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|  |  | | | | | 感谢李工的回复，按您的表格算了磁功率系数是大于1了，我现在的原边感量是420UH 您的表格算出来的是300UH.请问李工要如去优化这个变压器呢？ |
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| | | | | | | | | 按实际参数填入表格，然后调整Bs值直到感量和频率占空比吻合，才能看出问题。
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| | | | | | | | | | | Bs差不多是就0.25，最大到0.3啊！我怎么调磁功率和频率都调不好呢！能麻烦李工帮我算下，我对比下哪里的问题吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 把Bs调到0.36才和我现在的实际感量吻合，但是频率特别低啊！具体要怎样调整复核呢？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你意思是感量对了频率就不对？频率跟输入电压有关系，你不是有个特定电压下温度有问题吗？就在这个电压下复核即可，它有特定的频率和占空比波形。
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| | | | | | |  | | | | | | | | | | | | 我用100V电压填进去，调整BS后 ，现在实际感量和实际初次级都是吻合的，但频率也还是不对啊！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 最低输入电压Voll（可以实测）与电网电压不是一个值，与电解容量有关，你实测频率是多少？波形呢？CCM模式？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好！李工！按你的表格计算怎么和实际工况对不上呢？是哪里搞错了吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在实际输入电压，实际初次级匝数，实际原边感量都是和表格里的参数一样的，就是频率对不上啊！ |
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| | | | | | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | | | | | 看见了，60KHz左右，CCM模式，你调整输入电压直到频率吻合就是转折电压。虽然你这个变压器貌似无需CCM模式，这也是发热的主要原因之一。 |
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| | | | | 看这个方案，电流将至3A差不多，要做100W，加大体积，或者换方案。
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| | | | | 想那年我也玩了一款类似的产品，我做的是150W的，输出用同步整流，温升和你的类似，EMI，温升，效率都需要一个一个去慢慢突破，从那以后，再也不玩反激超过100W不带PFC的了，确实有一定的难度。
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| | | | | 看起来基本是要参数取值的问题了；
1、输入大电容，若是小于150UF，可以增加至此，但再增大考虑到空间与价格，不建议；
2、看起来很多温度是被MOS烤热的，RCD,CS，输入电容等，所以MOS的并电容考虑放小一点，不能太狠了；关键R14一般不要超过33吧，可以把R16增大解EMI，R14取小；
3、变压器磁芯温度，在MOS下降后基本做到110°以内，符合要求，线包那就只能改线径了，没有什么好的办法；
4、桥堆是否可考虑8A的物料，散热片点胶到case，点胶到PCB等，且离电感有点近；在看下电感温度；桥堆在这个瓦特数不应该跑到120℃的吧；
5、RCD的并电阻太小了吧，反压这么差吗？这个参数无论是效率和温升都非常差；
6、再有就是点胶的情况了
以上，个人经验
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| | | | | | | 谢谢您的回复呢！我现在电容用的180UF的，桥堆也是8A的，线径的话初级已经0.55*2了，次级0.65*4.您说的驱动电阻我改了看下。RCD吸收电阻小了吗？差不多150K了啊！
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| | | | | | | | | 1、反压很差吗？把RCD并电阻放大一点，反压能过就好了，全电压无PFC，变压器三明治绕法，不至于很差吧；
2、0.65*4不行的话，何不考虑小线径多股线呢，例如0.1*100之类的也是市场常用规格，但是0.65*4应该足够大了啊，还是按版主的意思把变压器核算一下；
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| | | | | | | | | | | 次级侧改用立兹线作用不大，初级侧改用历次线温升有很大改善（集肤效应），感量往上走减小峰值电流影响，吸收电阻适当增大 |
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| | | | | 我把我的当时经验分享给你，希望对你有帮助。
Isense电阻材质建议使用无感绕线的，无感 绕线抗浪涌比较好，其阻值随温度特性的变化也比较稳定，这些供应商都会有规格书参考的，建议问一下供应商要一些参考文献。
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从原理图来看RCD吸收，贴/插结合，RCD热分布已经考虑了，650V的管子，结合实际OPP前扑捉的DS波形，如果余量有20V或+，可以把C2调整一下，结合压电噪声去选择C的材质，涤纶有105度的。D的选择，如果已经测试了EMI，余量大的话，可以考虑用HER系列的，这样基本可以把这里的温度降下来不少。
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从原理图来看使用20N的cool余量已经足够了，mosf还跑到120度应该和mosf的开/关有很大关系。
建议这样试试（在原来基础上，毕竟此刻心情复杂急着解决问题  ）
即省时间，也充分考虑到EMI问题，R11的大小直接影响了mosf的开（dv/dt），但又影响着辐射，需要均衡处理，DS加P，效率会低很多，温度更加高，功率这么大加P需要慎重考虑，辐射问题可以试试加在G/D看看，或是选择Rds（on）/Qg/ciss合适点的mosf。
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桥堆半导体器件，可以从它本身的VF去考虑选取，6A是小了点，建议用8A或+的，加点导热硅胶（这个有导热系数的，可以问问供应商），也可以加大散热片或是在桥堆本体上加一小块变压器屏蔽用的铜箔。
这是后续修改PCB了，把桥堆和LF2往左侧移动，使尽量热均匀化，铜皮尽量加大（走线铜箔也可以利用散热）。
很久没有这么认真回帖了 
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| | | | | | | 其它的暂时无需考虑，电解电容180uf的110度，应该是其它器件热烤过去的，电解电容标称温度105度这个常识应该都懂。至于变压器线包，可以分析看看线径加粗或是调整变压器参数，结合实际情况去玩了这些。 |
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