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| |  |  | | | | | | 谢谢关注，第一部分为隔离驱动模块，初步方案采用开环LLC加LDO得到正负电压，采用磁隔离芯片作为信号隔离级。
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开环LLC芯片初步打算采用其NCP1393作为主控芯片，这颗芯片外围十分简单很适合作为一个pwm发生源，外推一个SOT23-6的双mos。变压器打算采用一个小磁环，具体运行频率，体积多少，要找个合适的外壳以后，在打算，初步电源方案就是这样的。
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信号隔离的磁隔离ic有很多，但是隔离ic有2个比较重要的指标，一个是隔离电压，一个就是共模瞬态抗扰度，SIC mos属于10ns级的，开关速度很快。
朋友推荐使用ADUM4120，这个隔离耐压5KV，共模抗干扰为150KV/US，也就是150V/ns，比较符合。价格大概在18块一颗，也不算是很贵，当然这里采用芯片隔离的原由是想把占空比提升到100%。比如用于BUCK或者BOOST级的大占空比是肯定的。如果只是一般的桥类拓扑，50%占空比完全是可以采用变压器隔离方案的，成本方案会便宜许多。
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方案初步选定，下一步就是选个比较合适的封装外壳了。
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PS：前面2天其实是实验下用一个同步BUCK芯片作为调占空比的LLC，实践效果很好的，在输入9-25v都可以稳压输出，只是BUCK芯片的工作模式导致在启动阶段不能带载输出，这个和用什么BUCK芯片很有关系，以后研究OK了，在来开贴吧。这里放2张前面测试的图片
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| | | | | | | | | | | 隔离电源部分基本已经设计完毕了，选了半天的变压器，最终还是选了个磁环作为变压器，采用贴片的底座作为挂线端--
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| | | | | |  | | | | | | | | | 频率会测试的，到时看看能跑多少K出来。
上面个原理图，谐振电容被短路了，哈哈哈，居然没人发现  ，不是朋友看见了，估计就要一错在错了。
更新下初始原理图，打算按现在的原理图，画pcb，看体积有多大，体积合适就可以在加点电容。
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| | | | | | | 把元器件封装导入pcb以后，大致估算了一下，在淘宝找了个X电容的外壳，看上去这个外壳应该差不多，把电路板塞进去，密封成模块--
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后面几天到深圳去三日游，占时就不更新帖子了 
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| | | | | | | | | | | 前段时间比较忙，终于挤了一天出来，调试了一下，基本达到了预期效果，只是和想象的还有一点差距，主要是带负载能力没有达到预期，发热相对有点严重了，不过能用。
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基本的样板正反面：
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塞到11mm厚的外壳和13mm的外壳，看起来13mm的比较合适：
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上电测试一下，600K的频率去空载驱动一个30A，1200V的sic管子：
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跑了半个小时升温OK以后，测下温度，最热的就是那个负5V的线性稳压IC：
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在测了下，在初级一直给PWM，辅助电源上电和掉电的情况：
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最后测试了一个模块的初次级电容大小，和模块的耐压，均没有问题：
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总结：
就一般管子而言，这个驱动应该还是可以的，虽然带载能力还是稍微弱了那么一点点。感觉板子空间利用率上还有优化的空间，或许把板子做成2层结构，在输入加一个dc-dc稳压，输出级直接开环LLC，那样子效率和带负载能力能提高不少，这个以后有时间在研究了，现在调试的模块，基本就调了下，初级半桥的谐振电容，图上是用了2颗224，实际用的2颗473，频率电阻5.6K，运行155K的频率，变压器那个磁环，改成了9:21，输入端的1欧限流电阻改成了0R。其他的没变。
在输入上电和掉电测试中，pwm的开始和截止，因为把驱动ic的地放在了-5v上面，所以有一小段时间驱动的高电平最低只有7V的样子，稍微有点低。实际应用的时候，系统电源和主回路供电的不会存在这个问题，因为辅助电源建立远比PWM来得快，掉电比pwm来得慢。如果想达到高电平欠压为10V左右，那驱动ic的地就只能接输出的地，但是这样驱动模块就不能直接驱动IC，而要外接一个驱动IC，所以这个接法和应用有十分大的关系。
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| | | |  | | | | | | | | | 下一步：功率板的设计，测试一哈我们的主题，sic，mos管应用在ZCS条件下的情况 
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| | | | | | | | | | | | | ADUM的次级供电VDD上，建议串联一个几欧的电阻，然后并电容滤波，这种隔离芯片，受电源影响非常之大，之前SL的隔离器，批量用过出过大问题。ADI的东西后面直接替换，可靠性要高于电容耦合隔离器。
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| | | | | | | | | | | | | | | 哈哈哈，谢谢张工，捧场。图片中使用的就是磁隔离驱动ic，ADUM4120,ADI的，性能杠杠的，输出端本来就是加的线性稳压，当然现在没上电测试，还不知道实际应用的时候会怎么样，等画一版板子测试就知道了 |
