 |  | | | | 请教各位大侠  2，D3 ,C4,R6,R2 的各自作用是什么？
此驱动电路的工作原理是怎么样的？ |
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| | | | | | | 我的理解是：倍压整流+加速关断
就不知是否是这样，还请高手指教 |
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| |  | | | | | | | oh? 听你说起来有些道理喔。。
那么R6，和R2 有啥用？？ |
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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积分:109871 版主 | | | 原来的电路，Q1到导通的时候，驱动波形的电压为辅助电压减去C3上的电压，更改后Q2导通的时候，变压器原变下正上负，副边通过D2给C4充电，C4左负右正，这样当Q1导通的时候，驱动电压为辅助电压-C3电压+C4电压，选择合适的参数，可以使C3、C4上电压相等，就实现了消除负压。而且驱动电压不随占空比变化而变化。 |
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| | | | | | | 感谢王工，C3=C4？？合适的参数在实际调试中取得？对么？
那么3楼的问题？ |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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积分:109871 版主 | | | | | 我只是从原理上来分析的，至于3楼两个电阻的作用不是很清楚。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 单纯从电路原理来分析，确实看不出来两个电阻的作用。但是要注意的是，驱动电路也是开关电路，开关时一些器件容易出现电压尖刺，并且二极管存在存储效应，并联电阻有助于加快二极管导通的时间，使实际电路的杂讯更干净一点。总而言之，这是一个实际驱动电路，已经经过N久的产品设计检验，有些看似多余的器件只是为了改进一点电路的性能而已。 |
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| | | | | |  | | | | | | | | | 终于等到顶尖高手来了。哈哈。。实际搭电路验证那2个电阻确实是处理杂讯。。
这部分电路的布局应该很讲究，上次用分立零件搭的电路，居然有这种现象：不接SR mos，驱动波形很漂亮；但接上SR mos之后，却无法开机，启动不了；如果此电路是实际驱动电路，那估计是当时离散参数不合适。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 多谢蓝天兄的顶贴，
希望各位大侠如你等多来讲解啊。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 缺点就是器件多了些。。。
至于接上SR后不能启动，你可能更要查查驱动输入的逻辑对不对，比如时区、延时啥的。另外，SR的驱动上管、下管可能这个电路也不合适了，得使用浮压驱动或专用IC了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的意思是不能驱动半桥之类的上管（上臂mos）？
之前打算采用都是基准为地的SR驱动。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 浮地驱动也是可以的吧。
我见过用来驱动有源钳位反激的例子。 |
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| | | | | | | 你的链接无法显示。。咋回事?
另外，还有电容耦合型驱动线路是否还有饱和的现象？？？ |
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| | | | | | | | | | | 我找以前的帖子看看，
看以前的帖子有人说的。。我还没理清是怎么一回事。。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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积分:109871 版主 | | | | | 这种驱动电路的动态特性是不是差一些？IC输出占空比快速变化时，MOS管占空比变化存在延时？ |
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| | | | | | | | | | | 这种电路有什么缺陷。。驱动速度不能太快或太慢》？
有电容延时？？ |
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| | | | | | | | | | | 见过不少人说这个电路的动态特性很差，不明白为什么这么说。
给个理由吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | 那个传递能量的电容，充放电需要时间，但是容量又不能小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 如果用于小功率电源的话，是不是就不存在这个问题了？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 原理上，跟有源钳位上的电容有点像。
驱动信号经过变压器传递，电容本身的电压又跟占空比有关，而电容电压又不能突变的，所以，响应会差一些。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得不一定，将电容取很大很大的值，这个时候电容就相当于电压源了。来个假设：用一个电压源去取代这个电容，结果是。。？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也是可以的，只是，这个电压的高低跟占空比有关，你要瞬态响应好，无外乎就是占空比要迅速变化，电压源的话，能变化多快啊？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，上面电压源漏了几个字：duty 控电压源 ~  |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电容就是一个duty控制的电压源，问题是这个电压源变化的速度恰好是影响他动态性能的关键点。如果电容上电压能跟随占空比同步变化，就不存在同态特性之说。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我用电压源的目的，只是来论证电容大小对动态影响的程度，方便大家的理解而已（前面ZKYBUAA兄 正为这个疑惑呢）~
