请教一般开关的switch速度（dv/dt）与EMI有没有计算关系？-综合电源技术-世纪电源网社区

MR-wang

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2018-11-22 09:53:15

50问答币

问下大家，一般开关的switch速度（dv/dt），与EMI有没有计算关系？或者是经验值，为什么一般上升速度会做的下降速度慢？

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TingCC

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nldmos的寄生NPN开启了,因为过高的di/dt在bonding寄生电感上产生了过高的over shoot voltage.nldmos里面drain端和bulk端有一个NP结,也是计生npn的CB端,除非说你的nldmos很耐用,这个结的BV很高,那没事.Driver容易烧是因为floating pmos或者nmos的vds,受nldmos寄生电容Cdg影响,当过高的dv/dt在drain端产生时,这个over shoot被电容cover到了Driver输出端.一般在这个地方nmos更容易挂,通常串个几百欧姆电阻.PMOS就看面积是否足够大.电 ...

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		2 来时徘徊来时徘徊离线 LV6 高级工程师积分：1305 \| 主题：11 \| 帖子：117 访问空间发消息积分:1305 LV6 高级工程师 2018-11-22 10:27:38 倒数7
		开关速度主要是影响开关损耗。实现软开关对EMI有改善。至于你说的关段会慢，你是用的IGBT？回复 \| 举报 \|

		3 zhangyunlei zhangyunlei 离线 LV4 初级工程师积分：370 \| 主题：23 \| 帖子：46 访问空间发消息积分:370 LV4 初级工程师 2018-11-22 14:41:28 倒数6
		应该是一样的，除非是开漏输出模式，会有下降快，上升慢，比如i2c通讯回复 \| 举报 \|

		4 TingCC TingCC 离线 LV3 助理工程师积分：200 \| 主题：7 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:200 LV3 助理工程师 2018-11-22 14:43:49 倒数5
		开快了，会烧功率管回复 \| 举报 \|

			5 李雷雷李雷雷离线 LV1 本网技工积分：55 \| 主题：3 \| 帖子：9 访问空间发消息积分:55 LV1 本网技工 2018-11-22 14:47:09 倒数4
			功率管不是很大吗，怎么就会被烧掉呢？是瞬间过充电压引起的吗？回复 \| 举报 \|

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2018-11-22 15:08:42
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					7 李雷雷李雷雷离线 LV1 本网技工积分：55 \| 主题：3 \| 帖子：9 访问空间发消息积分:55 LV1 本网技工 2018-11-22 15:18:43 倒数2
					driver直接可以理解为c*dv/dt=I产生的大电流烧坏的吧? 回复 \| 举报 \|

						8 TingCC TingCC 离线 LV3 助理工程师积分：200 \| 主题：7 \| 帖子：12 访问空间发消息积分:200 LV3 助理工程师最新回复 2018-11-22 15:34:31 倒数1
						都是寄生bjt搞的鬼，大电流要烧器件要靠时间积累，过热后击穿pn结回复 \| 举报 \|

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