 |  | | | | 我记得仙童的那份RCD设计文档里面有介绍，吸收电容的设计电压通常在2-2.5倍的反射电压，也就是吸走漏感上的尖峰电压
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | MOS管耐压减去输入电压，流点余量就够了。 
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| | | | | | | 这样做有点不符合实际吧，MOS管的耐压一般600-650V吧？但是某些小功率芯片内置功率三极管的耐压可以达到800V, 以输入AC220V为例：220*1.4=308 ,650-308=342V, 800-308=492V, 两者相差有点大
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| |  | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | 1、RCD吸收的目的是什么？
2、选择不同耐压的管子，还需要同样的RCD吸收吗？
明白了第一个，了解了第二个，就知道我说的恰好是最符合实际的。
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| | | | | | | | | | | 我是这样理解的：在同等条件下，尽管MOS管的耐压不同，但其产生的VDS尖峰电压是一样的吧，RCD吸收电路作用主要是抑制开关管关断瞬间变压器次级反射回来的电压，所以我认为耐压不同的MOS管和吸收电容的耐压值没有密切的关联
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | 1、VDS尖峰电压一样。
2、RCD吸收的不是反射回来的电压，是叠加在反射电压上的尖峰电压。
3、既然MOS管耐压不一样，我们为什么要用同样的吸收电路？如果600V管子，我们需要将电容电压限制在150V，那么800V管子，电容电压达到300V，有什么关系呢？余量反而大了50V.
4、尽然不一样管子，电容电压可以不一样，那么根据MOS管耐压来选择电容耐压，有什么问题呢？
说了半天，你并没有说RCD吸收的目的，吸收的目的不就是保护MOS管不被过压击穿吗？如果是这个目的，根据MOS管耐压，决定电容电压从而选择电容不很正常？如果你吸收的目的是降低EMI这些，那就另说了。
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼主意思可能是，譬如说，不管600或800V的管子，一律限制电容电压在150V，这样就无关了。
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| | | | | | |  | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | 一律限制电容电压在150V，那就选择满足150V电压的电容就可以了，还要为多少伏耐压电容纠结什么？
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| | | | | | | | | | | | | | | 前辈说的很有道理，但我想说两点：1、根据MOS管耐压来选择电容耐压是没有问题，但两者之间并没有直接的关联吧。2、余量留大一点当然是更好，但是基于成本方面的考虑，电容耐压值低一点其单价自然会低一点，如按照您所说的假如600V的管子电容电压限制在150V，那么800V的管子电容电压将达到300V, 耐压值300V的电容要比150V耐压值的电容要贵吧？假如这个方案中使用的功率管耐压值是800V，那么如果按照您说的方法的话电容耐压值要使用300V的，本来150V的耐压值已经足够，这不是无形之中增加了成本了吗 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | 那你要这样说，就是先有鸡还是先有鸡蛋的问题了，就不是说电容选择多少耐压，而是你实际测试看电压多少，选择一个耐压满足要求的电容即可。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 事情没有你想的这样复杂，现在做案子，特别是手机充电器行业，算成本就像过苦日子一样油盐米醋都要精打细算
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109874
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积分:109874 版主 | | | | | | | | | | | 精打细算不就是我说的这样简单？做出来，实际测一下，选一个最合适的就OK了，否则就是按照我开始说的那样选。
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| | | | | 我觉得算很多遍，都还是要测一遍吧
拿一个1KV的电容上去，直接测量两端电压，一般考虑最大（最小）值，但我会考虑峰峰值；
取500V一般足够，1KV非常稳妥，也不能更大了
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| | | | | | | 我一般都是用1KV耐压的电容，但有些客户给的单价很低，只能在元件成本方面看看能不能压缩一下了
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| | | | | | | | | 捋一捋：
1、反激这个电容是钳位，不是吸收，C上一般不串电阻，只并联一个泄放电阻，这意味着这两个器件电压应力相等。
2、电容串电阻才可能是吸收，两个器件的最大电压应力为远端应力，只有有LC同时介入的二阶电路其器件应力才有可能超过远端应力。
3、这个电容的电压应力就是反射电压与漏感尖峰电压之和。这意味着与变压器工艺优劣有关。
4、这个电容耐压的选择范围有限，贴片的只有250、500、1KV这几档。因此，（典型市电应用时）选用250V耐压需要对电路（漏感）的精细把控，否则其余。
5、由于此电容容量较小（一般小于103），即使上述3挡不同耐压价格也相差无几，不用过于纠结。
6、真正需要纠结的是焊盘间距，0805肯定不行，1206也要小心。同样纠结于此的还有并联电阻的封装和耐压，以及电阻发热机械应力对这个电容可靠性的影响。
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| | | | | | | | | | | 您分析的也有一定的道理，在下有两个疑问
1、钳位和吸收区别在于哪里？这两者的作用不都是用来抑制VDS尖峰电压吗？
2、原理图中 C3 串联一个100欧姆的电阻再并联一个200K的电阻，那么这个电路到底是钳位还是吸收呢？ |
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| | | | | | | | | | | | | 这件事与你开帖的立论没有啥关系吧
1、钳位和吸收区别：电容两端的电压基本不变是钳位（即钳位电压），否则（全充全放甚至交流）是吸收；其容量大幅度增加不影响效果是钳位（对R值敏感），否则是吸收（对C值敏感）。
2、原理图中 C3 串联一个100欧姆的电阻，只是偶然的抄袭，据说是为了EMI，意思不是为了吸收，因此不是吸收，还是钳位。
3、虽然反激的Vds尖峰采用RC吸收、RCD吸收、RCD钳位这三种方法都可以达到相同幅度的削弱，但实践证明其中唯有RCD钳位最为高效（损耗最小）。
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| | | | | | | | | | | | | | | 既然提到了就想弄个明白，虽然在电源行业做了几年，但本人学艺不精，还是有很多需要去探索、去学习的地方，所以我来到了这里，在这里能与各位大侠、前辈相遇，也是我的荣幸之极！希望各位多多照顾一下，在下感激不尽！
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| | | | | 是做反激吗？反激这块的话，RCD主要用来吸收漏感尖峰了，再加上反射电压就是电容的电压应力了。取个2倍的裕量就行。
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