 |  | xkw1cn- 积分：131400
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|  | | | | 二极管在IC内部，串不了电阻。
在外边串的话，那就不是串在二极管上了。
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|  | | | | | | 串在这个自举电容上啊，我看有的地方有串，有的又没有串，我个人理解，串联电阻后可以缓冲上管导通时的上升沿过冲，不知是否有这方面的作用
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| | | xkw1cn- 积分：131400
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| | | | | | | | | 单就Buck而言，有高边的，也有低边的，还可以浮地驱动。尽量选后者，不要弄的太复杂。当然若有同步整流就另当别论了。
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| | | | | | | 能详细说说你的选取原则吗，可否举个例子，求大神指点
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| | | | | 0.1uF应该是经验值，如果要去算也能算出个值来。至于你说的加限流电阻，肯定是不行了，本来一般的开关频率就高，加个限流电阻影响充电时间。
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| | | | | | | 但是我看有的芯片应用电路里面给这个自举电容串联一个阻值约2.2Ω～5.6Ω的电阻，有点芯片应用电路里却没有，不知道具体缘由是什么？求指点
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| | | | | | | | | 如果不串联电阻的话，在电容充电时是否会烧坏这个二极管呢，还是因为本身开关频率较高，不需要考虑二极管的损耗，谢谢
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| | | | | | | | | 电容也是有ESR、ESL，并不是理想电容。你压差也不高，di=C·du/dt，不加电阻电流变化率也不高的，完全没问题，加了电阻说不定频率过高时充电过慢。
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| | | | | 这个帖子怎沉了啊，伤心啊，还是三个问题，希望大家能针对自己熟悉或了解的做以回答和讨论：
1、BST与SW之间的自举电容一般选择0.1uF，这个值是经验值还是怎么得来的呢？
2、给自举电容充电的方式是通过VCC经二极管给其充电，电容充电的时候瞬间电流不是很大吗，会不会烧坏这个二极管呢，需不需要在这个自举电容上串联限流电阻，串联多大的电阻呢？
3、上管和下管如果外置的话是否可以选择同一型号的Nmos管，即参数一样，选择时需要注意什么呢？
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| | | | | | | 1、BST与SW之间的自举电容一般选择0.1uF，这个值是经验值还是怎么得来的呢？
//Q=it=cu, 可以算出个最小电容值，0.1uF或者10nF到处都用，随手放一个省时省力
2、给自举电容充电的方式是通过VCC经二极管给其充电，电容充电的时候瞬间电流不是很大吗，会不会烧坏这个二极管呢，需不需要在这个自举电容上串联限流电阻，串联多大的电阻呢？
//一共0.1uF，算上ESR和芯片内部走线，瞬时电流不会太大，而且损坏PN结是需要能量的，不是短脉冲电流，你随便找个1A的二极管扛1mS以下20A不是问题；串限流电阻不是为了保护二极管，是避免高频振荡
3、上管和下管如果外置的话是否可以选择同一型号的Nmos管，即参数一样，选择时需要注意什么呢？
//开的时间长的需要Rds_on低，开关压差高的需要Qg和Coss小
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