不是真正想用电压源的（这个不太现实）。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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积分:109871 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 从稳定工作的方面来说，我们期望这个电容尽可能的大，从动态特性来说，又需要这个电容尽可能的小，真正使用的时候，综合两个因素考虑就可以了。其实所谓的动态特性差，也不见得差到那里去，至少当时用这个拓扑做模块的时候，没感觉有多大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从动态特性来说，又需要这个电容尽可能的小，
何出此言呢？理由？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 另外，一个贴游工已经解释了，电容充放电是需要时间的，反应速度受电容影响，动态需要快的响应；
电容小，充放电时间自然小（其他不变的前提），动态特性自然变好。但太小，驱动能力会不足。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果按照游工对动态响应的定义：我认为电容越大，动态响应越快~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电容大小，似乎影响也不大，只是越大，占空比变化时，变压器需要复位的时间就越长,设计余量不足的话，有可能就会饱和。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我对这个电路基本理解了。
电容越大，动态特性越差。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，我们的结论相反了~
能说说你的心理历程吗？
我的心理历程就是前面的“占控电压源”的借喻~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那个电容越大，上面的电压变化会越慢。
当输入电压瞬变，或者负载瞬变，会带来占空比瞬变。
而新的占空比会让那个电容上的电压，达到一个新的值。
但那个电容的电压，变化较慢，跟不上占空比的变化。
这一点，前面已经有人说过了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这点“飞天蜈蚣”兄台有过解释，所谓“占控电压源”的建立速度跟不上站空比的变化速度~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 事实上，不单要看电容电压建立的速度，还要看电容电压泻放的速度。
小电容在建立电压时占了优势，可来的快去的也快。在给Mosfet节电容充电的时候会迅速泻掉。为了保证Mosfet节电容充饱，必须要建立更高的电压。这样，小电容还能
快速地跟上原边的占空比变化吗？因为，它需要更高的电压~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 兄台怎么这么喜欢编辑啊，哈哈~
没看到你这楼说啥。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 来比较下：电容建立电压和泻放电压的速度
建立电压：电容直接通过次边的线圈充电，相当于直接用DC电压源直接给电容充电，这几乎不需要时间~
泻放电压：电容和次边的线圈共同对Mosfet栅电容充电，如果次边电容小的话，很快导致电压跌落，由此需要在建立电压时建立更多的电压以维持放电时的能量让Mosfet栅电容充饱。而大电容则没有这个问题。
因此，泻放是决定“调整时间”的重头戏。
建立电压 +泻放电压 ：大电容，小电容谁更能跟踪duty变化呢？不用多说了~呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得你并没有领会这个驱动电路的精髓。
前面已经说了，这个电路最大的优点是可以传输很宽范围的占空比而不损幅度。
而最大的缺点，是动态特性差。
电容小的话，动态特性好，但它无法做到不损幅度的宽占空比传输。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 前面有人说过了啊，这个电容不能太小了，太小了的话，宽占空比传输就有问题。
太大的话，动态特性就不好。
这并不矛盾。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 对于这个动态特性，俺 俺俺一时还没法接受这个观点~
假如，我们在次边mosfet的G-S 并联个电阻，来看这个模型。
按照前面人的结论，仍然可有：小电容的动态特性要好。实际上这个驱动电路里面是插入了一个C+R类似的微分环节。（传递函数= RCs / (1+RCs) ) 电容越小的，极点越远，对调整时间影响越小~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 上楼说分析有点问题。
传递函数= RCs / (1+RCs) 同时提供了零点 和极点
1/。当C趋向很大的时候，极点逼近零点 成为偶极子湮灭了，变成了“比例”环节，失去超前调整功能~
2/。 当C很小的时候，可以让极点抛出电源带宽以外，使之失去作用。
是的，电容很大时产生超前的补偿效果不好，加速动态响应效果差。
（上面的G-S 添加电阻“辅助线”分析方法，不够精确。只是大致论证一下，实际的传递函数中，很少出现“零频率零点” ，零点通常以 比例-微分的形式出现~） |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从次级线圈和电容交点向左看过去，通过网络平均法总能得到一个^d(s), 这个^d(s)通过这个电容网络 传递到Mosfet的G-S ，这个电容网络超前补偿^d(s)越多，动态响应就越快~。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 唉，兄弟仔细看看前面人的回复，考虑考虑啊，前面的讨论，已经把这个电路理解得很详细了。
