看了一下测试的效率,感觉是因为效率过低导致的,但又不知道怎么样提高效率。在低压输入的时候效率特别低。
效率85.2% 92.9%
同样输出52W,输入12V的时候比24V的时候多损耗了5W
效率74.6% 效率92.8%
同样输出112W,输入12V的时候比输入24V的时候多损耗了30W,一共损耗接近40W
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| | | | | | | | | 1、Boost电路应该是很好调试的,效率也不会低,重点在于你要把控工况,也就是占空比与理论升压幅度的吻合程度,你仔细看看了。
2、此外电流采样明显有滞后和畸变,如果此信号用于环路控制就有问题,仅用于保护可暂时不理会。
3、1楼电流采样波形反应电感量明显偏大(4楼是合适的)。
4、输出54V而二极管用60V电压等级比较冒险了,余量不足,加上电路布局的不合理(三圈两地没做好),击穿是大概率事件。
5、主要发热应该在二极管上,热击穿几率很大。
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| | | | | | | | | | | 谢谢您的回复。就是您说的占空比跟升压比我感觉还是吻合的,主要就是那个电流确实滞后了,但不知道是什么原因。还有就是您说发热在二极管上,但是输出电流只有不到5A,二极管是两个20A的,一共就是40A,这个余量也不足吗?电压确实余量有点小了。还有那个二极管测量好像没坏。
另外就是那个MOS管的选择,有个疑问,一般应该留多大的余量,我这个设计里面峰值电流大概20A,我用了两个IRFB3207,一个3207的电流是75A,两个的话应该150A,但是还是好像不够。
从效率测试的数据上看,因为增大输出功率引起的损耗并不是很大,这是不是能说明输出二极管上的损耗比较小,主要损耗是在前端MOS跟电感上呢?
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| | | | | | | | | | | | | 如果你的功率在250W左右,那么二极管和MOS都只用1只应该是可以的。说主要发热在二极管上,意思是MOS发热应该低于二极管,但你的情况相反,建议测试一下MOS的内阻(目前的表现疑似假货)。此外工况需要进一步明确(恒功率?),电感也是需要优化(感量和抗饱和裕度)的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢您了,还有个问题,下面图中的这部分是不是也有问题,积分的电容跟电阻接到基准电压上了,是不是也没什么作用了?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | FB是运放输出的话,这样是可以的,不过是多余的(仅用一组RC即可),画蛇添足。
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| | | | | | | | | | | | | | | 只能说是恒压,不是恒功率,输出电压一般是48V,输入12V(也有可能是24V)
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用的这个磁环,绕了23匝,那饱和电流是不是应该是700/23=30A (我不知道我理解的对不对),现在是20A
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| | | | | | | | | | | | | 这个电感饱和了,不能用,要吗两环并(16匝),要吗77550(31匝)
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| | | | | 可以试试多个电流小一点的MOS并联,你现在用的IRF3207,栅极电容太大了,开关速度慢,损耗大 |
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| | | | | | | | | | | | | 可以定义为慢了,如果不想换控制芯片494,那就加一个MOS驱动芯片吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢您,还想跟您问一下,就是我之前那个限流电阻是2.2欧姆的,但是那样的话开通震荡很厉害,这个震荡一般怎么样能消除或者减小呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个是密勒效应造成的,硬开关的BOOST只能寄希望于开关管特性了,换个电流又大栅极电容又小的MOS吧。 |
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| | | | | | | | | 没有呢怎么晒? 右边的MOS是用线性的方式来防负载接入瞬间冲击的。 |
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| | | | | | | 你好,能提供电感参数吗。另外这个输出能做120W吗?有Layout参考一下吗? |
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| | | | | | | | | 47uH,去淘宝搜,10A或者电流更大的磁环电感。
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