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| | | | | | | | | | | | | 你这个副边隔离驱动原边的方案很有价值，建议进一步优化成标准模块。
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| | | | | | | | | | | | | | | 主要就是那个隔离电源，体积要小，现在是用ncp1393开环驱动半桥mos，如果是有那种固定50%占空比的同步buck芯片，外围会变的非常简单
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| | | | | | | 乘着调休，画了功率板子，直接用铝基板，驱动模块输出通过排线直接接到功率板上，变压器那些直接外置，至于是跑开环闭环，到时再看吧，目测跑开环的比例较大
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 板子已经回来咯，用热台10s不到，搞好一个，果然爽
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预计这周能出个结果
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | PCB厂家都可以做吧，以前搞LED灯的时候经常用到铝基板贴灯珠的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在那个配捷做的，他标称是2kv耐压，实验用而已，如果是做产品，肯定要用耐压4KV的，只是交期比较长 |
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| | | | | | | | | 驱动芯片和SiC在同一块铝基板上，当心共模噪声 
30V/ns的边沿，还是把驱动芯片扣起来悬空，飞线下去接驱动电阻安全点
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| | | | | | | | | | | 看兄弟这话语，怕是已经突破黄金级别了，真的发生了，4427那芯片直接被干死，干到pwm乱跳，以超高频输出，10多m  ，BOOM了2次以后，才算是PK掉，当然可能也不止是芯片的原因，最初是把驱动模块飞线插到铝基板以后在驱动mos，那个飞线可能也有原因。
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大致如下效果，30v不到就炸了2次，那个干扰强烈到能干扰辅助电源显示
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| | | | | | | | | | | | | 最终还是把铝基板上的驱动芯片拆掉，改用小板直接驱动，OK了，测试的时候是慢慢加大电压，各种负载测试比如100v输入，200v输入，10a输出，20a输出等，这里那就以我们正常400v输入电压为例，输出功率一直从500W加载到3000W，最终由于飞线原因，输出引线在40a电流下，由于焊点不够牢靠，直接热蹦了，吓人一跳还以为是炸管了，因为3000w输出的时候，峰值电流已经顶住管子的额定电流，切工作在ZCS状态，完全的硬开关，频率也比较高。 由于篇幅的关系，这里就不一一把调试过程很完整的写出来了，直接上大料。
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实验是这样的，随意找了pq3230，和pq2625骨架，谐振点按300K设计，FPGA直接出波260K，死区150ns的pwm，开环运行，谐振电感10uh左右，谐振电容用了2个473串联，K值大概是7-8左右，输出全桥整流滤波，接电子负载。
驱动就像楼上说的，直接用设计的那个驱动模块驱动SICmos，直流输入电压400v。
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这里说一下波形名称，黄色半桥中点，绿色下管GS，蓝色谐振电流倒相显示，紫色谐振电容波形
这里测试了几个功率段下的波形
忘了拍，空载波形，软开关的，这个不用当心。
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先来个900W输出波形
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1350W波形
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1900W波形
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2000W波形
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2100W波形
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2450W波形
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2750W波形
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3000W波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 恭喜你圆满收官，接下来看看发个350K波下去，试试什么情况？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别说350，500肯定要上的，只是最近忙的很，设备都被占起的，等下个月闲一点再来，，，
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个贴就是哈，感觉用这玩意做个高频的PFC应该效果也很好，明年看怎么撸，撸个铝基板的模块电源出来
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 41楼，2450w到3000w就是zcs的波形啊，本贴的目标就是测这个波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有点失望，我还想看看ZCS下，波形冒点刺，这感觉你做了个假ZCS了 次级二极管电流这个时候，也是ZCS吗？
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| | | | | | | | | | | | | 哈哈, 我是看了松下GaN MOSFET的应用文档.
这个共模噪声一个处理不好就到处跑, EMI可以往后放一放, 炸鸡是一定要先解决才行
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| | | | | 请问这里为什么说一旦进入ZCS 就进入炸机状态， 是指的副边还是原边
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