这个电路最大的优点就是可以在不降低驱动幅度的前提下，传输很宽范围的占空比。一般来说，为了驱动变压器的磁复位，驱动变压器原边都要串联个隔直电容，来自动满足伏秒平衡，而这个电容上的电压，会是Vcc*D。那么驱动变压器次边能得到的电压，也就是VCC*(1-D)。从这个式子来看，占空比越宽，次级得到的电压幅度损失越多。在次级加了个电容后，能起到还原驱动电平的作用。
所以，次级的电容不能太小，太小的话，很快就能充满电或者放掉电，就不是一个占空比控制的电压源了。
而最大的缺点，是动态特性差。当负载瞬变或者输入电压瞬变的时候，较好的反馈回路，会让占空比迅速调整到稳态值。而这时候，对驱动电路的要求是，能即时无误差的跟踪调整后的占空比。次级电容大的话，就无法即时跟踪，所以说它动态特性差。
驱动是驱动，环路设计是环路设计，不要总要向一个地方扯。即使有超调，也是在反馈回路设计不好造成的超调，跟驱动电路一点关系也没有。对驱动电路的要求就是，能够即时无误差跟踪输入的驱动信号就行了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谢谢，兄台耐心的解释~  
前面的部分，没有疑义~
1. 先将驱动部分省略，来看PWM 控制器IC 输出直接到mosfet 。这样来自IC 的^d 直接调制mosfet开关。这个相信没有疑义~
2。在PWM IC 和mosfet中间插入驱动器。如果这个驱动器不是电阻般”线性“放大，而是中间有延时元件，^d(s)还能无延时地，准确无误地和1。一样到达MOSFET 吗？应该不会。这点从小信号建模中可以看出。真正到达mosfet的信号，应该是 ^d(s)*H1(s) ( H1(s)就是驱动器的传递函数，这里包含的是 “变压器+电容+。。” 的网络平均法得到的传递函数），可以肯定地推测，变压器的带宽一定也能影响这个电源的动态特性。只不过是变压器的带宽可能远超过电源的带宽而忽略了。就象 1，2，3 型运放一样不考虑运放本身。在变压器一定的情况下，增大电容，减小电容，是如何改变H1(s)的呢？我觉得，这个电容是起微分作用，愈小，超前补偿的能力越强。推广假设一下，电容是无穷大的，对小信号来说，电容就是根导线。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这么简单一个问题还没搞清楚？还什么传递函数，有那么难理解吗？如果占空比快速变化而电容上电压不变化，辅助变压器伏秒数就不相等，变压器不得饱和啊。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 理解动态特性最科学的方法是传递函数，脱离了传递函数，无法谈动态特性。如果硬要谈-----那只能是定性分析或者说是经验~
动态特性这个词，本声就是来自传递函数的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 动态特性不好的意思是如果占空比快速变化，可能导致电路损坏，而不是占空比快速变化MOS管占空比不能跟随。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵，对于变压器这一块我反而不担心。因为副边的线圈是直接电容充放电的。这几乎是立即就能完成的。电源的动态特性最主要的是MOS管占空比能否快速跟的上负载的变化，甚至是超前负载的变化~ |
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 ：这个表示我理解你的心情。
 ：沟通有问题，能不抓狂吗？
 ：如果实在无法沟通，只有洗洗睡觉了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也没有什么特别的意见，其实我看上面大家的认识都已经很明确了，只是沟通不太好。这段时间有点忙，来论坛只是看看大家的高论，很少有空回点有价值的东西。
这个电容，根据我个人的理解，是适合部分环境，在部分环境中，它对电路的性能有一点补偿作用，但真正使用时很不简单，实用中的条件很窄，相同的电路，如果使用的环境有变，这只电容就不需要了，还有可能变为缺点。所以，我个人推荐，在没有积累这方面经验、甚至技术还停留在抄版的情况下，还是少用这种“增加多余元件改善电路一点点性能”的设计。
以前在我们有做过这样的电路，里面是有这个电容的，后来在实际使用中发现，这对电容的选择非常苛刻，在容量、耐压、ESR上都要小心选择，甚至Q值也在考虑范围之内，要不然反而弊端处大于好处，在生产时就出现了两只MOS发热不一致的现象，虽然原因也分析出来了（这里略），但却在实际解决时有点苛刻，感到这只电容在我们当时用的环境里作用不大，干脆去掉这只电容，效率和发热有了很大的改善，工作也相对稳定了些，后来按测量的结果与分析的结果将重新选择好的电容焊上试验，就不出现前面的发热了，但测试效果与不要这只电容几乎没什么差别，还增加了成本，就在电路中干脆短接了，这是仅从实践方面一个较窄的范围中感到有些环境不适合加这个电容的一个例子。这种现象后来也在逆变电路的MP1408、DF6109里出现过，但将电容改动后也能解决，将变压器改动后也会解决。问MPS公司的技术支持，这种现象是怎么回事，他们回答的无法让人满意，后来专派了FAE过来2天，也没有一个恰当的解释，而国产的6109厂家干脆在电话里直接说“去掉这只电容就行了，后面我们推荐的电路里已经没有这个电容了”。这个案子以前是小刘负责的，他在提交的有关报告里也无法将此修改的原因细说（指技术方面），只在下达的ECN里将纠正的措施做了完整的描述。
上面一个视角较窄的例子，是否对大家的理解有点帮助？或者我个人的简单的概括的理解，是否有错误的地方？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 去掉的理由是什么，理论能解释吗？
调整电路之后，有没有测量和分析过驱动信号的波形？ |
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2、你的电路具体是什么样子的？
你说的对，不同的应用环境电路要求是不一样的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不好意思，可能我说的电容和大家说的不是一个，呵呵sorry、sorry.
我刚才查了一下当年的图，找到一个全桥Inverter，就是图中的C11和C12，也就是楼主第一个图中的C3。偶尔没事时也曾经异想天开的将此电容当接成谐振电容，减小容量，在变化很小的负载中还真“节能”了。
附图截了一点点电路。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个明显是隔直电容嘛 
半桥或全桥一般都会用到这个电容。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 呵呵这个电容也不仅仅是隔直流的，其实有时是不需要隔掉直流的  。半桥是一定要的，虽然接的地方不同。但全桥就不一定要了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得在你给的图这里仅仅是隔直电容，还有别的功能吗？
半桥只能做电压模式的，所以就要用，全桥可以做电流模式的，所以就不一定要用。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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积分:109871 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个电容跟楼主那个C3电容的原理可以说是风牛马不相及。原理都不是一样的，你这个去掉当然可以，楼主那个去掉。。。。。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有道理，是我看电路太草草了，找到一个马上截图发出，向各位道歉。
不过现在看楼主的电路，还是有相似之处的，虽然一个是信号，一个是功率。这个信号耦合方式应该叫电容+变压器耦合，有机会我将这种电路的方式与类似的推挽输出、双管输出及信号保真一起探计一下，从三种基础耦合方式上（直接耦合、电容耦合、变压器耦合），深入分析一下相信可以从微观与模拟领域里有一个更新的认识。不过目前有一点我们可以达成共识，那就是，只适合一部分电路。环境达到一定程度，这种方法就不适合了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主有对这几种电路输出及驱动做仿真比较吗，期待ing... |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 再来回贴一下，感觉到，既然开始我看错了图，那么我暂时就失去了评价的资格，因为回了半天，原来是看错了，以前的分歧并不存在了，以后仔细看图再说。耽误大家的时间，呵呵。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分：109871
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对于你说的你电路里那个电容，半桥一定要，我觉得有待商榷。
1、这个电容在半桥电路里起的作用是必须的，但电容不一定非串联不行：如果半桥两个分压电容是比较大的电解电容，这个电容一定要串联，但如果前段带PFC，半桥电路的电容可以选的比较小，等效原理不仅起到分压的作用，还起到这个串联电容的作用，这个电容就可以去掉。
2、我们做的半桥，都没有这个串联电容，利用的是分压电容的等效原理。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 兄将半桥广义是正确的，概念里将谐振半桥LLC取为代用词看来不妥，应当尊重行业内的习惯。呵呵，这个讨论看来结论已经明确，以后有新的机会大家再进行另一场讨论。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嘿嘿，你们要在数学上说服我呀？
太定性的解释，只能是经验上的解释~ |
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不是说了跟环路没关系了吗？现在是定性为驱动部分的响应，能快速进入到正常工作状态的响应。 |
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开关电源的的动态特性不是由环路决定的么？
来看一个例子：PWM IC 直接驱动MOSFET ，驱动电阻Rg 从10欧姆------>10K
（假设变压器仍然不饱和，这么扩大只是假设）其他什么都不变，电源动态特性变不变？？ |
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换到10K，如果电源没炸，且MOS还能保持在开关状态的话， 稳态（或者说静态）特性就没变化。 |
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既然意见不一，那还不赶紧列出你擅长的自控理论公式来给大伙上上课？
等着.. |
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1。占空比能适应负载作出快速的变化
2。占空比能准确无误地迅速传递到功率MOSFET
本问题的症结在第2点，大电容和小电容在2点上，没有差别的吗？请教~ |
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我知道错了，你放过我吧
不影响环路，只影响驱动部分再调整占空比后进入稳定状态的时间。 |
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这点你说的非常正确！！我也知道自己的问题在哪儿了，谢谢~
另外，弱弱地再请教：
稳定期较长的占空比（比如：边沿时间长）会对输出产生什么要的影响？如何克服呢？ |
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张卫平教授的那本书里，没有谈到这个问题。
是不是本不成为问题？但我觉得应该有，遗憾的是数学知识跟不上~  |
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定性，是在找方向，定量，是在找方法。我一般会用极限的值去代入，看看结果。这是要讲感觉的，也就是需要有点艺术细胞在里面才行 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在占空比不变的时候可以，如果占空比变化，你用一个电压源，那变压器就饱和。 |
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| | | | | | | | | | | | | 这个电容应该出现在^Gvd(s)中~
是如何影响这个式子的，现也不知道~ |
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